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nand flash bit line 外行解说-NVM Non-Volatile Memory

发布时间 : 2025-03-17

作者 : 小编

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外行解说-NVM Non-Volatile Memory

感谢当年的Jimmy，花了一个月时间让我学会了Flash，虽然没做过Flash但是这个入门足以让我很精通，时至今日我依然能够靠我的笔记写完所有的东西。

存储器(Memory)，是现代电子系统中用于保存二进制数据信息的记忆设备，它根据控制器指定的位置存入和取出信息。正是有了存储器，我们的计算机和电子设备才有了记忆功能，比如每个身份证才能对应不同的人，每个sim卡对应一个手机号等等。按照用途分我们的存储器分为两类，一类是用于电路在工作过程中存储临时信息，比如地址编码或者临时堆栈等，只能有电才工作断电就复位了，这类存储器叫做动态随机存储器(RAM: Random Access Memory)，比如DRAM、SRAM(后面再专题讲SRAM和DRAM)。而另外一种是用来永久存储数据信息的，即使断电还依旧保存着数据，叫做只读存储器(ROM: Read Only Memory)，比如EEPROM, OTP/MTP、Flash。其中RAM的SRAM和DRAM都是由Intel在1970年发明的，而EPROM和EEPROM也是Intel分别于1971年和1979年发明的，直到1984年Toshiba发明了flash才带动了闪存的巨大发展。

随着物联网和大数据趋势的来临，数据存储必将是兵家必争之地。紫光收购美光失败，转战收购西部数据(WD)，再由西部数据曲线收购Sandisk进军NAND Flash。Intel大连Fab68厂由于PC产业的巨大衰退不得不斥资55亿美元改造成NAND Flash厂。可想而知未来NAND Flash存储器的重要性。单纯从产值角度讲存储器和微处理器占整个半导体产业的22%和19%，可以说是整个半导体产业的基石，要想在半导体行业混得好，就抢这两个吧~当然我们今天学习的重点就是非挥发性存储器(Non-Volatile-Memory)，也就是断电可以继续存储的存储器。

很多时候大家一讲到NVM，都会想到Flash。但是这两者是不一样的，Flash只是NVM的一种。NVM是指断电数据不会消失的意思，所以ROM (EPROM/EEPROM)、Flash、FeRAM/MRAM(铁电/磁电)都算。我十年前做PIE的时候第一个产品是0.5um mask ROM，那就是最古老的NVM了 (当然fuse也可以算是一种OTP的NVM)，它的实现过程就是通过一张ROM code光罩选择性打NMOS Array的implant实现每个bit的NMOS是ON还是OFF来实现“0”和“1”，这就是BANK后面用不同光罩实现编程的，比较简单。

1、浮栅技术(FG: Floating Gate)

抛开上面讲的ROM Code implant，还有FeRAM/MRAM也不是我们讨论的重点。其他的所有NVM的精髓都有Floating Gate (浮栅) ，它和普通的MOSFET差异在于它是双层Poly，上面的Poly是Control Gate (控制栅) ，通过对浮栅充电(Charge)并且浮栅被包裹在绝缘体(oxide)里面而实现“0”和“1”的存储，再细分包括EPROM/OTP(电编程UV光擦除)，EEPROM/MTP(电编程电擦除)，Flash(电编程电擦除)。

话说这个浮栅(FG: Floating Gate)和上面的控制栅(CG: Control Gate)一起，当控制栅加上电压Vg之后，控制栅会通过下面的浮栅产生耦合作用使得沟道开启，产生热载流子通过浮栅下面的Tunnel oxide隧穿进入浮栅从而达到Program的目的。而这个耦合的要求是尽可能耦合的越高越容易开启，简单点理解就是电容CG与FG之间的介质层(ONO)电容越大越容易让控制栅的电压转嫁给浮栅从而间接开启沟道，这就是耦合作用。而这个耦合是由控制栅与浮栅之间的电容以及浮栅与沟道之间的栅氧的比例决定的，这就是传说中的Gate Coupling Ratio (GCR)。实际上这个GCR测试是靠浮栅MOSFET的Vt以及flash cell的Vt的比值来计算出来的。

2、浮栅充电(Program)/放电(Erase)机理

如果要实现数据的存储，也就是要对浮栅充电或放电实现program和Erase的过程，最终完成“0”和“1”的写入并存储。但是如何实现这个浮栅电子的写入和擦除？我们姑且称之为电荷转移(Charge Transfer)，书面定义为使得电荷穿过介质层(如OX或者ONO)进入浮栅或者从浮栅里面擦除。

一般情况下这个电荷转移有四种方式：CHEI、SSI、FN、BTBT。其实这些原理都是利用了MOSFET的漏电，在Gate端通过电压控制使其主动进入到浮栅里面去。是不是很有意思？让我们逐个来学习一下。

1) CHEI (Channel Hot Electron Injection)： 我们在常规MOSFET里面，HCI injection容易进入GOX形成Gate Leak，当然在浮栅存储器里面就被trap在浮栅里面program了。但是在浮栅存储器里面它可是program好不好的关键。曾听说施敏教授发明这个技术的时候灵感来自于咖啡撒泼了，想到如何让热载流子变废为宝？

为了能够有效programing，必须Gate高压(8~12V)感应到浮栅上(4~6V)，Drain端4~5V。0.5us~10us/cell，200~500uA/cell。

2) SSI (Source Side Injection)： 这就是我们的1.5T Split-Gate，在source端放一个Select-MOS，而这个select-MOS的drain就是cell的source，这样在select-MOS的drain端产生的Hot-Carrier就可以从cell的source端注入到浮栅里面去。而这个select-MOS的gate就是select-gate，可以把它与control gate合在一起形成split gate。这样的bit cell面积比2T的面积小，更容易做high density。0.5us~10us/cell，1~5uA/cell，优势与CHEI相比如何？

3) FN Tunneling： 主要利用介质氧化层的FN Tunnel特性将电子program和Erase到浮栅里面去。(FN Tunnel的原理请参阅：http://ic-garden.cn/?p=680)。100us~100ms/cell，10-5~10-3uA/cell。看你是要超低电荷还是需要速度了？

举个例子，1.5T的Split-Gate里面的Erase就是靠Poly-Poly的tips的电场让浮栅电荷通过FN tunneling释放掉。

4) Band-to-Band Tunneling： 这个主要是利用GIDL产生的带间隧穿漏电让它注入(inject)到浮栅里面去。GIDL原理：http://ic-garden.cn/?p=489。

总结，当完成Charge transfer之后，我们的Flash Cell的浮栅里面有了负电荷也就相当于我们的MOSFET栅极下面有负电荷了，所以我们的Vt会变高(因为需要Extra电压抵消它)，所以我们常说Program-High/Erase-Low就是这个意思。而它的I-V曲线和常规的MOSFET不太一样，主要是因为Program使得Vt变高，所以Isat变低，后面等充电完成后又逐渐回到饱和Isat。

3、Flash与EPROM/EEPROM的区别： 话说这flash和EPROM以及EEPROM都是floating gate器件，他们到底区别是什么？

EPROM是靠Hot-Electron program然后用UV Erase，EEPROM的program和Erase都是靠FN-Tunneling完成的。而Flash是靠Hot-Electron Program然后靠FN-Tunneling Erase掉。所以EPROM+EEPROM=Flash。

而对于EEPROM和Flash来讲，虽然Erase都是FN-Tunneling，但是EEPROM是按照by-bit Erase的，而Flash是common source的，所以是Block Erase的。

4、Flash Cell的分类：

1) ETOX (EPROM Tunnel OXide): 这是Intel于1988年的专利，也是业界使用的Flash Cell的标准。从bit-line看过去，它就是标准的double-poly cell，所以为了区分后面提到的Split-Gate，又称之为Stack-Gate Flash Cell。

2) Split Gate: 这就是上面提到的SSI (Source-Side Injection)在Flash Cell的Drain-Side串联一个Select-MOS结构，然后把select-Gate与cell的Control-Gate合在一起就是1.5T split-gate了。很多Embedded都是用这种cell。

5、NAND与NOR Flash的区别及应用： 上面才提过Flash Cell的种类，接下来如何把这些cell连接起来？串联还是并联？这就是我们讲的NAND还是NOR。所以NAND-Flash的字面意思就是逻辑运算里面的“AND”或者“与”，就是把每个bit都串联起来，一般是16bit在一条bit-line上一个挨一个最后一个contact连出去就行了。而NOR-Flash则是把每个bit并联起来，一个bit一个contact，然后把这些contact通过一条Word-Line连出去就行了。所以光这一条区别就知道哪个密度大了吧？这就是为什么存储器一定要用NAND-Flash了。

难道NOR就一无是处？答案肯定是错的！虽然NAND密度大，但是它毕竟是串联的，到最后一个bit肯定需要时间的，所以它的Access-Time比较长，另外根据基尔荷夫电压定律，串联电压肯定逐渐降低，为了保证最后一个bit能够program，所以必须higher program/erase电压。那NAND的缺点自然就是NOR的优点了，它是并联的自然它就可以随便选择任何一个bit了，而且Access时间短速度快，所以通常NOR主要用于非存储类的应用，比如电子设备的代码存储不需要太大的容量但是对速度要求高。而NAND主要用于存储设备如SSD硬盘。

6、Flash技术的Concern：

1) Charge Pump: Flash-Cell的工作需要完成3个动作，一个Program、一个Erase、一个Normal Read。除了Normal Read是器件的正常工作电压外，Program和Erase都需要高电压来完成，而这个高电压怎么来？就是需要Charge-Pump产生。而Charge-Pump的主要concern就是Leakage-Path，比如GIDL。

2) Disturb(串扰): 这个比较容易理解，高密度下的bit与bit之间总会产生干扰的，通常分为Gate-Disturb和Drain-Disturb，前者Gate-Disturb表示选了W/L不选B/L下，旁边的B/L串扰导致的该bit的被soft-program了。而后者的Drain-Disturb则表示选了B/L不选择W/L的时候，相邻的W/L带来的串扰导致该bit被soft-erase了。这个还比较容易通过CP测试screen掉。

3) Over Erase: 同一个bit-line上的cell，容易受相邻的program干扰导致soft-erase，所以在下一次正式Erase的时候它就Over-Erase了。所以Over-Erase随着cycling次数越多，它越严重，这可是可靠性问题啊。但主要发生在NOR flash上。

4) Cycling/Data-Retention： 我们知道所有的Program和Erase都是要电子来回穿过Oxide，这样的过程会damage我们的Oxide甚至软击穿，所以我们擦写的次数以及擦写次数多了后Oxide还能存储浮栅电荷多久？这就是长期可靠性问题。通常Cycling/Endurance的要求是Flash >20~100K次，而EEPROM要求100K~1M次。

还有SONOS技术(Si-ONO-Si)，它主要是single-poly靠ONO在两边的OD-edge program/erase电荷的，制程比较简单。至此，我所懂的Flash技术应该就到此了，欢迎补充讨论学习。

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别是什么？

ROM 和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM )，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM )，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

内存工作原理：

内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1/2，则认为其代表1，并把电容充满电;若电量小于1/2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。

ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。

举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中)，因为当时有很重要工作(通话)要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。

FLASH 存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

NAND Flash和NOR Flash的比较

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

相"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码;NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分。

NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

1、性能比较:

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：

● NOR的读速度比NAND稍快一些。

● NAND的写入速度比NOR快很多。

● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

(注：NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6s。)

2、接口差别:

NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

3、容量和成本:

NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

4、可靠性和耐用性:

采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

A) 寿命(耐用性)

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

B) 位交换

所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。

一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。

当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。

这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

C) 坏块处理

NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。

NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

5、易于使用:

可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。

由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

6、软件支持:

当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商，曾经是FLASH的主流产品，但现在被NAND FLASH挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵。

NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝，在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH，由于工艺上的不同，它比NOR FLASH拥有更大存储容量，而且便宜。但也有缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。

在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行，挺麻烦的。

DRAM 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。

SRAM 利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。

以上主要用于系统内存储器，容量大，不需要断电后仍保存数据的。

Flash ROM 是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom写入前需要用电进行擦除，而且擦除不同与EEPROM 可以以byte(字节)为单位进行，flash rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。flash rom主要用于bios，U盘，Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备。

PSRAM，假静态随机存储器。

背景：

PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。

基本原理：

PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。

PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。

PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM ,PSRAM 的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。

外行解说-NVM Non-Volatile Memory

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别是什么？

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