SK海力士针对端侧AI手机，开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 40”

今天SK海力士宣布，已开发出新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。

SK海力士表示，继HBM在内的超高性能DRAM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场。ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品，其产品实现业界最高性能并专为端侧AI手机进行优化，与前一代产品相比，长期使用所导致的性能下降的情况会有大幅改善，从而延长了产品的使用寿命。

ZUFS按数据的各自特性来区分管理智能手机应用程序生成的数据。与现有UFS不分区域而混合存储的方式不同，ZUFS可以对不同用途和使用频率的数据进行分区（Zone）存储，提高手机操作系统的运行速度和存储设备的数据管理效率。SK海力士称，与现有UFS相比，ZUFS在长期使用环境下手机应用程序的运行时间会有45%的改善，且存储读写性能下降方面带来了4倍以上的改善效果，产品使用寿命也相应地得到了约40%的提升。

目前SK海力士已向客户提供初期试用品，还与客户协作开发出符合JEDEC标准的4.0产品，并计划今年第三季度开始量产，搭载于全球手机制造商的端侧AI手机。

美光推出手机专用3D NAND闪存，读写性能速度飙升

昨天我们报道了美光为自家的3D XPoint创立新品牌QuantX，该品牌主推企业级市场的SSD和NVDIMM产品。但美光同样没有忽视手机市场的重要性，也发布了专门适用于手机的3DNAND闪存。

美光宣称这种3D NAND闪存采用了最新的UFS 2.1传输标准，读写速度可以达到1.5GB/s、500MB/s，相比UFS 2.0标准效能提高2倍。单芯片容量为32GB，封装面积仅有60.217平方毫米，对比以往相同容量的闪存面积减少30%。采用了MCP多晶片封装技术，支持LPDDR4X。

现在的4k视频、VR、大型3D游戏都需要超高的存储容量，16GB的存储空间根本无法满足使用需求，也因此传闻iPhone7将会取消16GB而增加256GB版本。对于这种内部空间寸土寸金的手机来说，小面积的闪存芯片可以让出更多空间集成其他功能芯片或增加电池容量和存储容量，也可以令手机设计更加轻薄。

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