业内同等容量最小芯片尺寸，至讯创新512Mb工业级NAND量产

IT之家 7 月 3 日消息，国内存储芯片企业至讯创新昨日宣布成功量产 512Mb 高可靠性工业级 2D NAND 闪存芯片。

512Mb 的容量使得这款 2D NAND 闪存芯片可同时容纳系统代码和用户数据，为此后的系统代码升级留有足够空间 。

至讯创新表示，这款全新的闪存芯片在完全达到工业级性能和可靠性要求的同时，对芯片尺寸做了全面优化，实现了业内同等容量下最小的芯片尺寸 ，“性价比优势凸显”。

该闪存芯片支持多比特片上 ECC 纠错，拥有至高 10 万次的擦写周期 ，可在-40~+85℃的温度下工作，满足严苛工业级测试，至讯创新也正在对该芯片对应的车规级版本进行验证。

IT之家整理至讯创新近年存储产品发布信息如下：

2022 年 12 月 13 日：国内首款全自研 19nm 中小容量 2D NAND 闪存开发成功；

2024 年 1 月 15 日：19nm 2D NAND 闪存全面量产。

美光推出232层3D TLC NAND闪存：初始容量1Tb，2022年末量产

美光宣布，将推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存。目前美光已准备在在2022年年末开始生产新款232层3D TLC NAND闪存芯片，并计划将其用在包括固态硬盘在内的各种产品上。

据TomsHardware报道，美光的232层3D NAND闪存芯片采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，初始容量为1Tb（128GB）。CuA架构叠加新技术可以大大减小1Tb 3D TLC NAND闪存的芯片尺寸，这有助于降低成本，使得美光可以更积极地为搭载这些芯片的产品定价，或者提高产品的利润。

美光的科技和产品执行副总裁Scott DeBoer表示，正在和第三方主控芯片的开发人员密切合作，不但提供对232层3D NAND闪存芯片的支持，而且能确保对主控芯片与闪存芯片之间的优化，这一直是美光垂直产品整合的重要组成部分，以便搭建围绕数据中心和客户端固态硬盘产品。

美光暂时还没有公布232层3D NAND闪存芯片的具体参数，不过似乎会比现有的3D NAND闪存性能要更好一些，以适应下一代支持PCIe 5.0固态硬盘的需求。美光还表示，新款芯片的能耗也更低一些，这可能与其注重移动领域的应用有关。

由于量产时间是在2022年年末，预计搭载232层3D NAND闪存芯片的产品将会在2023年出现。

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