三星第9代V-NAND金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术

IT之家 7 月 3 日消息，根据韩媒 The Elec 报道，三星在其第 9 代 V-NAND 的“金属布线”（metal wiring）中首次尝试使用钼（Mo）。

IT之家注：半导体制造过程中八大工艺分别为：晶圆制造、氧化、光刻、刻蚀、沉积、金属布线、测试和封装。

其中金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件，形成不同的半导体（CPU、GPU 等），可以说是“为半导体注入了生命”。

消息人士称三星公司已从 Lam Research 公司引进了五台 Mo 沉积机，此外还计划明年再引进 20 台设备。

除三星电子外，SK 海力士、美光和 Kioxia 等公司也在考虑使用钼。和现有 NAND 工艺中所使用的六氟化钨（WF6）不同，钼前驱体（molybdenum precursor）是固态，必须在 600℃ 的高温下才能升华直接转化为气态，而这个过程需要单独的沉积设备。

三星今年 5 月报道，已经启动了首批第九代 V-NAND 闪存量产，位密度比第八代 V-NAND 提高了约 50%。

第九代 V-NAND 配备了下一代 NAND 闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入 / 输出速度提高 33%，最高可达每秒 3.2 千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。

铠侠产能利用率已回升至100%，本月将量产218层NAND Flash

7月4日消息，据日经新闻报道，受益于AI热潮及市场需求的反弹，日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）的产能利用率在今年6月已经回升至100%水平，并且其位于四日市的工厂将今年7月内量产218层NAND Flash产品。

报道称，受智能手机等终端需求低迷影响，铠侠自2022年10月起持续实施了减产措施、减产规模一度超过30%。现在随着市场需求的恢复，铠侠的产能利用率也已回到了100%满产。同时，为了应对生成式AI及大数据存储的需求，铠侠即将在今年7月量产218层堆叠的NAND Flash芯片，与现有产品相比，储存容量将提高约50%、写入数据时所需的功耗降低约30%。

值得注意的是，铠侠之前宣布，将携手西部数据（Western Digital）投资7,290亿日元量产先进闪存产品，位于北上工厂厂区内的新厂房将在2025年运转。日本经济产业省最高将补助2,430亿日元。

编辑：芯智讯-浪客剑

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