西数介绍BiCS8 2Tb QLC NAND闪存芯片：拥有业界最高密度

近日，西部数据在投资者活动上介绍了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存，这是目前业界最高密度的闪存芯片，将打造更快、更大、功耗更低的SSD。其采用了218层的BiCS8 FLASH 3D闪存技术，非常地小巧，可以放在指尖上。

据TomsHardware报道，西部数据分享了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存大量比较性能数据，称与竞争对手的闪存产品相比，功耗、存储密度和I/O性能的表现都得到了提升。一个闪存颗粒是由多个NAND闪存芯片堆叠封装而成，这意味着存储厂商使用16个新款闪存芯片堆叠，就能在单个封装中提供4TB。如果能够实现大批量生产，那么足以重新定义大容量SSD的成本。

西部数据执行副总裁兼闪存业务总经理Robert Soderbery表示，很高兴与大家分享这款芯片，设计的初衷是为了满足数据中心和人工智能（AI）存储的需求，西部数据将很快宣布这款产品，与大家分享世界上容量最大的内存芯片。

根据西部数据的说法，BiCS8 2Tb QLC NAND闪存的密度比起竞争对手高出15~19%，I/O接口速度比竞争对手快了50%，同时每GB数据所需要的程序能效比竞争对手低了13%。西部数据还介绍了制造方法，采用的是CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，单独制造每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆，然后粘合在一起，有点类似于长江存储的Xtacking架构。

业界最高密度，西部数据预览BICS8 2Tb QLC NAND闪存芯片

IT之家 6 月 14 日消息，西部数据在前不求投资者活动上预览了 2Tb 容量版本的 BICS8（218 层） QLC NAND 芯片，这也是业界目前最高密度的闪存芯片。

该存储颗粒专为满足数据中心与 AI 存储需求设计 ，可进一步降低高容量企业级固态硬盘成本，满足越来越庞大的数据存储需求。

一个闪存颗粒由多个闪存芯片堆叠封装而成，单芯片 2Tb 意味着西数可通过 16 层堆叠提供 4TB 容量颗粒 ，为未来 128TB 乃至 256TB 量级企业级固态硬盘铺平道路。

西部数据闪存业务总经理罗伯特・索德伯里（Robert Soderbery）还在这场活动上展示了 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片实物，该芯片的长度与一个指尖的宽度大致相当 ：

索德伯里表示，该闪存新品即将正式发布。

回到 BiCS8 技术上来，西部数据-铠侠此次采用了类似长江存储 Xtacking 的 CBA 技术路线，即分别制造存储堆栈和 CMOS 控制电路，最后将两部分混合键合 。

这一模式可在提升闪存读写性能的同时，有效提升闪存整体存储密度，降低运行功耗。

具体在数值层面，西数表示，BICS8 颗粒在密度上比竞争对手高出 15~19%，其中 1Tb 版本的 TLC 颗粒拥有与对手 2xxL 1Tb QLC 颗粒相媲美的存储密度 。

而在能效方面，西部数据宣称其 BICS8 闪存在编程能耗（IT之家注：原文 Program Efficiency）方面比竞争对手低 13%。

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