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nand型闪存企业芯片战场｜美日两存储大厂谋求合并市场影响几何？

发布时间 : 2024-10-13

作者 : 小编

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芯片战场｜美日两存储大厂谋求合并市场影响几何？

南方财经全媒体记者江月上海报道 存储芯片行业中，一桩等待发起的跨国公司合并案可能将创造出全球第一大存储芯片厂商。

2023年1月以来，美国西部数据（Western Digital）着手洽购日本铠侠（Kioxia），在复杂市场行情下拖延已久。9月20日，有知情人士透露，合并方案已进入最终调整阶段，同时几家银行将向铠侠提供2万亿日元（约合140亿美元）的再融资贷款，以资助合并中的特别股息派发等事项。

进入第四季度之际，存储芯片市场正在迎来复苏曙光，给这桩收购创造了有利条件，NAND和DRAM在现货和合约市场正面临一波集体涨价，如果持续时间够长，则意味着市场重新春暖花开。

存储行业排名或更新

如果西部数据和铠侠成功合并，将超过韩国三星成为全球第一大存储芯片厂商。这也是一起将再次改变市场格局的跨国芯片并购案。

综合市场消息，双方合并后，西部数据将对新公司持股约50.5%，铠侠持股约49.5%，西部数据现任CEO大卫·戈科勒（David Goeckeler）将负责新公司的管理。

不过，两家公司至今都还没有进行官方宣布，这说明还有细节没有落实。铠侠于9月21日向南方财经全媒体记者回复称，对市场传闻无法置评，而西部数据尚未对记者查询的问题做出回复。

这桩合并案的发生背景，是已经持续了7个季度的存储芯片行业“寒冬”，铠侠正面临着“生存危机”。从2022年第四季度到2023年第二季度，铠侠连续三季陷入巨额亏损。

综合该公司财务报告，2022年第四季度的净亏损为846亿日元；2023年第一季度净亏损1309亿日元；2023年第二季度净亏损1031亿日元。上述亏损合计为3186亿日元（约21.48亿美元）。

铠侠这个名字可能不那么普及，更多电子发烧友熟悉的是“东芝”这个品牌。铠侠的前身是“东芝存储器”，乃东芝于2017年4月以NAND Flash为主的半导体事业分拆而成立，之后“东芝存储器”在2019年10月1日更名为“铠侠”。目前，铠侠以闪存和SSD为主要产品，产品线覆盖企业级、数据中心级、消费级三大类别。

从股权结构上看，铠侠也可以被认为是一家美国公司。2018年，东芝以180亿美元出售了部分股权，收购者是美国贝恩资本。不过贝恩资本代表了一个财团，财团成员包括不少半导体公司，收购完成后，贝恩资本对铠侠持股56.24%，东芝持股约40.64%。

本次发起收购的西部数据，则是美国排名前二的存储芯片公司。该公司总部位于加利福尼亚圣何塞，成立于1970年。2016年，该公司还曾按照190亿美元的估值收购闪迪（SanDisk）。西部数据在美国纳斯达克上市，按照9月20日的收盘价，市值为146.95亿美元。

产业分析师张河勋分析称，西部数据和铠侠合并或将有助于提高双方竞争力和盈利能力。一是加强硬件和软件整合能力。铠侠专注于硬件安全技术，而西部数据则在存储、计算和网络技术方面具有雄厚的实力，两者合并可以为客户提供更完整的硬件和软件解决方案；二是扩大市场覆盖范围，铠侠在亚洲市场拥有广泛的客户群体，而西部数据则在美国和欧洲市场具有很强的影响力。张河勋预计，合并后的铠侠和西部数据将会成为硬件和软件安全技术方面的领军企业，具有更强的商业竞争力，在市场竞争中更有优势。

存储芯片市场正在复苏

自从2021年末起，存储芯片市场进入了长达7个季度的寒冬期，时间之久令从业人士纷纷胆寒。直到2023年第三季度末，多方信号反映市场开始进入复苏期。

9月末，有市场消息指出，近期存储原厂的NAND Flash四季度合约价或上涨10%至20%、DRAM合约价或上涨10%，几乎都有双位数的涨幅。

今年8月初，业内就传出消息称，NAND Flash原厂三星已经在提升报价，比2023年初上涨了约15%，9月初，美光的合约报价也传出上涨10%的消息。还有龙头厂商称“先前该产品1.45美元至1.48美元的低价位，未来不会再出现了”。

9月初到9月20日的市场价格信息显示，存储器芯片现货价格正在全线走高，反映市场交投较7月底的“寒冬”有所回暖。9月19日，CFM闪存市场最新行情数据显示，在闪存晶圆（flash wafer）、DDR、消费型SSD、内存条、手机相关零组件eMMC等多个种类中，从低存储量到高存储量的各个品类报价几乎均较上周上涨。

群智咨询（Sigmaintell）执行副总经理兼首席分析师陈军于9月21日向南方财经全媒体记者表示，目前部分存储价格已经有所回升，其中高规格和高容量的存储价格回升较快。

存储芯片是芯片市场中一个占比较高的大类。据世界半导体贸易统计组织(WSTS)的最新数据，预计全球存储器芯片在2023年的市场规模约为840亿美元，占全球芯片市场规模的比例为20.36%。不过，WSTS同时指出，存储器芯片市场规模在2023年或按年下降 35.20%，到2024年恢复至1203 亿美元、按年增加43.20%。

陈军进一步向南方财经全媒体记者指出，存储巨头主要针对老制程（1X，1Y，92L，128L等）和低容量（64GB/128GB，2GB/4GB等）的产品进行调整。减少老制程和低容量产品的产能，降低整体库存水位，同步进行产品的制程升级，以此加快存储价格的反弹。

为应对市场低迷发展态势，铠侠于2022年10月启动了减产，其日本四日市和北上NAND Flash晶圆厂减产约30%。直至该公司于8月9日发布财报之际，该公司仍然表示，因行情复苏缓慢，因此将持续配合需求动向进行减产以及管控营销费用，且为了维持竞争力、将持续进行次世代产品研发以及降低成本等措施。

合并或面临阻力

近年来，半导体行业的合并、收购案屡屡受挫，对于巨头“强强联合”，反垄断呼声四起。本次西部数据和铠侠的合并，虽然尚未正式公布，但未来也或面临监管阻挠。

第一大阻力将来自反垄断监管。西部数据和铠侠本就是全球排名前五的存储器巨头，两者合并后将形成更大的“寡头”。

2023年上半年，铠侠在 NAND Flash 闪存市场的市占率约为20% ，而西部数据则是15% ，两家合计拥有35%的份额，这和三星实力相当。因此，铠侠和西部数据合并后，有望和三星竞争第一名的宝座。

在历史上，NAND Flash的上一次重大合并发生在韩国SK海力士和美国英特尔之间。2021年12月30日，两家公司同时宣布了合并的完成。当时，海力士收购了英特尔的SSD业务以及大连的NAND Flash工厂，代价是70亿美元。双方还表示，在2025年3月或稍迟时间，海力士将收购英特尔剩余NAND业务，包括和生产相关的IP、晶圆设计、研发人员和大连工厂的雇员，代价为20亿美元。

第二大阻力或来自日本自身。尽管日本半导体企业林立，包括索尼、电装、铠侠、软银、东京电气、NEC等，但制造端的产能仍不是该国强项。

近年来，在国际贸易摩擦日益加剧的情况下，各国日益重视半导体制造的本土化进程，以确保境内设计企业的供应链安全。2021年起，日本引进台积电在熊本县落地生产厂房，意图提升成熟制程产品的产能，以满足其国内汽车等产业对半导体产品的需求。

铠侠在全球存储芯片市场具有举足轻重的地位，而其前身的东芝存储器更是在1987年发明了NAND闪存技术，唯在后续全球竞争格局中逐步受到美国美光、西部数据等竞争。若将铠侠整个出售给美国企业，则意味着日本本土存储芯片产能将置于美国人话语权之下。

第三大阻力或来自韩国，因韩国在NAND等存储芯片市场上拥有两大巨头，未来西部数据和铠侠的合并企业或对这两大企业构成威胁。

根据CFM闪存市场数据，2023年二季度的NAND市场上，三星电子市场份额为30.2%，铠侠市场份额为20.0%，SK海力士市场份额为18.3%，西部数据市场份额为15.1%，美光市场份额为11.1%。这说明，如果铠侠被西部数据收购，美国公司的市占率就上升到46.1%，逼近了韩国的48.3%，这种局面将是三星和SK海力士不愿见到的。

SK海力士也可能是阻碍因素之一。2017年在收购铠侠时，贝恩牵头的财团成员包括苹果公司、戴尔、金士顿 (Kingston)、希捷 (Seagate)和SK海力士。据官方消息，海力士的部分出资是可转债，这说明在某种条件下，海力士可以以债换股，获得铠侠的股权。

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Nand Flash主要厂商及其产品

根据2020年二季度Nand Flash市场排名，三星占据31%，处于领先地位，紧跟其后的是铠侠，占比达17%。排名第三、第四、第五、分别是西数、美光、SK海力士。以下是DRAMeXchange统计数据：

电子发烧友对目前市场主要的Nand Flash厂商及其产品进行梳理，以下是具体内容：

三星

1、三星SSD 980 PRO

三星电子推出首款消费类PCIe 4.0 NVMe SSD：三星SSD 980 PRO， 980 PRO采用三星1XX层 TLC NAND闪存，以及容量分别为512MB和1GB的DRAM缓存，通过内部设计，可充分发挥PCIe Gen4的潜力。数据显示，三星SSD 980 PRO顺序读取速度最高可达7000MB/s，顺序写入速度最高可达5000MB/s。

2、870 QVO SATA SSD

三星推出了其第二代QLC闪存驱动器870 QVO SATA SSD， 870 QVO分别提供同类最佳的顺序读取和写入速度，分别高达560 MB/s和530 MB/s，借助该驱动器的Intelligent TurboWrite技术，它可以使用大型可变SLC缓冲器保持最高性能

3、eUFS 3.1

三星电子宣布已经开始批量生产用于智能手机的512GB eUFS 3.1，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，打破了智能手机存储中1GB/s的阈值。

三星eUFS 3.1连续写入速度超过1,200MB/s，是基于SATA SSD (540MB/s)的两倍以上，是UHS-I microSD卡（90MB/s）的十倍以上。

KIOXIA

1、第六代企业SAS SSD

随着其第六代企业SAS SSD系列的推出，专为现代IT基础设施设计的24G SAS将其上一代的数据吞吐率提高了一倍，同时搭载了新功能和增强功能，以达到新的应用性能水平。

PM6系列采用铠侠的96层BiCS FLASH 3D TLC闪存，可提供业界领先的高达4,300MB/s（4,101MiB/s）的SAS SSD顺序读取性能，比上一代提高了2倍以上。铠侠的新驱动器容量高达30.72TB，使其成为业界容量最高的2.5英寸SAS SSD。

2、BiCS FLASH

铠侠开发具有112层垂直堆叠结构的第五代BiCS FLASH™三维(3D)闪存。新产品具有512 Gb（64千兆字节）容量并采用TLC技术。

铠侠创新的112层堆叠工艺技术与先进的电路和制造工艺技术相结合，与96层堆叠工艺相比，将存储单元阵列密度提高约20%。因此，每片硅晶圆可以制造的存储容量更高，从而也降低了每位的成本（Bit-cost）。此外，它将接口速度提高50%，并提供更高的写性能和更短的读取延迟。

西部数据

1、SN550 NVMe SSD

Western Digital设计的控件和固件搭配最新的 3D NAND，可始终如一地提供优化的性能。

2、iNAND MC EU521

西部数据宣布率先基于UFS 3.1规范协议推出iNAND MC EU521嵌入式闪存产品，新增多项功能，并进一步提高速度、容量、降低功耗，再加上11.5x13x1.0mm小型封装尺寸。西部数据表示，iNAND MC EU521将在3月份上市，采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度。

美光

美光的下一代 M500 固态硬盘采用 Micron 20 nm MLC NAND 闪存、SATA 6 Gb/s 接口，具有行业标准 512 字节分区支持功能、热插拔功能以及功耗极低的器件休眠模式，并满足 ATA-8 ACS2 指令集规范要求。

SK海力士

Intel 突然宣布以 90 亿美元（约 601 亿）的价格将旗下的 NAND 闪存业务出售给了 SK 海力士，后者有可能成长为新的全球第二大闪存公司，SK海力士推出Gold P31系列SSD新品，是全球首个基于128层NAND闪存的消费者SSD。Gold P31采用的是128层TLC，PCIe NVMe Gen3接口，读取速度最高达3500MB/s，写入速度最高达3200MB/s，以满足长时间游戏的游戏玩家以及对性能和稳定性有较高要求的专业创作者和设计师。

英特尔

Intel基于144层3D QLC闪存Arbordale Plus，容量将比Intel目前的96层产品提升50%。

长江存储

128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

长江存储表示，X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速率。

旺宏

Macronix在2020年下半年生产48层3D NAND存储器。公司计划在2021年和2022年分别推出96层3D NAND和192层3D NAND。目前，该公司用于制造NAND的最先进技术是自2019年2月开始使用的19纳米平面技术，这款NAND Flash的第一个客户将是任天堂。

华邦

1、QspiNAND Flash

华邦提供了一系列相容于SPI NOR接口的QspiNAND产品，华邦的QspiNAND系列产品内建了ECC的功能，而且也能提供了连续好”块”的QspiNAND，这些都能让使用者并不需要额外的控制器。

2、OctalNAND Flash

全球首款采用x8 Octal接口的NAND Flash—华邦OctalNAND Flash产品可望提供车用电子与工业制造商高容量的储存内存产品，华邦电子首款采用全新接口的NAND产品，1Gb W35N01JW，连续读取速度最高可达每秒240MB， W35N-JW OctalNAND Flash采用华邦通过验证的46nm SLC NAND制程，提供卓越的数据完整性，且数据保存期更可达10年以上。此产品写入／抹除次数(Program/Erase Cycle)可达10万次以上，可符合关键任务型车用与工业应用所需的高耐用性与高可靠性。

兆易创新

GD5F4GM5系列采用串行SPI接口，引脚少、封装尺寸小，相比于上一代NAND产品，大大提升了读写速度，最高时钟频率达到120MHz，数据吞吐量可达480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供电电压，能够满足客户对不同供电电压的需求；同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择。

北京紫光存储

北京紫光存储Raw NAND颗粒是符合业界标准的闪存产品，适用于各类固态存储解决方案。Raw NAND颗粒需要搭配闪存控制器使用。全系采用业界领先的3D TLC闪存芯片。支持ONFI 4.0，最高读写支持667MT/s。采用业界领先的3D TLC闪存芯片，相比2D闪存芯片单位面积下容量大幅提升。

北京君正

公司Flash产品线包括了目前全球主流的NOR FLASH存储芯片和NAND FLASH存储芯片，其中NAND FLASH存储芯片主攻1G-4G大容量规格。

ISSI 系一家原纳斯达克上市公司，于 2015年末被北京矽成以7.8亿美元私有化收购，之后北京君完成对北京矽成100%股权收购。ISSI Introduces SLC NAND高性能4Gb SLC NAND主要用于嵌入式市场，能够满足工业、医疗，主干通讯和车规等级产品的要求，具备在极端环境下稳定工作、节能降耗等特点。

东芯

东芯串行NAND Flash产品为单颗粒芯片设计的串行通信方案，引脚少和封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，带有内部ECC模块。使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，提升了稳定性，也让其在成本上也极具竞争力，且提升了性价比。产品分为3.3V/1.8V两种电压，不仅能满足常规对功耗不敏感的有源器件，也使其在目前日益普及的移动互联网及物联网设备中，有足够的发挥空间。产品拥有多种封装，可更灵活的满足很多应用场景，比如常规的光猫，路由器，网络摄像监控，物联网及智能音箱等。