美光率先量产面向客户端和数据中心的200+层QLC NAND产品

近日，Micron Technology宣布，美光232层QLC NAND现已量产，并在部分Crucial英睿达固态硬盘（SSD）中出货。与此同时，美光2500 NVMe SSD也已面向企业级存储客户量产，并向PC OEM厂商出样。这些进展彰显了美光在NAND技术领域的长期领导地位。

美光2500 SSD采用QLC NAND，性能远超竞品

美光232层QLC NAND可为移动设备、客户端设备、边缘和数据中心存储设备带来无与伦比的性能，其主要优势包括：

· 领先的存储密度，比竞争对手最新产品的存储密度提升高达28%

· 领先的2400 MT/s NAND输入/输出（I/O）速度，比上一代产品提升50%

· 读取性能比上一代产品提升24%

· 编程性能比上一代产品提升31%

Pure Storage超大规模业务总经理Bill Cerreta表示：“美光的232层QLC NAND是我们大容量Direct Flash模块产品的关键赋能因素。得益于美光NAND技术创新，Pure Storage在2028年之前替换数据中心内所有机械硬盘（HDD）的道路上又迈出了坚实的一步。”

美光2500客户端SSD

美光2500 SSD以其卓越的性能为日常计算树立了新标杆，显著提升了PC用户体验。美光连续两代率先出货最高NAND层数的QLC客户端NVMe SSD。美光2500 SSD是全球首款基于200+层QLC NAND的客户端SSD。

AMD高级副总裁兼企业院士Joe Macri表示：“美光2500 SSD的性能令人印象深刻，我们很高兴该款存储产品能通过AMD主流平台的验证。2500 SSD能提供卓越的用户体验，完美匹配高性能的AMD Ryzen（锐龙）处理器。”

美光2500 SSD能比基于TLC和QLC的竞品SSD提供更好的用户体验，并为日常PC应用和计算任务的生产效率树立了全新的存储标杆。在 PC Mark 10体验基准测试中，美光2500 SSD在高性价比SSD组别中表现出色，其平均得分超出QLC和TLC竞品高达45% 。

美光副总裁暨客户端存储事业部总经理Prasad Alluri表示：“随着行业转向QLC存储，美光在客户端SSD市场上继续保持领先地位并持续创新。美光2500 SSD提供卓越的用户体验和价值定位，将进一步加速QLC在PC中的普及。”

华硕消费性产品事业处协理陈奕彰表示：“通过在PC产品中搭载美光2500 QLC SSD，我们为用户提供了超凡体验。美光在QLC NAND领域的诸多创新使我们的客户能充分享受可靠存储带来的优势，且无需在其他方面做出妥协。此外，它紧凑的外形规格和高达2TB的容量，让我们能够轻松打造出业界领先的轻薄设备。”

美光2500 SSD是全球首款接近PCIe 4.0最高理论性能的QLC SSD，顺序读取速度高达7.1 GB/s。在高性价比SSD市场中，美光2500 SSD的性能远超基于TLC NAND和QLC NAND的SSD竞品：

美光2500 SSD的缓存加速功能助力其性能得到提升，并确保在大多数应用场景下实现最快的读写性能。美光232层QLC NAND为其带来稳定的SSD写入耐用性。即使是最小容量的512GB版本也具备足够的耐用性，可支持用户在三年时间内每天下载13部4K电影 。

美光2500 SSD支持22 x 30mm、22 x 42mm和22 x 80mm外形规格，以及512GB至2TB的容量选择。值得一提的是，22 x 30mm紧凑型规格和高达2TB的容量非常适合手持游戏设备。这些SSD均采用单面设计，为OEM厂商提供了更高的灵活性，能轻松将其集成到超薄设备和工作站等各种系统中。

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大厂或提高NAND产量 美光HBM产能持续扩张 投研报告

甬兴证券近日发布存储芯片行业周度跟踪：大厂或提高NAND产量，美光HBM产能持续扩张。

以下为研究报告摘要：

NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，三星、SK海力士和Kioxia提高产量。根据DRAMexchange，上周（0617-0621）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.43%至2.61%，平均涨跌幅为0.17%。其中7个料号价格持平，8个料号价格上涨，7个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，2023年大规模的生产削减部分导致NAND闪存价格上升。目前，三星电子、SK海力士、铠侠和西部数据，正在恢复全产能生产。

DRAM：颗粒价格小幅波动，三星和SK海力士将3D DRAM技术应用到混合键合技术。根据DRAMexchange，上周（0617-0621）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.01%至0.13%，平均涨跌幅为-0.94%。上周1个料号呈上涨趋势，14个料号呈下降趋势，3个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星电子和SK海力士正在将3D DRAM技术与先进的混合键合技术相结合，探索更深层次的芯片堆叠和更紧密的连接方式，以提高存储芯片的性能，并在制造过程中实现更高的生产效率。

HBM：美光全球扩张HBM内存产能以提升市场份额，三星将于2024年内推出3D HBM芯片封装服务。根据CFM闪存市场报道，在全球AI技术热潮的推动下，美光科技正在积极扩大其HBM内存的全球产能，为AI和高性能计算领域提供更加强大的支持。三星首次在公开活动中发布HBM芯片的3D封装技术。该技术将HBM芯片垂直堆叠在GPU顶部，以进一步加速数据学习和推理处理。3D封装不仅无需硅中介层或位于芯片之间的薄基板，以使它们能够通信和协同工作；而且降低了功耗和处理延迟，提高了半导体芯片电信号的质量。

市场端：渠道和行业SSD价格保持稳定。上周（0617-0621）eMMC价格下降2.34%，UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，本周渠道SSD和内存价格持平不变。渠道市场小单询单增多、少量补货，但短期需求依旧不明朗。贸易端部分渠道中低端资源供应减少，价格出现小幅反弹；且品牌厂商恐慌杀价的现象有所缓解。行业市场方面，部分工控行业SSD需求有所好转，现货供应端普遍持惜售态度，本周行业SSD和内存价格趋于稳定。现货嵌入式方面，本周部分低容量eMMC及LPDDR价格小幅下调。

投资建议

我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

风险提示

中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。（甬兴证券 陈宇哲）

免责声明：本文内容与数据仅供参考，不构成投资建议，使用前请核实。据此操作，风险自担。

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