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中国nand flash厂商三星，海力士获准向在华工厂提供设备，国内存储厂商受冲击？

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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三星、海力士获准向在华工厂提供设备，国内存储厂商受冲击？

据外媒消息称，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。此消息一出，二级市场投资者炸开了锅，看多与看空观点交织不断。

多方观点认为，老美此次同意三星电子和SK海力士向国内厂商提供设备，或是关系的“破冰”，对于国内半导体产业或是一种利好。空方观点认为，三星电子和SK海力士向中国工厂提供设备可能会影响国内相关半导体企业的“发育”。

对于此事看法，财华社咨询行业人士，以及从券商及投行观点来看，绝大多数观点持正面且积极态度，认为此举有助于稳定全球半导体供应链。同时，国产替代大势所趋，国产半导体产业链依旧大有可为。

影响或许并不大，但不确定性得到消除

据悉，

三星电子、SK海力士分别是全球最大和第二大的存储芯片制造商， 且都在国内建设了生产线。其中，三星电子在西安建厂生产NAND（闪存）芯片，而SK海力士则在无锡和大连分别建厂，生产DRAM（动态半导体存储器）芯片和NAND芯片等半导体产品。

近年来，美国对中国内地的半导体产业进行了严密封锁，并造成了很大困扰，但在一定程度上也促进了内地半导体产业的发展。

众所周知，半导体产业是一个高度专业化、分工明确的行业，各个环节是紧密联系的，下游的制造工厂也需要上游的设备厂商提供支持。

在美国对中国内地的半导体产业进行限制后，美系半导体设备厂商就无法继续向位于中国内地的半导体制造商供应半导体设备、零部件及技术支持。身为存储芯片制造领域的龙头，三星电子和SK海力士也受到了影响。

不过，在韩国政府及企业的反对下，美国政府对三星电子和SK海力士在中国工厂的相关设备进口予以了为期一年的豁免权，豁免有效期至2023年10月11日。

如今，在距离此前豁免期限还有两天时间，而三星电子和SK海力士向其中国工厂供应设备已获得无限期豁免。

从时间上来看，直接就给连上了。

可见，这则最新消息产生的实质影响并不大，只不过以前需要每年申请，现在无需申请了而已。

而对于无限期豁免这件事，三星电子发布声明称，“通过与相关政府的密切协调，公司在中国的半导体生产运营相关的不确定性已大大消除”。

华金证券表示，此举有助于稳定全球半导体供应链。

全球存储芯片市场现状如何？

随着ChatGPT的爆火，算力的重要性为人所共知。然而，只要有数据就离不开存储，存力的重要性同样不容小觑。

近年来，在消费电子领域的需求之外，电动汽车、AI服务器等新型终端或应用的诞生及爆发，也为拉动数据存储需求做出了比较大的贡献。

因此，从存储芯片的发展前景来看，这是一条长期高成长的赛道，市场容量很大。

根据世界半导体贸易统计（WSTS）数据，2021年全球半导体行业规模达到5559亿美元，同比增长26%。其中，存储器细分赛道的占比为28%， 市场规模为1538亿美元，同比增长31%，是半导体市场中规模最大的子行业。

进入2022年，根据WSTS数据统计，全球存储器市场规模占据半导体市场的23.17%， 出现了一定程度的下滑，但占比依然很高。

在存储芯片内部又可细分为多种品类，从结构上看，DRAM（动态随机存取内存）和NAND Flash（闪存）是存储芯片的核心品类，多年来一直占据存储芯片市场的绝大部分份额。

根据中商情报网的数据，2022年DRAM全球市场规模为790.61亿美元，占比56.8%；NAND Flash全球市场规模为601.26亿美元，占比43.2%。

回顾DRAM细分领域的发展历史，该市场经历一系列并购整合，竞争格局如今呈现寡头垄断局面，市场的领导者则由最开始的美系厂商转变成了日系厂商，再转变成如今的韩系厂商。

根据Statista的数据，2022年，三星电子、美光科技（MU.US）、SK海力士合计占据了DRAM市场94%的市场份额， 分别达43.10%，27.72%和24.50%。

全球NAND Flash市场一直相对集中，2021年前六大供应市场份额合计占比超过95%。 其中，三星电子、铠侠、西部数据（WDC.US）市场份额占比分别为34%、19%、14%，分别排名前三。

综合而言，从全球范围内来看，走过“百花齐放”的阶段后，当下的存储芯片行业已经为少数几家头部厂商所垄断。

国产替代前景依然广阔

回到国内，国内的存储芯片需求极为庞大，根据中信建投证券的研报，这块市场规模超过了全球存储芯片市场的1/3，而存在的问题是自给率很低，只有个位数。

不过，最近几年，也有很多国内企业在存储芯片领域投入研发，已经有一批“选手”脱颖而出了。

在大宗市场， DRAM领域，国内的“种子选手”是长鑫存储；NAND Flash领域，国内的“种子选手”则是长江存储。

据了解，长江存储作为国产NAND Flash厂商于2017年成功研制中国第一颗3DNAND闪存芯片，2018年长江存储32层NAND Flash的量产，2019年64层NAND Flash的量产，2020年推出128层NAND Flash。

虽然被制裁，但长江存储依然表现不俗，于2022年世界闪存峰会上，该公司正式发布了基于Xtacking®3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。这款闪存芯片拥有232层的NAND结构，足可以与同期SK海力士发布的238层芯片相比，引发了广泛关注。

利基市场主要包含了4GbDDR4及以下的DRAM，2DNAND及NOR Flash、EEPROM等品类的产品，毛利较低，市场规模远小于主流储存产品，相应的，技术壁垒也相对较低，海外大厂正逐步退出，中国厂商则迎来了替代机遇。

目前，这部分市场的主要厂商分布在中国台湾及中国内地，其中位于中国台湾规模较大的厂商有华邦电子、旺宏电子。

而据同花顺统计，A股市场存储芯片概念股有66只， 这里面有自己生产存储芯片的企业，也有存储芯片领域内设计、封测、材料等其他环节的企业。

其中，存储芯片生产商主要包括兆易创新（603986.SH）、北京君正（300223.SZ）、澜起科技、普冉股份（688766.SH）、聚辰股份、东芯股份、紫光国微、江波龙等。

从2023年上半年的业绩来看，兆易创新、北京君正、澜起科技等厂商期内的归母净利润均遭遇了较大幅度的下滑， 表现并不是很好。

不过，即使是三星电子这样的全球龙头，其业绩表现也受到了芯片业务的拖累。

10月10日，该公司公布了2023年第三季度初步业绩。数据显示，其季度利润同比暴跌了80%，主要系芯片部门在第三季度持续亏损。

需求低迷之下，行业是一片寒意，海外大厂和中国厂商均受到了影响。

而近期有消息称，在铠侠、美光科技等海外存储大厂持续减产的背景下，存储芯片供给减量，主要存储厂开始向下游发出四季度合约涨价通知。不过，目前涨价预期主要集中在DRAM芯片领域，NAND存储芯片由于渠道库存依然较高，尚没有涨价空间。

CFM表示，本轮涨价行情基于供应端减产驱动，还需等待终端市场需求回暖，已经进入复苏周期的存储市场预计将在持续博弈中走出行情。

结语

回看日、韩存储芯片产业的崛起往事，产业大背景、新兴产业需求和政策扶持是行业发展起来的必要条件，而当下中国也具备了这些要素。

在国产替代的大趋势下，好好钻研技术的国内存储芯片厂商将有望实现腾飞，抢占更多市场份额。因此，待需求端回暖后，相关概念股的长期前景值得关注。

本文源自财华网

Nand Flash主要厂商及其产品

根据2020年二季度Nand Flash市场排名，三星占据31%，处于领先地位，紧跟其后的是铠侠，占比达17%。排名第三、第四、第五、分别是西数、美光、SK海力士。以下是DRAMeXchange统计数据：

电子发烧友对目前市场主要的Nand Flash厂商及其产品进行梳理，以下是具体内容：

三星

1、三星SSD 980 PRO

三星电子推出首款消费类PCIe 4.0 NVMe SSD：三星SSD 980 PRO， 980 PRO采用三星1XX层 TLC NAND闪存，以及容量分别为512MB和1GB的DRAM缓存，通过内部设计，可充分发挥PCIe Gen4的潜力。数据显示，三星SSD 980 PRO顺序读取速度最高可达7000MB/s，顺序写入速度最高可达5000MB/s。

2、870 QVO SATA SSD

三星推出了其第二代QLC闪存驱动器870 QVO SATA SSD， 870 QVO分别提供同类最佳的顺序读取和写入速度，分别高达560 MB/s和530 MB/s，借助该驱动器的Intelligent TurboWrite技术，它可以使用大型可变SLC缓冲器保持最高性能

3、eUFS 3.1

三星电子宣布已经开始批量生产用于智能手机的512GB eUFS 3.1，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，打破了智能手机存储中1GB/s的阈值。

三星eUFS 3.1连续写入速度超过1,200MB/s，是基于SATA SSD (540MB/s)的两倍以上，是UHS-I microSD卡（90MB/s）的十倍以上。

KIOXIA

1、第六代企业SAS SSD

随着其第六代企业SAS SSD系列的推出，专为现代IT基础设施设计的24G SAS将其上一代的数据吞吐率提高了一倍，同时搭载了新功能和增强功能，以达到新的应用性能水平。

PM6系列采用铠侠的96层BiCS FLASH 3D TLC闪存，可提供业界领先的高达4,300MB/s（4,101MiB/s）的SAS SSD顺序读取性能，比上一代提高了2倍以上。铠侠的新驱动器容量高达30.72TB，使其成为业界容量最高的2.5英寸SAS SSD。

2、BiCS FLASH

铠侠开发具有112层垂直堆叠结构的第五代BiCS FLASH™三维(3D)闪存。新产品具有512 Gb（64千兆字节）容量并采用TLC技术。

铠侠创新的112层堆叠工艺技术与先进的电路和制造工艺技术相结合，与96层堆叠工艺相比，将存储单元阵列密度提高约20%。因此，每片硅晶圆可以制造的存储容量更高，从而也降低了每位的成本（Bit-cost）。此外，它将接口速度提高50%，并提供更高的写性能和更短的读取延迟。

西部数据

1、SN550 NVMe SSD

Western Digital设计的控件和固件搭配最新的 3D NAND，可始终如一地提供优化的性能。

2、iNAND MC EU521

西部数据宣布率先基于UFS 3.1规范协议推出iNAND MC EU521嵌入式闪存产品，新增多项功能，并进一步提高速度、容量、降低功耗，再加上11.5x13x1.0mm小型封装尺寸。西部数据表示，iNAND MC EU521将在3月份上市，采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度。

美光

美光的下一代 M500 固态硬盘采用 Micron 20 nm MLC NAND 闪存、SATA 6 Gb/s 接口，具有行业标准 512 字节分区支持功能、热插拔功能以及功耗极低的器件休眠模式，并满足 ATA-8 ACS2 指令集规范要求。

SK海力士

Intel 突然宣布以 90 亿美元（约 601 亿）的价格将旗下的 NAND 闪存业务出售给了 SK 海力士，后者有可能成长为新的全球第二大闪存公司，SK海力士推出Gold P31系列SSD新品，是全球首个基于128层NAND闪存的消费者SSD。Gold P31采用的是128层TLC，PCIe NVMe Gen3接口，读取速度最高达3500MB/s，写入速度最高达3200MB/s，以满足长时间游戏的游戏玩家以及对性能和稳定性有较高要求的专业创作者和设计师。

英特尔

Intel基于144层3D QLC闪存Arbordale Plus，容量将比Intel目前的96层产品提升50%。

长江存储

128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

长江存储表示，X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速率。

旺宏

Macronix在2020年下半年生产48层3D NAND存储器。公司计划在2021年和2022年分别推出96层3D NAND和192层3D NAND。目前，该公司用于制造NAND的最先进技术是自2019年2月开始使用的19纳米平面技术，这款NAND Flash的第一个客户将是任天堂。

华邦

1、QspiNAND Flash

华邦提供了一系列相容于SPI NOR接口的QspiNAND产品，华邦的QspiNAND系列产品内建了ECC的功能，而且也能提供了连续好”块”的QspiNAND，这些都能让使用者并不需要额外的控制器。

2、OctalNAND Flash

全球首款采用x8 Octal接口的NAND Flash—华邦OctalNAND Flash产品可望提供车用电子与工业制造商高容量的储存内存产品，华邦电子首款采用全新接口的NAND产品，1Gb W35N01JW，连续读取速度最高可达每秒240MB， W35N-JW OctalNAND Flash采用华邦通过验证的46nm SLC NAND制程，提供卓越的数据完整性，且数据保存期更可达10年以上。此产品写入／抹除次数(Program/Erase Cycle)可达10万次以上，可符合关键任务型车用与工业应用所需的高耐用性与高可靠性。

兆易创新

GD5F4GM5系列采用串行SPI接口，引脚少、封装尺寸小，相比于上一代NAND产品，大大提升了读写速度，最高时钟频率达到120MHz，数据吞吐量可达480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供电电压，能够满足客户对不同供电电压的需求；同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择。

北京紫光存储

北京紫光存储Raw NAND颗粒是符合业界标准的闪存产品，适用于各类固态存储解决方案。Raw NAND颗粒需要搭配闪存控制器使用。全系采用业界领先的3D TLC闪存芯片。支持ONFI 4.0，最高读写支持667MT/s。采用业界领先的3D TLC闪存芯片，相比2D闪存芯片单位面积下容量大幅提升。

北京君正

公司Flash产品线包括了目前全球主流的NOR FLASH存储芯片和NAND FLASH存储芯片，其中NAND FLASH存储芯片主攻1G-4G大容量规格。

ISSI 系一家原纳斯达克上市公司，于 2015年末被北京矽成以7.8亿美元私有化收购，之后北京君完成对北京矽成100%股权收购。ISSI Introduces SLC NAND高性能4Gb SLC NAND主要用于嵌入式市场，能够满足工业、医疗，主干通讯和车规等级产品的要求，具备在极端环境下稳定工作、节能降耗等特点。

东芯

东芯串行NAND Flash产品为单颗粒芯片设计的串行通信方案，引脚少和封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，带有内部ECC模块。使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，提升了稳定性，也让其在成本上也极具竞争力，且提升了性价比。产品分为3.3V/1.8V两种电压，不仅能满足常规对功耗不敏感的有源器件，也使其在目前日益普及的移动互联网及物联网设备中，有足够的发挥空间。产品拥有多种封装，可更灵活的满足很多应用场景，比如常规的光猫，路由器，网络摄像监控，物联网及智能音箱等。

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