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nand提取烧录固件 如何用SmartPRO 6000纠正NAND Flash烧录过程位反转?
发布时间 : 2024-10-13
作者 : 小编
访问数量 : 23
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如何用SmartPRO 6000纠正NAND Flash烧录过程位反转?

摘要:关于使用烧录器烧录Nand Flash,一直都是很多用户头疼的难点,他们强调已经使用了正确的坏块管理方案,也制定了规范的操作流程,但是烧录的良品率还是无法提高,只能每天眼睁睁看着一盘盘“废品”被烧录器筛选出来!

近日某电子科技有限公司的客户邮件反馈:使用我们的SmartPRO 6000F-Plus烧录MICRON厂家的TSOP48封装的Nand Flash MT29F2G08ABAEA,不良率比较高,甚至达到了10%的烧录不良率,而烧录SAMSUNG厂家的TSOP48封装的K9F1G08U0E这颗芯片就不会有这种状况,由此可以确定烧录器与烧录座本身固件是没有问题的,所以客户怀疑应该是芯片算法有问题,需要我们重新优化下。

烧录器的功能很简单、很专一,那就是把数据完完整整、重复地复制到每一颗芯片上,复制成功了就提示Pass,复制失败了就提示Fail;SmartPRO 6000F-Plus是一台全心专注于高品质、高效率的Flash专用烧录编程器;目前为止,有广泛的、优秀的烧录客户群,软件、硬件和算法都是客户批量生产验证过的,非常成熟。

那问题究竟出在哪里呢,让我们继续看吧!

先友情提醒一下,我们的烧录软件做有一个监控“电子眼”(操作日记),时刻记录着客户对每颗芯片的烧录情况;客户有任何违规操作或者烧录异常现象,我们都可以迅速重返到“案发现场”,找到问题的根源;

我们第一时间让客户把操作日记发过来,从操作日记上看,客户反馈的现象确实存在,日志也帮助我们很快找到了这种异常:

但是这种现象并不是因为烧录器造成,而是芯片本身存在的工艺差异原因导致的;可能有人就会马上反驳,明显地出现如此高的烧录不良率,编程器原厂就没有任何责任,而是一句话就把问题推到芯片原厂?不要着急,继续往下看。

首先,我们普及一下Nand Flash的一个特性:位反转;Nand Flash由于本身硬件的内在特性,会导致(极其)偶尔的出现位反转的现象。所谓的位反转(bit flip),指的是原先Nand Flash中的某个位变化了,即要么从1变成0了,要么从0变成1了。而出现这种怪异的现象因素很多,主要是由以下一些原因或者效应所导致的:漂移效应(Drifting Effects)、编程干扰所产生的错误(Program-Disturb Errors)、读操作干扰产生的错误(Read-Disturb Errors);所以芯片原厂都是要求用户使用对应的ECC校验去解决这些位反转问题。

这种偶尔随机出现的位反转现象,对使用烧录器烧录Nand Flash的用户确实带来了头痛的麻烦,因为只要对芯片完成烧录之后,紧接着进行校验处理,若校验数据与源数据不同,烧录器立马就会提示报错,造成的直接后果就是不良品率一直居高不下;拿我们客户的案例分析,打开芯片数据手册查询到:MT29F2G08ABAEAWP需求ECC纠错算法:Minimum required ECC,4-bit ECC per 528 bytes;K9F1G08U0E需求ECC纠错算法:ECC regnirement,1 bit / 528bytes。所以这两个都有一定的概率出现位反转现象,而MT29F2G08ABAEAWP不良率较高,是因为MT29F2G08ABAEAWP出现偶尔随机的位反转的概率比K9F1G08U0E高好几倍。

对于专业的烧录厂家,对位反转现象当然也有专业的处理办法,今天就介绍一下我们SmartPRO 6000F-Plus特殊处理位反转的办法:“允许容错位”。

在对芯片作校验的时候,如果出现的位翻转的位数少于或者等于在“允许容错位”设置的数值,则烧录器认为校验正常,提示烧录成功;当然,用户设置的数值也必须是在自己使用的ECC计算方案纠正位数之内。提高烧录良品率,只需在烧录器上设置一个数值即可解决;后来客户反馈烧录一切正常,良品率也大大提高了,甚至几乎达到了100%,解决了大批量生产上的问题!

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恒为科技获得发明专利授权:“一种NANDFlash的烧录方法及装置”

证券之星消息,根据企查查数据显示恒为科技(603496)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种NANDFlash的烧录方法及装置”,专利申请号为CN201910863924.7,授权日为2024年2月2日。

专利摘要:本发明公开了一种NAND Flash的烧录方法,包括:获取母片中当前分区中数据区的文件数据和保留区中保留块的第一数量;将文件数据烧录到待烧录NAND Flash中与当前分区对应的目标分区中;烧录过程中统计目标分区中坏数据块的第二数量;当第二数量不大于第一数量时,所述目标分区烧录成功;当待烧录NAND Flash中各个分区均烧录成功时,待烧录NAND Flash烧录完成。上述方法,在母片中预留了保留区,当第一数量大于等于第二数量,判定所述目标分区烧录完成,避免了母片读取的文件数据接近待烧录NAND Flash本身容量,而烧录时待烧录NAND Flash又出现了大量的坏数据块导致烧录失败的问题。

今年以来恒为科技新获得专利授权2个。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了5698.92万元,同比减7.14%。

数据来源:企查查

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