Intel 10nm工艺率先投入NAND闪存：晶体管密度暴增27倍

IT之家9月27日消息 Intel在尖端制造大会上正式向大家展示了基于最新的10nm制程工艺，并且称基于10nm的Cannon Lake处理器将会在今年开始量产。不过现在有消息称，首批投放市场的10nm产品并不是CPU，而是目前大红大紫的NAND闪存。

有消息称，Intel计划在自家最新的64层NAND闪存上使用最新的10nm制程工艺，至于为什么率先使用10nm工艺，业界认为相比较于CPU，NAND结构相对简单，基本上就是海量同类晶体管堆积。

Intel在大会上表示，与目前所使用的工艺相比，未来的10nm制程能够让晶体管密度提升2.7倍之多。

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Intel明年推128层NAND：QLC闪存大杀四方 HDD再见

今天的Intel亚太研发中心媒体会议上，Intel研究人员介绍的主要是数据中心领域的处理器、网卡、内存等产品，与客户端产品关系不大。不过在存储产品中，Intel单独介绍了他们在NAND闪存上的最新进展，这个系列以后就跟普通玩家有关了。

在存储产品中，前面的文章中也提过Intel的理念了，那就是在HDD硬盘、3D NAND与DRAM内存之间还有一个层级，这部分就是傲腾硬盘的，它的容量是DDR4内存的10倍，，断电也不丢失数据，虽然性能也只有1/10，但依然比NAND闪存SSD硬盘快了10倍。

在Intel的构想中，未来的存储系统的格局会有明显的变化，HDD机械硬盘在热数据上会被QLC闪存硬盘取代，沦落到如今磁带那样的地位，就是作为大容量数据备份之用。

从Intel的表态来看，如今TLC+HDD的格局中不仅HDD硬盘会消失，TLC闪存也会被取代，更别说MLC闪存了，简单来说就是需要性能的地方上傲腾闪存或者傲腾+QLC，后者已经有H10这样的产品了，它就使用了大容量QLC闪存以及傲腾16/32GB的组合。

QLC闪存未来是要担大任的，对于这一点Intel也直言不讳。至于大家担心的QLC闪存寿命性能问题，Intel表示他们的技术已经做到了让QLC闪存的电压控制跟TLC闪存一个级别，所以这些担心不是问题。

此外，Intel还提到在NAND闪存上他们起步要落后于三星等公司，但在3D NAND闪存时代追上来了，一开始就是32层堆栈，QLC闪存直接上了64层堆栈，单核心容量就有1024Gb，2020年则会推出128层堆栈的QLC闪存 ——不过明年三星等公司也是打算推出128层堆栈的闪存的，现在就看谁第一个吃螃蟹了。

总之，在存储这个市场上，不论数据中心还是客户端产品，Intel都有两种选择，追求性能的就上傲腾硬盘，PCIe、M.2、U.2、AIC各种规格都有，追求大容量的话就上NAND闪存硬盘，SATA、M.2、AIC甚至最新的Ruler规格都可以，后者可以做到32TB。

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