三星第9代V-NAND金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术

IT之家 7 月 3 日消息，根据韩媒 The Elec 报道，三星在其第 9 代 V-NAND 的“金属布线”（metal wiring）中首次尝试使用钼（Mo）。

IT之家注：半导体制造过程中八大工艺分别为：晶圆制造、氧化、光刻、刻蚀、沉积、金属布线、测试和封装。

其中金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件，形成不同的半导体（CPU、GPU 等），可以说是“为半导体注入了生命”。

消息人士称三星公司已从 Lam Research 公司引进了五台 Mo 沉积机，此外还计划明年再引进 20 台设备。

除三星电子外，SK 海力士、美光和 Kioxia 等公司也在考虑使用钼。和现有 NAND 工艺中所使用的六氟化钨（WF6）不同，钼前驱体（molybdenum precursor）是固态，必须在 600℃ 的高温下才能升华直接转化为气态，而这个过程需要单独的沉积设备。

三星今年 5 月报道，已经启动了首批第九代 V-NAND 闪存量产，位密度比第八代 V-NAND 提高了约 50%。

第九代 V-NAND 配备了下一代 NAND 闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入 / 输出速度提高 33%，最高可达每秒 3.2 千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。

美光宣布已量产全球首款232层NAND

北京时间7月27日，Micron宣布已量产全球首款232层NAND。它采用了业界领先的创新技术，从而为存储解决方案带来前所未有的性能。与前几代NAND相比，该产品拥有业界最高的面密度和更高的容量及能效，能为客户端及云端等数据密集型应用提供卓越支持。

美光出货全球首款232层NAND，进一步巩固技术领先地位

美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示：“美光232层NAND率先在生产中将3D NAND堆叠层数扩展到超过200层，可谓存储创新的分水岭。此项突破性技术得益于广泛的创新，包括创建高深宽比结构的先进工艺能力、新型材料的进步，以及基于美光市场领先的176层NAND技术所进行的进一步设计创新。”

领先技术铸就卓越性能

随着全球数据量的增加，客户必须扩大存储容量，提升性能，同时降低能耗，并满足对环境可持续发展更为严格的要求。美光232层NAND技术提供了必要的高性能存储，支持数据中心和汽车应用所需的先进解决方案和实时服务，同时还可在移动设备、消费电子产品和PC上实现快速响应和沉浸式体验。美光还在该技术节点上实现了业界最快的NAND输入/输出（I/O）速度[1]（每秒2.4GB），以满足低延迟和高吞吐量的需求，适用于人工智能和机器学习、非结构化数据库和实时分析，以及云计算等数据密集型工作负载。该I/O速度比美光在176层节点上所支持的最高速度还要快50%[2]。相比上一代产品，美光232层NAND的每颗裸片写入带宽提升至高100%，读取带宽提升至少75%[2]。这些优势提升了SSD和嵌入式NAND解决方案的性能和能效。

此外，美光232层NAND还是全球首款六平面TLC量产NAND[3]。与其他TLC闪存相比，该产品在每颗裸片上拥有最多的平面数量[3]，且每个平面都具有独立的数据读取能力。高I/O速度和低读写延迟，以及美光的六平面架构，使其可在多种配置中提供一流的数据传输能力。该结构可确保减少写入和读取命令冲突，推动系统级服务质量的提升。

前沿创新技术带来了具备最高性能和晶圆密度的TLC NAND，并全部采用业界最小封装

美光232层NAND是首款支持NV-LPDDR4的量产技术。NV-LPDDR4是一种低压接口，与此前的I/O接口相比，每比特传输能耗可降低至少30%。因此，232层NAND解决方案可实现高性能与低功耗平衡，是移动应用以及数据中心和智能边缘领域部署的理想之选。此外，该接口还可向后兼容，支持传统控制器和系统。

232层NAND紧凑的外形规格还便于客户进行灵活设计，同时实现超越历代产品的每平方毫米最高的TLC密度(14.6 Gb/mm2)[3]。其面密度比当今市场上的TLC竞品高35%到100%[3]。它还采用全新的11.5mm x 13.5mm封装规格，较前几代产品的封装尺寸小28%[2]，使其成为目前市场上尺寸最小的高密度NAND[3]。该产品兼具小体积和高密度，因此占用更小的电路板空间，适用于各类部署。

下一代NAND助力整个市场实现创新

美光首席商务官Sumit Sadana表示：“美光持续率先上市更高堆叠层数的NAND，实现移动设备更长的电池续航和更紧凑的存储空间，提升云计算性能，加快AI模型的训练速度，从而能够保持长期的技术领先地位。美光232层NAND为端到端存储创新确立了新基准，助推多个行业的数字化转型。”

232层NAND的开发得益于美光领先业界的研发和制程技术进步。这些突破性技术将帮助客户在数据中心、轻薄笔记本电脑、新型移动设备和智能边缘等领域打造更多创新解决方案。

供货情况

美光232层NAND目前已在其新加坡晶圆厂实现量产，并首先以组件形式通过英睿达（Crucial）SSD消费类产品线向客户出货。其他产品信息及供货状况将在稍后公布。

美光位于新加坡的NAND卓越中心因其在智能制造领域的优秀运营能力而被世界经济论坛列入其全球灯塔工厂网络。先进的AI工具、智能控制系统和预测能力使美光能够加速产品开发，强化产品质量，更快提升良率，从而缩短产品上市时间。

[1]上市时NAND I/O速度为1.6GB/s

[2]与美光产品数据表比较

[3]与当前市场上出货的NAND产品比较

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