兆易创新24纳米良率达70% 未来继续寻找好标的收购

日前，兆易创新迎来了艾睿资本、广发基金、大成基金等218家投资机构的电话调研。在调研中，兆易创新对自身产品线发展、收购思立微事项、合肥项目等相关问题作出回应

图片来源：拍信网

24纳米NAND良率约70% 即将攻克难关

兆易创新以闪存芯片及微控制器两大产品为主营业务，闪存芯片主要有NOR Flash和NAND Flash两类，微控制器主要为基于ARM Cortex-M系列32位通用MCU产品。在其产品结构排位上，首先以NOR为主，然后依次为MCU、NAND，今年MCU的比例可能略有上升。

目前，兆易创新NOR Flash在开发的有55纳米、45纳米，而NAND也在从38纳米推向24纳米，MCU方面起步从0.13um工艺做起，现在开始进行40纳米先进工艺的研发。

NOR Flash方面，兆易创新坦言，经过了2017年的不正常涨价后，现在高峰期过去了，2018年市场都在回归理性，公司也有着降价压力。不过，第三季度公司的产品在降价、毛利率反而提升，这是因为公司有做目标性的客户选择，并且通过提升工艺等降低成本。

NAND方面，兆易创新表示正在投放几款新产品进入市场，有一些38nm NAND在小批量出售，不只是1GB产品，未来还要陆续推出2G、4G、8G产品线，至于SLC NAND的上量时间，兆易创新称明年应该会有机会。

据透露，目前兆易创新24纳米NAND良率基本在70%左右，具有一定的可靠性，也正在做一些样品的工作，很快可以看见，并可提升良率，“估计也不会再出一个季度，这个难关能够攻克”。

MCU方面，兆易创新MCU业务的产品线较广、客户群分散、客户数众多，前五大主力应用包括机器人、无人机、安防监控、平衡车、LED大屏显示。兆易创新表示，公司MCU产品去年收入达到3亿元，但在32位高端MCU市场天花板还早，未来十年、二十年都不一定看见顶。

兆易创新称，将在MCU现有产品线的基础上多增加产品种类，开发更具互联性的低功耗产品，目前正在做新的产品研发，可能明年会推出低功耗的产品线，以期有进一步提升的空间。

看好思立微，未来还将寻找好标的收购

本月初，全球半导体观察曾报道过，兆易创新拟作价17亿元收购思立微事项已获得证监会审议通过，对于这起收购案，兆易创新在调研中也回应了相关问题。

兆易创新表示，收购思立微方案已成功通过了证监会审核，接下来拿到批文后做交割、发行事项，这个时间也会比较快，拿批文可能三四周，之后会完成交割。该公司管理团队非常看好思立微，对思立微实现盈利的预测及为公司带来的协同效应很有信心。在兆易创新看来，思立微成长迅速、研发能力较强，且技术和产品本身和兆易创新有所协同。

兆易创新希望思立微的人机交互界面带动自己的MCU、Flash进入到更高端的客户群，且两者不管在销售还是供应链方面，都可形成协同效应。此外，收购思立微也将有利于兆易创新未来在IOT领域的战略布局。

值得一提的是，兆易创新直言，以后还会不断寻找好的资产来补充公司的发展，寻找好的标的公司进行收购。

兆易创新表示，在市场环境很好时，较优质的资产估价会较高，很难买到非常好又不太贵的资产。但当经济环境寒冷时，一些好的标的资产可能在发展的过程当中会遇到较大的挑战，这时它的估值反而会下来，这可能会是一个比较好的并购时点。

合肥项目进展非常顺利

2017年10月，兆易创新与合肥产投宣布合作开展12英寸晶圆存储器（含DRAM等）的研发，目标是在 2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的晶片占整个晶圆的比例）不低于10%。项目所需投资由兆易创新和合肥产投按照1:4 的比例负责筹集，其中兆易创新负责筹集约36亿元。

根据约定，若2018年12月31日前项目目标尚未实现、双方决定终止项目，兆易创新与合肥产投需要根据1:4分担项目损益；又或2018年12月31日前未能按期实现目标，且合肥产投决定退出而兆易创新决定继续经营的并截至2019年12月31日，项目目标仍未实现的，兆易创新有义务完成收购合肥产投在项目应当享有的清算或处置收益。

对此，调研中投资机构问及，兆易创新未来若对合肥项目进行资本运作的话市值是否可以满足？兆易创新回应称，公司目前的估值还不能满足并购的要求，但未来不是用现在估值去并购，而是用未来的估值去并购。

兆易创新表示，在2018年12月31日前，合肥项目若良率达到目标，则会继续推进该项目，这种情况下兆易创新应该履行筹集资金义务。理论上，2018年12月31日前要有一个公告，说明这个项目是继续推进还是不继续推进。

对于合肥项目的进展，兆易创新称：“我们了解的信息是非常顺利的。”

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24nm NAND Flash量产 东芯半导体存储产品助力5G基站和可穿戴应用

7月3日，2020慕尼黑上海电子展盛大开幕，作为慕尼黑展唯一的视频直播合作方，<电子发烧友>在展会期间，通过现场直播方式采访了5G领域内众多企业，就相关的行业、技术、市场和产品等话题进行了广泛的交流。

作为国内存储芯片的重要厂商之一，东芯半导体在汽车存储、5G基站存储和物联网应用的存储上颇有建树。7月4日，东芯半导体副总经理陈磊接受了<电子发烧友>的独家专访，对5G基站和物联网应用市场的存储技术和市场趋势进行了前瞻。

图：东芯半导体副总经理陈磊

东芯半导体作为国内存储IC芯片设计的重要厂商之一，如何前瞻存储芯片在5G和物联网领域的市场前景和趋势是怎样的？

陈磊： 最近两年，5G和物联网快速发展推动存储器的市场发展。以物联网、5G、人工智能和大数据中心等为重点的新基建应用，都需要高速且稳定可靠的存储芯片作为各种大大小小的数据站点，且数据站点的需求在不断扩大，为云端大数据或者终端点应用的基础储存仓库。

左：电子发烧友执行副主编章鹰 右：东芯半导体副总经理陈磊

2020年，5G宏基站相比4G基站，密度更大，5G宏基站对存储器提出了更多的性能要求。尤其这种大容量FLASH在5G基站的AAU上面的应用。在存储容量上，从512Mb上升1Gb，甚至2Gb的容量。5G宏基站也增加对SLC NAND需求，还有TWS耳机为代表的可穿戴产品对NOR Flash的需求增长明显。主要需求集中在1.8V NOR Flash部分。

2020年，5G手机出货量大增，三大运营商计划部署55万站5G基站，贵司主攻Nand Flash闪存和NOR Flash闪存主攻5G应用的哪些领域？在5G+物联网市场实现了哪些突破？

陈磊： 5G基站对高容量的NOR Flash需求大，东芯半导体已经研发1Gb的大容量SPI NOR Flash。物联网领域，东芯推出了1.8V低功耗的SPI NOR Flash，容量可以涵盖32Mb至256Mb，主要应用在TWS耳机、智能手环、智能手表等可穿戴设备上。

作为国内中小容量存储芯片企业，东芯半导体产品聚焦在以2D SLC NAND, 低功耗的中高容量NOR FLASH和NAND MCP为主。目前在合作伙伴中芯国际的生产线上，已经实现了38纳米和24纳米NAND FLASH的量产。作为最新的工艺节点，我们也正在努力开发1x纳米NAND FLASH工艺技术。明年我们会继续在48nm的工艺上开发512Mb，乃至1Gb的SPI NOR FLASH。

凭借自主研发的态度，努力为产品的性能进行不断调整提升，东芯半导体现在的存储器产品已经从5G接入网的终端进入到核心网，骨干网和5G宏基站内部。为国内的电信级设备提供了完全国产化的存储器产品。

在数据中心领域、汽车和手机存储市场，目前中国市场的痛点是什么？

陈磊： 汽车市场需求的存储器，门槛就是高可靠性要求。普通消费电子需求的存储器产品标准在100PPM到200PPM左右，这个标准在汽车上是不允许，汽车要求的存储产品标准达到PPB级别，即10亿颗才能出现的错误，而PPM是百万颗的标准，汽车电子对产品的长期供货要求严苛，要求10-15年产品的长期供货能力。这对东芯半导体生产周期构成大的挑战。

在数据中心等大规模的IDC，目前的DDR4, 未来的DDR5将给数据中心带来更高的带宽。大容量的SSD使用的3D NAND还基本都是以韩国，美国和日本的供应商为主。在大容量存储芯片领域，国内供应商和境外大厂相比，在技术和生产工艺端还有着不少的差距。例如3D NAND，国内目前能够量产的产品跟国外知名企业可能还存在1~2代的技术差距。未来的挑战可能更偏重在存储容量的提升和制造工艺技术的累积。

汽车级的存储器目前国内公司涉足的还非常的少，主要原因还是在于设计能力，长期稳定的工艺配套，和长时间的供应能力。手机存储还是以大容量，低功耗为诉求。

目前，东芯半导体的产品已经开始涉足汽车级的产品，公司已经在开发符合AEC Q100规范的SLC NAND，也开始下一代低功耗DRAM的产品，相信我们的LPD4x的产品将会面世，配合我们先进工艺的SLC NAND在5G的物联网时代为客户带来更高性能，更具性价比的存储器产品。

东芯半导体在慕尼黑展带来哪些重磅产品发布？

陈磊： 在慕尼黑上海电子展会上，东芯半导体不仅带来了量产的38nm的SLC NAND, SPI NAND, 65nm的低功耗1.8v SPI NOR，NAND MCP还有下一代的明星产品：24nm SLC NAND, 28nm SPI NAND和48nm的1.8v 256Mb SPI NOR FLASH。

东芯半导体在存储领域的哪些创新技术和解决方案解决了市场的痛点？

陈磊： 目前，东芯半导体产品有四大类。首先，东芯已经量产65nm SPI NOR FLASH，2020年下半年将会量产的48nm SPI NOR FLASH，东芯的48nm制程相较上一代65nm产品有更高密度的集成，于是对于同等容量的存储芯片来说，Die size也就更小，大幅提高了成本优势，相较65nm来说，成本有显著的下降。同时，我们还可以给用户需求提供小型的封装。

新产品继续支持标准SPI/Dual/Qual SPI及QPI的基础上，增加了DTR传输模式，即在时钟上升沿和下降沿都可以进行数据输出，相较于之前STR的单时钟边沿采样，同样的频率下，有了双倍的传输速率，进一步提高了数据访问的效率。

其次，东芯半导体量产了 38nm的SLC NAND FLASH，未来将会量产24nm SLC NAND，这是目前国内最先进工艺的SLC NAND。主要应用在光猫、路由器、4G模块上。这些旗舰产品都是东芯半导体自主研发，拥有完全知识产权，可以给国内客户提供全国产化的器件。

最新推出的28nm SPI NAND FLASH, 兼容1.8V/3.3V供电电压, 我们在设计产品时，通过金属层选项的改变，可与灵活在这两个供电电压之间切换，从而适用于大多数的商用产品。东芯半导体的SPI NAND和国内的大多数公司采用通过外接控制器，从而实现单口，双口，四口的接口模式是截然不同的。

东芯的SPI NAND FLASH都是内置4比特/8比特ECC技术，先进的内置ECC模块能极大的提高产品的可靠性，保证产品的容错率，大多数公司使用外置的ECC模块并封装在一起，但是这样增加了芯片的面积以及CP测试时间。

第三、DRAM产品，包括DDR3和Low Power DRAM，主要以NAND MCP产品形式封装。第四部分，NAND MCP产品，主要是交付功能手机，4G和5G模块的物联网客户。

2020年下半年，东芯半导体在主要存储业务线的增长目标是怎样的？

陈磊： 今年上半年，东芯半导体业务健康发展，受惠于国内疫情的快速控制，海外疫情的分阶段发展，东芯半导体调整了生产的节奏，在海外市场受到影响的情况下，大力开拓国内市场。6月以来，海外市场逐步打开，东南亚市场、欧美市场向公司敞开了大门，2020年下半年客户的需求向好。

疫情对公司未来运营会产生影响，东芯半导体聚焦提升核心竞争力应对未来客户需求。上半年，公司的SPI NAND FLASH产品已经服务覆盖了全国所有的网络通讯类的客户，1.8v SPI NOR FLASH取得了几个关键客户的设计。除此之外，公司的NAND MCP产品在国内物联网市场开始崭露头角，得到了国内主要模块厂商的设计案例。

基于28nm SPI NAND FLASH和48nm SPI NOR FLASH，东芯半导体下半年可以给客户提供更有优势的产品。我们希望可以在去年的基础上实现业绩的成倍增长。

请介绍一下，贵公司存储产品在5G领域应用的成功案例？

陈磊： 公司的4Gb/8Gb SLC NAND已经取得了国内领先的5G宏基站供应商的认可，已经开始量产供应。以往东芯半导体的NAND主要用于客户的接入网、个人和家庭的光猫、路由器，今年东芯半导体的高容量NAND进入5G核心网。

5G宏基站的部署条件非常复杂，在我们和客户交流后，基站部署横跨高热高潮湿度的地域，也部署在北方低温、干燥的环境中，还有部署在布满粉尘等恶劣的环境下，5G基站信号要做到7*24*365天，器件要求高过车规要求。通过研发工程师和客户做过技术对接后，做了客制化的开发，得到国内中芯国际北京、国内封装测试厂的支持，目前在合作伙伴中芯国际的生产线上，已经实现了38纳米和24纳米NAND FLASH的量产。这些器件满足工业宽温（105C）的要求，和符合车规AEC Q100的SLC NAND FLASH产品。

凭借自主研发的态度，努力为产品的性能进行不断调整提升，东芯半导体现在的存储器产品已经从接入网的终端进入到核心网，骨干网和5G宏基站内部。为中国的电信级设备提供了完全国产化的存储器产品。

作为最新的工艺节点，东芯也正在努力开发1x纳米NAND FLASH工艺技术。东芯的低功耗1.8v的SPI NOR FLASH容量可以涵盖32Mb至256Mb，明年我们会继续在48nm的工艺上开发512Mb，乃至1Gb的SPI NOR FLASH。

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