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nand flash 怎么用摄影学习小Tip：相机存储卡要怎么选？

发布时间 : 2024-10-06

作者 : 小编

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摄影学习小Tip：相机存储卡要怎么选？

入坑摄影摄像学习，不仅熟悉器材是一个必须的过程，作为存储照片/视频素材的介质——存储卡的选择也是非常有学问的。如今的单反、微单相机，普遍使用SD卡作为存储介质，相对于早期的CF卡，不仅容量更高、体积更小巧，而且价格也更便宜，还有着极高的通用性。但这并不意味着，随便一张SD卡就能满足现代摄影、摄像的需求。

存储卡容量多大够用？

现在的相机成像元件的像素数量越来越高，这就意味着拍摄出照片的分辨率也就越来越大，占用存储卡的空间也就越来越大。例如索尼A7m3全画幅微单相机，使用超精细画质拍摄JPG照片体积可达到11.4MB，而无压缩的RAW文件体积更高达24.3MB！如果拍摄4K3FPS的超高清视频，文件体积也更大。

一张高容量的存储卡，能够保证你在拍摄时不会因为存储空间不足而错失任何一个珍贵的画面。例如三星最新的PROUltimateSD卡，提供了64GB、128GB、256GB和512GB四种容量，如果是以拍摄照片为主，可以考虑64GB或者128GB，如果经常要拍摄4K视频，那就建议256GB起步了。

存储卡的速度有多重要？

除了容量，存储卡的速度也是要考虑的重要因素，它直接影响拍摄效率和数据传输速度。我们拍摄单张照片可能感受不到存储卡速度的影响，但如果是拍摄体育、婚礼现场的高速连拍，以及4K超高清视频拍摄，就会有较为直观的感受了。同样以三星PRO Ultimate SD卡为例，它支持U3、V30的速度等级，这是什么概念？

从下表可知，U3是拍摄速度等级，V30是视频速度等级，它们都对应着30MB/s最低写入速度，V30等级就满足4K 30FPS的超高清视频拍摄需求。而三星PRO Ultimate SD最高写入速度达到了130MB/s，已经超过了V60的速度等级，因此还可以尝试用它来拍摄4K 60FPS甚至8K 30FPS的超高清视频。

除此之外，三星PRO UltimateSD卡的读取速度高达200MB/s，这意味着这张卡片不仅能够支持连续高速连拍和4K视频录制，还能大幅缩短将照片从相机转移到电脑的时间，这对于需要快速处理大量素材的摄影师来说至关重要。

存储卡的可靠性也要重视

除了容量和速度这两项刚需参数，存储卡的选购还要考虑可靠性，所以一定要选择知名品牌的产品，在品质控制和售后服务上都有良好的口碑。三星PROULtimate SD卡的核心元件采用三星原厂NAND FLASH闪存芯片和主控芯片，不仅品质出众，还提供了10年的超长质保，彰显品牌和技术实力，可靠性非常有保障。

除此之外，三星PRO UltimateSD卡还拥有出色的防水、防摔、防震、防磁、耐高低温、耐插拔磨损和防X射线等特性，在户外复杂环境也能稳定可靠地保存珍贵影像，并能从容应对各种突发意外。

一张优秀的存储卡就如同摄影师的忠实伙伴，虽然同时满足高性能、高容量和高可靠性的存储卡价格相对较高，但考虑到后续的拍摄强度的增加和长期使用的可靠性，这是一项值得的投资，让每一个精彩瞬间的都能被完整的记忆。暑期既是旅游旺季，也是摄影的最佳季节，入手一张三星PRO Ultimate SD卡，一起走上行摄之旅吧。

NOR Flash 和 NAND Flash 的区别

参考于《ARM嵌入式系统开发典型模块》一书，仅用于笔记学习，如果侵删

Flash Memory是一种非易失性的存储器。

Flash 按照结构可以分为 nor flash 和 nand flash两大类，两者的读取速率差不多。

NOR flash的特点就是芯片内执行，这样应用程序可以直接在 flash 内存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。nor flash 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

鉴于NOR Flash擦写速度慢，成本高等特性，NOR Flash主要应用于小容量、内容更新少的场景，例如PC主板BIOS、路由器系统存储等。

NAND FLASH写入性能好，大容量下成本低。目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的eMMC内部的Flash Memory都属于NAND FLASH。PC中的固态硬盘中也是使用NAND FLASH。

NAND flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand flash 的困难在于flash 的管理和需要的特殊接口。

总结nor flash 和 nand flash的差别在以下的几个方面

1、容量和成本

nor flash 的容量大小为1MB~32MB ,而nand flash 的为16MB~512MB。nand flash 的单元尺寸几乎是nor flash 的一半，由于生产的过程更为简单，因此价格也是相对低。

2、性能差别

（1）nor flash 的读速度比 nand flash稍快一些

（2）nor flash 的写入速度比 nand flash 慢了很多

（3）nand flash 的4ms擦除速度远比nor flash 的5s 快

（4）nand flash 的擦除单元更小，相应的擦除电路也久更小

3、接口差别

nor flash 的接口和RAM一样，而 nand flash 是使用I/O口来串行地存取数据。

3.1 NOR Flash根据与CPU端接口的不同，可以分为Parallel NOR Flash和SPI NOR FLASH两类。

NAND FLASH 需要通过专门的NFI（NAND FLASH Interface）与Host端进行通信，如下图所示：

4、易用性

使用nor flash 的相对简单，可以非常直接地使用基于 nor flash 地内存，可以像其他存储器那样连接，还可以直接在上面运行代码

而使用 nand flash 的话就复杂了，需要I/O接口，必须先写入驱动程序，才可以继续执行其他的操作。

5、耐用性

在nand flash内存中的每个块的最大擦除写次数是100万次，而nor flash 的擦写次数是10万次。

NAND FLASH根据每个存储单元内存储比特个数的不同，可以分为SLC（Single-LevelCell）、MLC（MulTI-LevelCell）和TLC（Triple-LevelCell）三类。其中，在一个存储单元中，SLC可以存储1个比特，MLC可以存储2个比特，TLC则可以存储3个比特。每一个存储单元内部通过不同的电压等级来表示其所存储的信息。在SLC中，存储单元的电压被分为两个等级，分别表示0和1两个状态，即1个比特；在MLC中，存储单元的电压则被分为4个等级，分别表示00011011四个状态，即2个比特位；同理，在TLC中，存储单元的电压被分为8个等级，存储3个比特信息。

NAND FLASH的单个存储单元存储的比特位越多，读写性能会越差，寿命也越短，但是成本会更低。

6、坏块处理

nand flash 器件中的坏处是随机分布的

nand flash 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

7、位交换

所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，nand flash发生的次数要比nor flash多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。

一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。

这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

8、主要用途

nor flash常用于保存代码和关键数据。nand flash 用于保存数据。

9、软件支持

当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，

在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，

NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

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