q200nand NOR Flash主要厂商及产品-资讯-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

q200nand NOR Flash主要厂商及产品

发布时间 : 2025-03-19

作者 : 小编

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NOR Flash主要厂商及产品

一、2020第一季NOR Flash厂商市占排名

据集邦咨询2020第一季NOR Flash厂商市占数据，NOR Flash营收市占第一是旺宏，其制程在业界相对领先，目前采用55nm制程生产，月产能约在20K左右。由于该公司NOR Flash产品线完整，从低容量至高容量齐备，尤其看中未来5G基站的商机，512Mb的NOR Flash将是旺宏生产的主要产品之一，为产业当中少数提供大容量的解决方案。

排名第二的华邦电紧追在后，目前是使用58/90nm制程，每月产能约在18K。

排名第三则是中国的兆易创新，近几年无论在产品质量与产出量方面都有明显跃进，甚至拿下Apple的AirPods订单，其研发实力已被肯定，月产能约9K，分别在中芯国际（SIMC）与华力微投片生产。值得注意的是，兆易创新集团与长鑫存储（CXMT）有紧密合作，意味着兆易创新集团同时握有中国NOR Flash与DRAM的自主研发能力，扮演中国半导体发展的重要角色。

二、NOR 市场增量来源

带动NOR Flash市场增量的原因主要有以下三点，首先，TWS近几年出货量上升，2020E年TWS耳机出货量接近250百万副。

其次全球智能手机面板与OLED也是带动增量的重要原因， 2020E年智能手机出货量达到1788百万台，此外，AMOLED出货量达到715.2百万颗，带动NOR 市场增量443.42百万元。

AI-IoT的高速发展也为NOR市场增量助力，带动增量2600.78百万元。最后，5G的普及率提高，成为NOR市场增量的主要推手，其贡献市场增量达6011.84百万元。

三、NOR主要厂商及产品

电子发烧友梳理了NOR Flash主要厂商及其产品，其中旺宏、华邦、武汉新芯等厂商在NOR Flash领域占有重要地位，英飞凌收购Cypress后，其Serial NOR Flash产品运用于汽车导航与娱乐系统。此外，国内的兆易创新NOR Flash营收排在第三位，具有研发、生产、销量NOR相关产品能力，具体详情见下表。

旺宏

旺宏电子从512KB到256Mb的密度在一个8-pin SOP（采用150mil，200mil）或16引脚SOP封装（300 mil）的串行闪存产品。这些设备，在X1组织提供，支持读取，擦除和编程操作。这些产品采用串行外设接口（SPI）协议。旺宏串行闪存不仅有利于系统的硬件配置，但也降低了系统设计的复杂性。我们的操作过电压范围为2.7V至3.6V 3V产品。现在可从512KB到256Mb的所有产品。

此外，旺宏电子与双I / O和四I / O操作，它的两倍和四倍读取性能到300Mbits/second的高端消费类应用，还提供了高性能的串行闪存产品。在时钟的上升沿和下降沿触发，DTR（双传输速率）模式，进一步提高读取速度400Mbits/second。多个I / O产品提供容量为8MB及以上。旺宏电子也提供了一系列低电压，1.8V和2.5V的双I / O和四I / O接口的串行闪存产品。

旺宏电子为3V，1.8V和5V的行业标准并行快闪记忆体产品提供了一个广泛的产品线，从2Mb到1Gb密度。这些产品具有引导和统一的部门架构在x8，x16，和x8/x16可选配置。旺宏快闪记忆体，为客户提供符合成本效益，高性能和可靠的产品，提供低功耗，高耐用性和可靠性。

旺宏电子3V并行闪存产品都可以在两个的版本：MX29LV系列（标准的读访问）和MX29GL MX68GL系列（页面模式访问）。旺宏电子还提供了1.8V以下并行闪存产品：MX29SL（标准访问），MX29NS（突发模式下，AD-MUX），和MX29VS（突发模式，同步读写，AD-MUX）。

提供8位、16位、8位/16位可选的数据传输方式。电源电压有5V，3V和1.8V。MX29GL系列产品提供先进的页模式接口，在读访问和编程操作上都进行了优化，用户可以使用页模式连续读取多个数据。

华邦

1.2V Serial NOR Flash

华邦推出支援最新业界标准低电压1.2V，且能支援dual、quad SPI 和Quad Peripheral Interface (QPI) 的NOR Flash是前所未见的。W25QxxND 1.2V系列产品跟既有3V和1.8V的闪存产品具有相当的操作效能，且能进一步的节省功耗。对于由电池供电且设计空间有限的装置，像是行动装置、物联网和穿戴式装置，和对于需要省电且低功耗的闪存，W25QxxND 1.2V系列产品提供2mm x 3mm USON8、narrow 150mil SOP8、6x5mm WSON 8-pin封装和KGD (Known Good Die)。1.2V系列产品可延伸操作到1.5V，利用单颗干电池即可运作，不像一般需将两个电池串联到3V才可操作的设计。

2、W25X 与W25Q

台湾华邦的W25X 与W25Q SpiFlash® Multi-I/O记忆体支援通用的SPI介面，容量从512Kb 到 512Mb，具有小容量分割的可擦除区块与业界操作效能。W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式，相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。

W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式，相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。W25Q系列是25X系列的进阶版，可支援Quad-I/O SPI四线输出入模式提供更高的效能，操作频率104MHz同等于416MHz(50M-Byte/S传输率)，相当于是一般单线SPI操作的4倍效能。W25Q系列不但效能超过Parallel flash，还提供更少脚位的封装。

更快的传输率代表控制器可以直接透过SPI介面与闪存做晶片内执行(XIP, eXecute In Place)，或是加快复制代码到RAM使开机速度加快。除此之外，部分SpiFlash®支援QPI (Quad Peripheral Interface)让指令集可更快的传输，加快XIP的传输效率。另外更小的封装，更利于对设计空间有限的手持和行动装置应用。

武汉新芯

武汉新芯推出50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。该产品系列支持低功耗宽电压工作范围，适用于物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用产品设计方案。

XM25QWxxC系列产品的读速在1.65V至3.6V电压范围内可达108MHz（在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持），提供比其他供应商更快更强的性能，在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢。其传输速率优胜于8位和16位并行闪存。在连续读取模式下可以实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的XIP（execute in place）操作。

XM25QWxxC系列flash芯片支持SOP8和USON8封装，适用于便携式产品设计。

XM25QH256B

单一电压供应，电压：2.7V至3.6V，用于快速读取操作最高为133 MHz，灵活的存储体系结构，扇区大小：4K字节

兆易创新

GigaDevice 提供超低功耗闪存系列，具有零深度待机电流

GIGADEVICE 提供 GD25WD 系列，具有零深度待机电流和低有源读取电流，适用于低功耗应用。GD25WD 系列亮点包括零待机电流和 1.65 V 至 3.6 V 的宽电压范围。128 位唯一 ID 功能还为低功耗应用提供增强的安全性。电压为1.65 V 至 3.6 V，密度为512 Kb ~ 8 Mb，采用单/双 SPI接口，双 SPI 数据传输速率高达每秒 160 Mb，还有灵活的内存架构（扇区大小：4K 字节，块大小：32/64K 字节），高可靠性，20 年数据保留和 100,000 次编程/擦除周期。

Micron

Micron Technology 串行 NOR 解决方案专为满足消费电子、工业、有线通信和计算应用需求而设计。Micron 的行业标准封装、引脚分配、指令集和芯片组兼容性易于为设计采用，节省了宝贵的开发时间，同时确保与现有和未来设计的兼容性。

多 I/O（单、双和四通道）串行 NOR 线路具有吸引人的读取性能（高达 54 MB/s）、灵活的存储器分区（均匀 64 KB 和 4 KB）、小型封装尺寸以及宽封装支持。N25Q 基于 65 nm 技术，采用 1.8 V 和 3 V 电源供电，也提供汽车级版本。N25Q 可兼容 M25P 和 M25PX 系列。

英飞凌

对于专注于保护信息和维护系统完整性的客户来说，拥有安全的连接系统是头等大事。随着系统越来越依赖外部NOR Flash来保护连接系统中的代码和数据，对内存中添加高级密码安全性的需求也越来越大。英飞凌表示，它的Semper Secure NOR Flash架构为其功能安全的Semper产品添加了一个安全子系统，以实现端到端的持久保护，并有效地保护系统不受损害。

Semper Secure NOR Flash系列包括AEC-Q100汽车认证设备，扩展温度范围为-40°C至+125°C，支持1.8-V和3.0-V工作范围，并提供128 Mb、256 Mb和512 Mb的密度。Semper Secure NOR Flash的设计完全符合ISO 26262标准，并符合ASIL-B标准，可用于ASIL-D之前的系统中。实施的EnduraFlex架构通过优化高耐久性或长数据保留分区简化了系统设计。设备提供四串行外围接口（SPI）、八进制SPI和hybibus接口。八进制和超总线接口设备符合用于高速x8串行NOR闪存的JEDEC扩展SPI（xSPI）标准，并提供高达400mbps的读取带宽。

恒烁

恒烁半导体可提供具有通用SPI接口的Flash存储器，主要产品为1.8V工作电压的ZB25LD/ZB25LQ系列，3.0V工作电压的ZB25VQ/ZB25D系列，以及1.8/3.3V宽工作电压的ZB25WD/ZB25WQ系列。可供选择的容量大小为1Mbit到256Mbit。

配合最高133MHz的工作频率，和标准、双口和四口的工作模式，恒烁半导体的SPI NOR Flash产品可支持高达到（Dual）266MHz和（Quad）532MHz的数据交换速度。

恒烁半导体SPI NOR Flash产品的静态电流最低至1uA，数据保持时间20年，擦写次数可达10万次，工作温度范围-40℃～105℃。产品具有可靠性高，功耗低，和先进的安全特性，应用范围涵盖了DVD/CD drives，STB，DPF，Desktop和Notebook PC，DVD Recorders，WLAN，DSL，LCD Monitors，Flat Panel TV，Printers，GPS，MP3等等。

复旦微电子

复旦微电子拥有丰富的NOR Flash设计经验，现可提供通用SPI接口Flash存储器:2.3V~3.6V工作电压范围的FM25F/FM25Q系列及1.65V~3.6V款工作电压范围的FM25W系列。产品具有高可靠性及高安全性，应用范围涵盖了手机，网通、安防，PC，物联网，显示面板，办公设备及工控产品等。

产品特性：

● 容量: 0.5Mbit到256Mbiit

● 多种接口模式：SPI，Dual SPI，Quad SPI，QPI

● 工作电压：1.65V-3.6V（FM25WXX），2.3V-3.6V(FM25FXX/FM25QXX)

● 可靠性：数据保持时间20年，擦写寿命10万次

● 小型化封装：SOP8(208mil)，SOP8(150mil)，DFN8，WLCSP

● 安全特性：硬件写保护，32Byte安全扇区，128bit UID

中天弘宇

中天弘宇集成电路有限责任公司拥有丰富的NOR Flash设计经验，现可提供通用SPI接口Flash存储器，工作电压在1.08V~3.6V的范围。产品具有高可靠性及高安全性。

产品特性：1）很小的单个bit颗粒，面积可达4F² 2）规划产品容量256Mbit到4Gbit 3）接口模式：SPI，Dual SPI，Quad SPI , DDR 4）工作电压：1.08V-3.6V 5）可靠性：数据保持时间20年，擦写寿命10万次 6）小型化封装：SOIC，VSOP , WSON, USON, PDIP

东芯

东芯串行NOR FLASH系列产品可提供具有通用SPI接口不同规格的NOR Flash，容量从2Mb到256Mb，3.3V/1.8V两种电压，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式以及多种封装方式，可适应多种应用场景。专注在中小容量，性价比高，广泛应用于对存储空间需求不高的设备中。

芯天下

芯天下技术提供业界标准的25 系列串口NOR Flash产品，小型化封装、多容量选择，兼容的指令集，宽电压和高可靠性全面覆盖消费，通讯、工业和个人电脑等应用领域。

1．超低功耗，深度睡眠电流典型值低至 60nA；2．BP位保护、OTP保护、独立block区域保护确保代码安全；3．高可靠性，确保10万次擦写，数据保存时间长达20年；4．支持 1.65~2.1V, 2.7~3.6V, 1.65~3.6V 宽电压，容量1Mb~1Gbit；5．DFN 1.2x1.2x0.40mm，2x3x0.40mm，4x3x0.55mm 等小尺寸封装；6．提供 KGD 产品与服务支持SiP合封需求。

时代芯存

产品概况和性能参数介绍：采用先进的40纳米CMOS工艺制程，芯片尺寸13.74 mm2，存储数据前无需进行擦除动作工作电压+1.8V—+3.6V，SPI接口，最大工作频率133MHz。

产品可靠性参数介绍：产品耐擦写次数大于10^5次，强大的抗辐射性能，25℃数据保存时间20年，工作温度-40℃—+85℃，2kV ESD防静电保护能力。

扬贺扬微电子科技

NOR Flash系列的2M（HY25D02IEIAAG）和4M的HY25D04IEIAAG采用的都是USON 2x3mm工艺，8M、16M、32M、64M、128M系列都采用的是SO-8 208mil。

工作电压范围是2.7至3.6V，工作温度-40℃—+85℃。

芯泽电子科技

芯泽电子科技可提供具有通用SPI接口的Flash存储器，主要产品为ZD25Q和ZD25LQ系列，工作电压为1.8V和3.3V，可供选择的容量大小分别为2Mbit到128Mbit，最高支持105MHz的工作频率，可在双口和四口模式下工作，芯泽电子SPI NOR Flash产品的静态电流最低至1uA，数据保持时间20年，擦写次数可达10万次，工作温度范围-40℃～+85℃。产品具有可靠性高，功耗低，和先进的安全特性，应用范围涵盖了DVD/CD drives，STB，DPF，Desktop和Notebook PC，DVD Recorders，WLAN ，DSL，LCD Monitors，Flat Panel TV，Printers，GPS，MP3 等等。

豆萁科技

豆萁科技SPI NOR FLASH系列产品遵循国际JEDEC标准中关于接口及控制模式的规定，按照JEDEC相关标准进行严格测试。公司采用先进设计技术，优化存储单元的读写操作，实现低功耗和高性能：运行速度快，支持多种擦写模式，擦写次数高达10万次，数据可保存20年以上。通过与上下游密切合作，提供SOP，VSOP，TSSOP，DIP, WSON, BGA，USON等多种封装形式以满足在消费类、工业级和医疗电子等多种应用领域需求。

博雅科技

目前，正在研发的3.0V及1.8V，512 Kbit～256 Mbit高端通用芯片系列产品属国家重点鼓励发展的核心芯片，代表性产品SPI串行闪存已经完成研发设计，性能参数指标已全面通过客户的验证，进入大规模量产阶段。博雅BY25Q128AL工作温度范围为-40至+85℃，采用VSOP8 208mil封装，容量为128M。

新旧三代显卡大PK！全方位评测及升级建议！

#我的显卡# 三代平台+三代显卡大混测——新装机和老平台升级的不完全参考指南

看看自己的配置先：775时代的顶尖四核，二手的280X，因为主板坏了新购入的Z170D3+i7规格ES版CPU，办公室的i5品牌机自带R7 350，给朋友装的新机器Z170+GTX1070。嗯。那么不妨我自己来一个混搭测试好了。一来看看老平台是不是宝刀未老，二来看看新显卡到底比老显卡提升了几成功力。

三代平台

P45（2009），Q87（2013）， Z170（2015）。那么首先按照年代顺序，把三代平台分别简介一下：

平台A--老旧平台

平台基础：主板华硕P5Q PRO（P45），LGA775，CPU Intel Core2 Q9550，内存 2X2G DDR2-800。

P45

典型的775豪华配置，Q9550的某些性能测试跑分，甚至超过前几代的i5某些型号，可见依旧属于宝刀不老。只可惜主板芯片组年代久远，很多新特性比如SATA3，USB3都不支持，在使用的某些时候不免感觉力不从心。而且由于整体平台较老，即便我已经升级了SSD，在体验上，与同样装备同款SSD的新平台比总有慢半拍的感觉。对于页面元素较多的网页，如FLASH，在线视频播放，反应也会感觉慢半拍，这大概是多媒体指令集没有新产品丰富，不能够快速处理的关系。

平台B--近期平台

平台基础：主板联想Q87，LGA1150，CPU Intel i5 4590，内存 2X4G DDR3-1600。

Q87

Q87基本上可以和Z87划等号，因为定位商用领域，所以一些相关认证只有Q87支持，两者互有细微差异，不过日常使用是没有太大差别的。i5 4590如果不熟悉，那么它的同辈兄弟E3v3系列的名声应该是无人不晓了吧。E3 1230v3，甚至因为E3在卡吧等装机党的网络圣地口口相传，价格至今依然坚挺。甚至intel的也看到了它的巨大威力，以至于让intel终于狠心，最新一代的E3处理器已经无法搭配普通芯片组主板了。那么说到底i5 4590和同频率的E3 v3相差几何呢？从规格上来看i5是四核心四线程，E3是四核心八线程（后期某些型号有四核四线程版本），那么在适应多线程的应用领域i5 4590落后于同频率的E3。根据网络上i5 E3之争，讨论的一些帖子里反应：日常应用，游戏，差别并没有能感受到，唯一能直观感受到的就是E3的跑分比i5高了那么一些。

平台C--当下主力平台

平台基础：主板技嘉Z170X-Gaming 6，LGA1151，CPU Intel i7 ES（2.4-3.4GHz），内存 2X8G DDR4-2333（3200XMP）。

这个平台是上个月赶着促销，帮朋友搭配出来的，主板是当下intel挑大梁的Z170芯片组，至于为啥选了Gaming6，只能说当时脑子有点抽，其实应该稍微降低一些价格，选个一线品牌千元档次就够用了，省得钱可以补贴到其他更重要的配件上，比如CPU。当时如果规划的更好一些，就不用ES版本的U了，毕竟频率性能还是有差异，尤其是这个U存在核显不稳定和缺少PCIE3支持这两个快要了命的缺点。自我批评完主板和CPU选择之后，只有内存还算让我满意了。大妈推荐过的天猫商家，DDR4 3200XMP内存。现阶段算是一步到位的选择吧。另外一个考虑就是既然是DDR4了那么就要和DDR3拉开差距，市面上能买到的DDR3开启XMP已经达到了2400甚至更高（等于DDR4）的频率了。如果再入DDR4 2400岂不是有点无法体现先进性。

无巧不成书，三代平台正好对应了三代内存，都是各自时代较有代表性的频率，容量也及其符合时代特征。

三代显卡

R7 350；R9 X280；GTX 1070。下面简要介绍一下。

显卡A 入门级别

R7 350。本卡是品牌机自带的显卡。属于比核显和亮机卡高一个档次吧。日常网游经过我多日玩坦克世界和英雄联盟的感受还是完全没问题的。这一级别的显卡多是单插槽设计，长度也多为不到20CM，通用性相对较强，不用考虑主板或者机箱的空间问题。但是此类显卡的数据接口一般较为单一，本次测评的R7 350就仅有VGA和HDMI插槽。

显卡B 中端级别一千元

R9 200系，印象中是诞生在那个疯狂挖矿的时代。R9 280X这款老马家曾经好多二手货，这就是其中一个。总的来说功耗没那么夸张，性能能够让人基本满意。这一档次的显卡因为散热与静音的平衡，多用双插槽，多热管，多风扇方案。长度已经普遍超过20cm。这时有必要考虑机箱和主板的空间以及干涉问题。不过这一级别的短卡也很容易找到，装机升级不会是问题。另一点就是此级别显卡往往开始加入6pin显卡供电接口，需要考虑电源的供电和接口问题了。

年初还在狗东见过这个卡，现在已经没有了。

显卡C 高端级别三千元

Nvidia GeForce GTX1070，目前当之无愧的次旗舰。性能高端价格相对合理，让他成为更明智的选择。高端卡理所应当的体积也高大上，长度接近30cm都是常规。根据显卡的供电不同会出现多种辅助供电方案如6+6pin 6+8pin 8+8pin，这就需要在选购显卡的同时也要关注电源的匹配，主要是功率的匹配和显卡供电接口的匹配。机箱也要关注，不是所有机箱都可以轻松放下30cm的长显卡；不过最近情况有所好转，新出的机箱普遍显卡位都可以容下长显卡了，而且前置面板处也增加了风扇位，能够一定程度上辅助显卡降温，大家选购时可以关注一下。

目前配备1070核心的显卡差价还是挺大的，大家还是按照品牌，性能，和票子多考虑。不着急的可以期待一下双11有更好的价格。

这里让我们先来看一下天梯图，直观的感受一下三个显卡的性能差异，大概水平，以及竞争对手。至于图中显卡档次级别划分和我的有所不同，这个大家看个意思就好。

天梯图显卡

来个合影吧。

中高端卡接口都很丰富，HDMI，DisplayPort，DVI，都有。这里要注意的是GTX1070已经不支持DVI转VGA了。

其实中间有个断档，空缺了两千元级别的中高端显卡。这个原因是这样的：目前2k级别显卡处于一种新老交替的时期，新卡还未大量上市，老卡也没完全清仓。那么在这个级别选择新卡还是老卡呢？答案是肯定的，新卡。因为新卡支持更多新的特性，比如VR。好吧，其实是因为我在测试最后才想起来，朋友那里有个GTX970可以借来测两天，但是懒癌犯了。

终极大混测

测试方法

用三种显卡分别搭配三种平台进行完全交叉测试。既，A显卡插接ABC三个平台各测三次，B显卡插接ABC平台各测三次，C显卡插接ABC三个平台各测三次= 3 X 3 = 9种组合，9轮测试。

测试选用程序

AIDA64展示显卡详细参数。运行内存与缓存测试，展示平台综合性能。运行GPGPU测试，展示GPU运算能力。系统稳定性测试，监视CPU占用率和温度变化。

CPU-Z展示CPU主要参数。

GPU-Z展示显卡主要参数。

3Dmark11运行P档和X档两档测试。每档测试都有6个场景组成，其中1-4为显卡性能测试，5为CPU测试，6为综合性能测试。

3Dmark运行Fire Strike和Fire Strike Ultra两档测试。思路与3Dmark11相同，同样分为显卡性能测试，CPU测试，综合测试这三类。但是作为11的加强版，这一版本的特效需要显卡进行更为复杂的运算，能够更进一步榨干显卡潜能。

测试选用游戏

街头霸王4性能测试专版 。设置1080p分辨率，4XAA，其他设置如图。街霸4作为老游戏代（5年以上）表主要体现显卡DX9性能。

街霸4参数

街霸4测试画面

测试程序运行速度根据实际帧数有快有慢，如果显卡给力帧数超高，那么测试过程的耗时将会缩短。共三个战斗场景，一个人物合集场景。

尘埃3 。设置1080p分辨率，4XAA，最高特效（游戏中为Ultra）。尘埃3会自动判断机器是否支持DX11，否则会以DX9运行。在此选择它作为中期游戏的代表（5年内）。

尘埃3参数

尘埃3测试画面

测试过程大约是一个一分钟出头的赛程，要点有雪地，前车激起的雪花，光影，车身倒影等。每次测试都是固定场地，随机线路，半路甚至有AI会出事故。

奇点灰烬 。设置1080p分辨率，4XAA，最高特效（游戏中为crazy疯狂）。作为新游戏的代表（2年内），这是最近两年难得的即时战略游戏。大场面，多单位，对于显卡和CPU的综合能力都有较高的要求。奇点分别有DX11和DX12的启动程序，可以自行选择以何种DX版本运行。

起点灰烬参数

起点灰烬测试画面

测试场景主要都是上图所示的战斗画面，有大场景，中等场景，小场景，飞行器近景等。

平台基础性能

P45+Q9550

作为intel早期四核的尝试，这款处理器被戏称为胶水4核，这是因为它其实是2个双核处理器组合而成。从下面CPU-Z的数据，二级缓存是2X6m就可以看出来一些端倪。

Q9550

由于是DDR2的内存，系统总线速度也并不高。内存读写仅仅是几千MB的水平。缓存速度倒是上百GB，但是和下面的i5 i7es比起来，还是差得远。

P45 Q9550

Q87+i5 4590

下面就是经典的Haswell平台了。i5 4590典型的中端货，装机量比较大。标准频率有3.3GHz。睿频可以达到3.7，算是不低的频率了。

由于DDR3的加持，内存读写均达到了万兆水平。内存延迟也进一步降低。CPU内部的缓存速度比起老迈的Q9550更是飙升了N倍。

Q87 i5

Z170+i7 ES 2.6-3.4GHz

四核八线程，8MB大缓存，难道i7规格就这么便宜送了？没那么简单，这颗ES版本CPU问题可不是一点点，首先就是频率不高，标称只有2.6，睿频能上3.4。这不太符合一般CPU的睿频模式，一般情况下睿频的频率只是比标称频率高0.3-0.4GHz。其次，集成的核显有问题，部分主板装了核显驱动之后可能反而会黑屏。再次，也是相对关键的一点，这个PCIE的功能是有问题的，无法支持到3.0，只有2.0。这在某种程度上可能会影响显卡的性能发挥。

i7es

在内存缓存测试当中发现了一个问题，数据居然全是0，大概也是一些内部缺陷引起的。这也影响到了后面使用Z170+ES CPU的GPGPU测试。

Z170 i7es

换用了一个老版本，终于跑出来一些数据，但是三级缓存速度还是没能跑出来。不过还是能够看到DDR4在速度上有所提升，但是没有达到翻倍的情况。CPU内部的缓存速度也小有提升，不过因为i7es的频率并没有达到正规的零售版i7，所以性能提升不十分明显了，大概只相当于六代i5的水平吧。

Z170 i7es

内存缓存测试成绩不完全汇总对比图

上图可以直观的对比出三代平台的差别了，虽说intel现在也开始挤牙膏，不过还是代代有提升，尤其新平台对于老平台的优势还是非常非常非常巨大的。

CPU-Z中最明显的差异就是指令集部分了。后面的i5和i7es比Q9550多出不少。这些新的指令集对于日常应用中的多媒体处理，和数据处理有着极大的辅助作用，就像背熟了九九乘法口诀表，很多问题上来一眼就能解决。

显卡基础参数

R7 350

GPUZ 350

AIDA64 350

R9 280X

GPUZ 280X

AIDA64 280X

GTX1070

GPUZ 1070

AIDA64 1070

显卡基本信息不完全汇总

对于芯片来说最重要的差异就是工艺制程，16nm的GTX1070在带来更高性能的时候，降低了功耗，核心面积也做到更小。同时我们也看到显卡的性能最直接的和芯片有关系，在工艺制程相等的前提下，核心面积越大，性能越高。

显卡混搭测试

这里为了连贯性和阅读的便利，仅展示测试数据及截图，数据分析将在下一环节进行。

R7 350

P45+R7 350

Q87+R7 350

Z170+R7 350

R9 280X

P45+R9 280X

Q87+R9 280X

Z170+R9 280X

GTX1070

P45+GTX1070

Q87+GTX1070

Z170+GTX1070

STEAM VR 性能测试

最后考虑了一下还是多花了点时间，增加了VR性能测试，选用STEAM的VR性能测试工具。运行测试后，讲的大概是这么一个故事：损坏的机器人到维修间进行检修。

下图为280X的测试结果。仅仅得到了兼容的评级。VR性能处于中低水平。老显卡想要体验VR可能需要降低画质才能流畅了。

下图为GTX1070的VR性能测试。测试曲线可以看到始终处于很高的状态，说明对VR特性支持的非常好，能够带来超棒的VR体验。新卡的优势往往就是在对于新技术的强大支持上。

VR测试1070

孱弱的R7 350并没有参与测试，通过280X的成绩应该也能看出，性能低于280X数倍的350完全不能胜任VR体验。

大混测数据探秘

经过一番测试，把数据筛选汇总到一起，下面我来带大家一起探秘究竟那些数字意味着什么。

软件测试数据筛选汇总分析

从挑选出来的跑分数据里，可以认为PCIE接口的版本，对于显存传输有一定的影响，其中影响最大的就是显存的读取速度。在显存复制测试中，不同平台几乎对数据没有任何的影响，可以认为显卡内部的显存数据复制和外部没有关联。在显卡的三平台三项对比中，可以看到相同的显卡，在不同平台的表现，几乎是一致的，所以决定游戏性能高低的首要因素还是显卡核心，其他的因素都要靠后站。

游戏基准测试数据汇总分析

由于在P45平台上奇点灰烬的DX12出现闪退情况，无法完成测试。故P45平台放弃DX12测试。以下为游戏基准测试成绩筛选汇总图表。

R7 350从以上图表数据可以看到，其表现十分稳定，在新老平台都没有明显的帧率起伏。经过合理设置跑一跑中老年单机游戏完全没问题。但是奇点灰烬个位数的帧率，已经说明它完全不能够胜任新近游戏的流畅体验。

R9 280X在不同平台表现差异较大。同款游戏，平台越新，表现越好。这一点在奇点灰烬测试中表现的最为明显，可以看到在P45这种上古平台上，与新平台有明显落差。说明了平台整体性能影响中端显卡的游戏性能。在Z170和Q87这两个平台上，也能看出新平台稍有优势，但是领先非常的小。

GTX1070的图表所呈现的趋势与280X完全一样。新平台上表现明显要优于老平台。但整体性能比280X有进一步的提升，且提升较大。可以看到在街霸4有近100fps的提升，尘埃3也有近50fps提升，奇点灰烬更是得到了比280X将近翻倍的fps提升。GTX1070对于新近大型单机游戏的支持更好。

游戏基准测试时附加的CPU占用率测试看起来也有点意思，R7 350无论在何种平台，CPU看起来都是不怎么出力，这也许和整体帧率偏低有关系。在P45这种老平台上测试280X和1070的时候可以明显的看到CPU占用率有时长期高于50%，甚至达到90%以上，这已经说明了P45平台已经对中高性能显卡有了瓶颈。在i5和i7ES这两个平台上，几乎可以说CPU占用情况是相近的。有高的时候，但大多都在50%和更低位置。只有奇点灰烬这种新近的大型单机游戏能够再度把i5 i7ES的占用率拉高。期待有更新的游戏不单充当显卡杀手，也充当一次CPU杀手。

简单结论

平台

老平台

升级中高端显卡意义其实不大，但对于不希望花钱完全买新机器的朋友来说，简单升级个低端显卡，加装SSD，也可以更好满足日常娱乐和常见网游需要。

近期平台

如果感觉游戏流畅度和特效不给力，那么升级一下显卡是个绝佳的选择。主要推荐选择中端以上级别的显卡。

当前平台

虽然与近期平台的差距没有拉开很大，但是毕竟是新平台，它是综合性能的优势保持者。搭配更好的显卡可以发挥出更好性能，得到最佳体验。

显卡

入门级

适合大多数网游，能够在中低特效流畅运行常见网游。是预算紧张朋友的好选择。

中端级一千元

能够以中等特效流畅运行大多数单机大型游戏。比入门级多几百元，但带来更好的体验，这几百元花的值。

高端级三千元

能够以高特效流畅运行大多数单机大型游戏。不说了，拿钱吧。

PCIE 2.0 vs PCIE 3.0

就目前的测试成绩来看PCIE2.0还没有影响到1070的实际游戏性能发挥。可以认为在近期平台上PCIE2.0并没有影响到当前次旗舰的性能。PCIE2.0依然有进一步生存的空间。虽然P45平台支持PCIE2.0，但其年代久远的平台整体性能已经脱离了这个时代的需求。所以PCIE2.0还是3.0，没必要那么纠结，直接看平台整体年代和性能是关键。

大混测参考指南

问：大混测是为了什么？

答：是为了更好的指导消费！

【结语】

本文由什么值得买网友“旅人阿寅”撰写并授权转载，由于篇幅原因，仅选取了精华的部分进行分享。完整原文可去我站《#我的显卡# 三代平台+三代显卡大混测——新装机和老平台升级的不完全参考指南》查看，如果你有更多好物想跟我们分享，欢迎在评论区与我们互动。

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