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东芝nand型闪存 三星跳电后,东芝为NAND闪存价格“再添一把火”
发布时间 : 2025-04-18
作者 : 小编
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三星跳电后,东芝为NAND闪存价格“再添一把火”

(观察者网讯 文/朱紫薇 编辑/尹哲)继三星存储器产线在跨年夜发生跳电后,今年又一起存储器工厂发生火灾。

1月7日,据台媒“财经新报”报道,全球存储器制造商Kioxia(铠侠,原东芝存储)日本四日市工厂发生火灾,NAND闪存产线受到影响。

值得注意的是,去年6月,该工厂就曾发生停电事故,导致部分厂区停工月余。一个月后,据中国IC网报道,上述存储器现货价格上涨超10%。

图片来源:财经新报官网

1月7日,据铠侠致客户信中表示,该公司位于四日市Fab 6工厂发生火灾。目前,大火已被扑灭,无人员受伤,有一台设备部分受损,火灾原因及其对生产的影响在进一步调查中。

不得不提的是,据财联社报道称,此次起火的Fab 6工厂负责生产64层和94层3D NAND,两者共占全球NAND芯片总产量3至4%。

业内人士表示,虽然火势很快扑灭,但因火灾发生在工厂无尘室,有可能造成其短期无法正常运作,将对2020 年一季度NAND闪存供货造成影响。

时间回到一周前,新年伊始,三星电子华城芯片工厂就发生停电事故,导致部分NAND产线和DRAM产线生产暂停,此次铠侠火灾又让大家为全球闪存行业“捏了一把汗”。

芯片价格下滑速度“出乎意料”

事实上,近两年来NANAD闪存市场一直处于“凛冬”。2018年9月,浙江大华闪存产品线总监冯立在接受央视采访时表示,前几年由于NAND闪存价格上涨和缺货,市场需求下降30%以上,导致其2018年价格下滑。

而去年5月,中国闪存市场网再次指出,消费类NAND闪存价格在经历2018年大跌后,并未出现回暖迹象,截至5月20日,2019年消费类NAND闪存价格指数累积跌幅已逼近30%,消费类每GB价格跌到0.06美金。

由于存储芯片价格下滑的速度出乎市场预料,导致2019年首季包括原厂、主控厂等在内的存储厂商营收明显下滑,利润砍半甚至出现亏损的情况。

观察者网查询存储器大厂——三星电子财务数据发现,该公司去年一季度营业利润同比下滑60%。

图片来源:中国闪存市场官网

雪上加霜的是,在这种背景下,三星、铠侠等还事故频出。不得不说的是,三星电子、SK海力士、Kioxia、西部数据等企业长期占有存储市场80%以上的份额。因此,产能上出现意外事故难免影响价格走向。

去年6月15日,铠侠在日本三重县NAND闪存工厂发生跳电事故。13分钟时间里,5座厂区遭受冲击,其中3座停产月余,导致整个NAND Flash供应链受到影响,随后7月闪存市场反应强烈,价格上涨超10%。

无独有偶,今年跨年夜,三星电子华城芯片工厂发生停电事故,导致部分NAND产线和DRAM产线生产暂停,分析人士表示此次事故对三星清理库存很有利,预计其2020年利润将飙升近40%。

一周之后,铠侠再次发生火灾,NAND产线又一次受到影响。

不少网友打趣道:存储器一降价,大厂就出事故。

据TechNews今年1月报道称,NAND行业触底反弹,由于季节性不利因素和供应紧张原因,将导致2020年一季度NAND闪存价格上涨,而此次Kioxia存储工厂火灾事件或将推动NAND闪存价格再次上幅。

西数东芝宣布128层3D NAND闪存:单颗512Gb 或命名为BiCS-5

外媒报道称,西部数据(WD)和东芝(Toshiba)已经开发出了 128 层 @ 512Gbit 容量的 3D NAND(又称 TLC)缓存。 如果沿续此前的命名习惯,我们可以把它叫做 BiCS-5 。因为 BiCS-4 为 96 层,BiCS-3 为 64 层。与 BiCS-4 闪存颗粒相比,新技术额外多出的 32 层,能够轻松将容量提升 1/3、从而大幅降低制造同等容量终端产品的成本。

相关产品有望在 2020 年末投产,并在 2021 年实现量产。 由富国银行(Wells Fargo)资深分析师 Aaron Rakers 搭建的生产模型可知:

假设模具尺寸为 66 平方毫米、密度为 7.8Gb / 平方毫米,那西数-东芝将实现业内最高的 NAND 密度。换言之,只需上一代 85% 的晶圆,就能完成当前所需的供应任务。

据悉,BiCS-5 采用了阵列下电路(CuA)设计。 其中逻辑电路位于芯片的底部,数据层堆叠在它的上方。

Rakers 称,与非 CuA 技术相比,芯片尺寸可缩小 15% 。与 96 层的 BiCS-4 相比,BiCS-5 可让模具总体缩小 23% 。

将这部分空间释放之后,西数和东芝将能够利用四平面(相较于传统的双平面),将颗粒性能提升两倍。

模具分为四个平面或部分,允许独立或并行访问,吞吐量可达 132MB/s 。相比之下,三星的 110+ 层芯片,只有 83MB/s 的吞吐量。

BiCS-5 闪存颗粒能够在 1.2Gb/s 的 IO 带宽下运行,读取延迟低至 45 微秒。

此外,西数使用 4KB 页面来访问 128 层芯片上的数据,而不是行业传统所限的 16KB 标准页面。

最后,这里介绍的还只是 3D NAND(TLC)的模具。如果升级到每单元 4-bit 的 QLC,还可进一步将单芯容量提升至 682Gb 。

据悉,在上月于旧金山举行的国际固态电路会议上,东芝就已经展示过这项技术。

[via BlockSandFiles]

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