终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

从本月开始，各家厂商将会陆续发布PCIe 5.0 SSD固态盘，同时带来更多新技术和优惠。近日，三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND。

（图片来源：三星电子官方网站）

据小雷了解，新一代存储芯片能够达到2400MTps的传输速度，相比上一代提升了1.2倍，可以制造传输速度超过12GBps的消费级SSD。据介绍，第8代V-NAND可以提供1Tb（128GB）的方案，三星电子没有公布IC的实际密度，不过他们称其是业界最高的比特密度。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

目前三星官方还未发布实际的产品，不过距离新品发布已经不远了。值得一提的是，虽然存储容量变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理水平，封装512GB容量也不会超过0.8mm。

与目前同容量的闪存芯片相比，第8代V-NAND的单晶生产率提高了20%，能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。单晶生产率的提升意味着生产成本进一步降低，后续大家或许可以买到相同容量下更便宜的固态硬盘。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

事实上，不只有三星一家，像东芝、西数、SK海力士等厂商都在大力研发3D NAND技术，以此来拉开与竞争者的差距，从而占据大部分市场份额。就目前而言，三星的3D NAND技术已经完成了全面领先，希望后续其他厂商能够加把劲，争取早日追上三星。

对想购买固态硬盘的用户来说，完全可以等等看，毕竟做等等党“永远不亏”，预计后面还会有更多新品上市。可以预见的是，存储厂商的“内卷”才刚刚开始，未来还会有更多容量大且便宜的固态硬盘。

（封面图来源：三星电子中国官方网站）

全球首款：长江存储启动64层3D NAND闪存量产

9月2日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（长江存储）宣布，已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

作为中国首款64层3D NAND（三维闪存）闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。Xtacking®技术的研发成功和64层3D NAND闪存的批量生产，标志着长江存储已走出了一条高端芯片设计制造之路。

长江存储64层3D NAND闪存晶圆

据介绍，长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking®架构设计，并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高的存储密度。Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤，就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

长江存储计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品，以满足数据中心，以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“通过将Xtacking架构，引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”

程卫华还提到，“随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3D NAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。”

相关问答

2018年NAND闪存价格由涨转跌,NAND闪存价格至少跌了50%,主要原因是64层3DNAND闪存堆栈产能大幅增加,市场供应大增,今年底三星、东芝等公司又推出了96层堆栈的...

2020年4月13日,长江存储科技宣布其128层QLC3DNAND闪存研已经发成功,并已通过多家控制器厂商SSD等终端存储产品使用验证(型号:X2-6070),并且同时发布了12...20.....

长江存储为了掌握关于存储器的技术,并具备自主研发和制造存储器的能力,以及进一步积累起研发和生产的经验,已经在存储器领域投入了相当多的资源,未来在该领域...

半导体产业是目前国内正在大力发展的行业,尽管中国市场消耗了全球三分之一还多的半导体芯片,不过大多数依赖进口,其中DRAM内存及NAND闪存芯片几乎100%来自进口...

NAND闪存一般指NAND。NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳...

所谓的NAND闪存,就是一种用来存储数据的电子元器件,我们比较常见的是在SSD硬盘中。这种闪存最大的特点就是速度快,所以现在很多人都会使用SSD硬盘来获得更高的...

华为闪存非常强大,拥有出色的性能和可靠性。其采用的NVMe协议和PCIe接口,可实现高速数据传输和读写速度,比传统的SATASSD快上数倍。同时,其采用的三维NAND闪...

NAND闪存从SLC到MLC再到TLC,可以说一步步降低了成本,提升了容量,这是它们得以普及的关键。现在QLC闪存在这一年中发展迅猛,大有抢TLC风头的意味,而更渣的PLC...N...

不建议使用nand启动。使用nand启动存在一些问题和限制。使用nand启动存在以下几个1.可靠性问题:nand启动方式在某些情况下可能会导致系统启动失败或出现错误...

2018年DRAM内存价格涨势放缓,业界普遍预期今年Q3季度内存价格持平,Q4季度价格就会转向降价,而2019年上半年正式迎来内存市场的降价周期。对于内存降价,消费者...