三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

消息称三星电子NAND产量大增 开工率重回90%高位

【CNMO科技消息】4月22日，CNMO了解到，有消息称，三星电子NAND开工率显著提升，已攀升至90%的高位。此前，受存储行业低迷影响，三星的开工率一度陷入低谷，仅为60%。然而，随着市场状况的改善，多位知情人士透露，整体工厂的平均开工率已恢复至90%的水平，甚至一些主要的晶圆厂已经实现了“全面开工”的盛况。

值得注意的是，三星位于中国西安的工厂在提升整体开工率方面发挥了重要作用。作为三星电子的核心生产基地，西安工厂占据了NAND产量的30%至40%，其生产能力的恢复与提升，直接决定了三星整体产量的提升。

值得一提的是，根据三星电子提交给监管机构的文件，该公司预计今年第一季度营业利润将达到6.6万亿韩元，折合约为49亿美元。这一数字相较于去年同期，实现了惊人的931.3%的增长率。这一强劲表现证明了全球电子设备制造和数据处理需求对内存芯片需求的旺盛态势。

市场分析师此前对三星电子的业绩预期普遍较为乐观，但三星电子的实际表现仍然超出了他们的预期。根据金融数据公司Yonhap Infomax的调查，分析师对三星电子第一季度营业利润的平均预期为较低水平，而三星电子的实际数据比这一预期高出20.5%。

除了营业利润的大幅增长，三星电子第一季度的销售额也实现了稳健的增长。公司估计，本季度销售额为71万亿韩元，同比增长11.4%。这一销售额是自2022年第四季度以来首次突破70万亿韩元大关。

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