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nand闪存制造材料三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

发布时间 : 2024-11-25

作者 : 小编

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三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料：可降低层高和延迟

7月3日消息，据媒体报道，三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中，巧妙地在金属化工艺环节引入了钼（Mo）作为替代材料，与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。

面对钨材料在降低层高方面已触及的物理极限，三星前瞻性地转向钼，这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减，还能显著降低NAND闪存的响应时间，为数据存储领域带来前所未有的性能飞跃。 三星的这一决策，预示着NAND材料供应链即将迎来深刻的变革与重塑。

值得注意的是，钼材料的引入并非易事，它要求生产设备能够耐高温处理，将固态钼原材料加热至600℃以转化为气态，这与六氟化钨（WF6）的处理方式截然不同。

为此，三星已积极行动，从Lam Research公司引入了首批5台Mo沉积机，并规划在未来一年内再增购20台，以加速其钼基NAND的生产布局。

供应链方面，三星正与多家领先供应商紧密合作，包括Entegris和Air Liquide，以确保稳定的钼源供应。同时，Merck等公司也积极响应，向三星提供了钼材料的样品，展示了行业对新技术路径的广泛支持与期待。

此外，SK海力士、美光和铠侠等业界巨头也纷纷跟进，探索在NAND生产中采用钼材料的可行性，共同推动半导体材料的革新进程。

然而，钼材料的采用也伴随着成本的提升，其市场价格相较于六氟化钨高出近十倍。尽管如此，鉴于其在提升性能方面的显著优势，以及未来在DRAM和逻辑芯片领域的潜在应用前景，钼材料正成为众多企业竞相追逐的新宠。这一趋势预示着六氟化钨市场将面临不可避免的收缩压力，而含钼材料的市场则将迅速崛起。

三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料：可降低层高和延迟

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