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紫光64层 nand 紫光64层NAND量产,打破外商垄断关键一战
发布时间 : 2024-11-23
作者 : 小编
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紫光64层NAND量产,打破外商垄断关键一战

【文/科工力量专栏作者 铁君】

日前,长江存储正式对外宣布,其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存正式量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。经过多年的努力,紫光在存储芯片上的高额投资终于收获硕果。本次长江存储量产64层NAND,一定程度上缓解了三星、SK海力士、镁光等公司的垄断局面,在当下的国际环境下,格外具有意义。

存储芯片市场被三星、海力士、东芝、镁光等大厂垄断

一直以来,存储芯片市场一直被三星、海力士、东芝、镁光等大厂垄断,三星、东芝、闪迪、镁光、SK海力士等国外巨头占据80%以上的市场份额,其中三星是领头羊,市场份额约38%。在DRAM市场,三星、SK海力士、镁光占据了超过90%的市场份额,其中两家韩国企业三星和SK海力士的市场份额加起来高达70%左右。

由于中国企业在NAND Flash和DRAM两种存储芯片方面的市场占有率微乎其微,且NAND Flash和DRAM被少数国际大厂所垄断,特别是韩国企业拥有非常高的市场份额,这直接导致存储芯片价格很容易受到垄断企业决策影响。由于三星公司因Note 7自燃事件遭受了60亿美元的损失,随后,存储芯片发生暴涨,进而带动固态硬盘、内存条、以及闪存卡等存储产品的价格就开始疯涨,镁光公司的NAND Flash 64GB MLC 颗粒在几个月内涨幅超过25%。

进而使华为、小米、OPPO、VIVO等整机厂商深受其害。

由于当下比较特殊的国际局势,NAND Flash高度依赖外商除了会使国内厂商在NAND价格上任凭外商摆布,还有可能受到国际复杂环境变化的影响,一旦供应被切断,对国内IT产业的打击是几乎是毁灭性的。由此看来华为等巨头寻找国产化“备胎”的计划尤为重要。长江存储在64层NAND上取得突破,未来将有效缓解了在NAND上单一依赖进口供应的局面,但是新供应链的导入需要时间,在短期市场上,长江存储的产品仍然无法大规模替代进口。

海外并购接连碰壁 自主研发取得成功

本次,长江存储在NAND上取得突破,是十多年持续研发的成果。早在2006年,武汉就投资100亿元启动武汉新芯项目,经过多年的磨砺和成长,武汉新芯在存储器领域已经有了一定成果。之后合肥、武汉等5座城市争夺存储器基地,由于武汉新芯在这方面已经有一定基础,因而最后武汉取得了胜利。随后,紫光等国有资本对武汉大量注资,并在将武汉新芯的基础上成立组建了长江存储。

在研发路线选择上,紫光选择同时走技术引进和自主研发路线。

就技术引进来说,紫光曾经试图以每股21美元,总价230亿美元的价格全面收购镁光,结果没能完成收购。紫光也试图以38亿美元收购西部数据15%股权,然后由西部数据出资190亿美元“曲线收购”闪迪,结果因受外部势力干涉最终不得不终止。之后,还传出紫光试图出资53亿美元收购SK海力士20%的股份,但该收购传闻最终也没有结果。

在海外收购频频碰壁的同时,紫光在境外持续高薪寻找优秀的人才,并严格遵守国际商业的道德规则,“只带人不带文件”,坚持“自己的技术要靠自己研发”,紫光集团还聘请了在中国台湾省有“存储教父”之称的高启全。在整合两岸技术团队之后,长江存储开启了自主研发之路,并在2017年完成32层NAND的小批量生产,在2019年完成了64层NAND量产。

可以说,紫光用实践说明了,在当下这个大环境下,与外商合作或并购的技术引进模式很难走通,与其并购或技术合作,不如直接挖人,组建自己的团队自主研发。毕竟,技术是随着人走的,人才是一家半导体企业最宝贵的财富。

长江存储独创Xtacking架构

长江存储本次发布的64层NAND采用了Xtacking架构。根据公开资料,长江存储搞出的Xtacking架构可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属垂直互联通道将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。

长江存储CEO杨士宁博士指出:

利用Xtacking技术,长江存储3D NAND闪存未来可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

还有材料指出:

紫光的64层的3D NAND得益于Xtacking技术,使得产品开发时间缩短三个月,生产周期可缩短20%,NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps,比传统3D NAND拥有更高的存储密度。这使得紫光的64层的3D NAND单位面积的存储密度可以接近国际大厂的96层3D NAND。

因此,紫光的64层NAND是具备一定市场竞争力的技术。根据长江存储的最新报道,64层NAND已于9月正式量产,2020年逐步提升产能,据业界传言,2020年底产能可望提升至月产6万片晶圆的规模。由于紫光的64层NAND性能逼近国际大厂的96层3D NAND,因而可以直接在商业市场与外商竞争。此前还有业界消息称,紫光会跳过96层NAND,直接研发128层NAND,力争在技术上进一步缩短与外商的差距,而这些消息目前还未得到官方的证实。

长江存储要重复京东方的突围之路

目前,长江存储只是技术上取得了突破,而且产能也比较有限。相对于三星、SK海力士、镁光、英特尔等国际大厂,无论在技术上,还是在市场份额上都有一定差距。长江存储在原材料、设备等方面对外商有较大依赖,在实现不被卡脖子方面依然任重道远。

因而对于长江存储正式宣布64层NAND量产,“沸腾体”或“厉害体”是不合时宜的。在未来几年内,由于要与三星等国际巨头拼刺刀,因而长江存储可能在未来5年内都很难赚到多少钱,甚至可能会重复京东方多年前连续亏损的发展历程。

比较让人担心的是,在媒体一轮“沸腾体”炒作后,之后几年因为企业营收和业绩不够“沸腾”,然后媒体又来一轮带节奏,抹黑长江存储。这并非杞人忧天,京东方就因为业绩不好看,被媒体誉为“A股亏损王”。

不过,长江存储也有很多有利的因素。首先是资本上紫光具备与国际大厂较量的实力,赵伟国曾经表示,计划筹集3700亿元为未来5年准备充足的“弹药”,因而紫光能够为长江存储提供充足的资金支持。

由于紫光体量巨大,产品线很全,不仅有NAND,还有PCIe NVMe SSD主控芯片,还有H3C这样的整机厂,内部可以进行垂直整合。

据小道消息,在2020年长江存储的64层NAND产能提升上来后,紫光麾下H3C的服务器、存储设备、智能终端将率先搭载长江存储的NAND。将来不排除向智能手机厂商组团推销展锐的SoC和长江存储NAND的可能性。这种垂直整合在长江存储NAND推向市场初期,能够提供非常关键的推动作用。一旦长江存储的NAND通过紫光系企业的推动获得市场认可,那么,国内其他企业自然会跟进,并使国外存储芯片企业在中国市场份额逐年降低。

期待在3至5年后,国人日常办公写的文稿,外出旅游的拍的照片,能够存储在国产的NAND里。

铁君(公众号 tieliu1888)

本文系观察者网独家稿件,未经授权,不得转载。

紫光64层NAND FLASH亮相,离三星还有多远?

来源:内容来自网络整理,谢谢。

在2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer。据存储在线报道称,这是紫光集团旗下长江存储推出的第二代64层3D NAND,也是业内存储密度最高的64层3D NAND芯片。据techweb的消息显示,长江存储今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存,明年开始逐步提升产能,预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。

(图片来源:存储在线)

回顾此前的一些消息,2018年,长江存储就公开了发布其突破性技术——XtackingTM。长江存储称,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,及更短的产品上市周期。当时也有消息显示,长江存储已成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。

另外,据观察者网之前的报道显示,目前长江存储即将于今年年底量产的64层Xtacking 3D NAND的存储密度仅比竞品96层的3D NAND低10~20%。而下一代,长江存储将直接跳过96层堆叠,直接进入128层堆叠的研发。

按照长江存储这个发展势头来看,它作为3D NAND的新秀的确取得了令人瞩目的成绩。而它距离世界领先水平,还有多远?

在3D NAND市场上,英特尔,镁光,三星,SK海力士、东芝、西部数据一直处于这个领域上的领先地位。在每个供应商都采用不同的方法来扩展3D NAND。

(来源:中国闪存市场)

据semiengineering的消息显示,在价格和竞争的双重压力下,3D NAND供应商们正准备迎接新的战斗,竞争下一代技术。众所周知,3D NAND通过设备中堆叠的层数来量化。随着更多层的添加,位密度增加。据闪存市场的统计显示,从技术方面上看,2019上半年三星、东芝存储器、西部数据、镁光、SK海力士等原厂仍以64层/72层3D NAND生产为主,从下半年开始将向96层3D NAND技术过渡,并积极向下一代100层以上3D NAND技术发展。

下面,让我们一同关注下,这些国际厂商在3D NAND上的一些动态:

SK海力士:6月26日,SK海力士宣布推出业内首款128层TLC 4D NAND Flash,生产效率提高40%,容量为1Tb,而且正在开发下一代176层4D NAND,预计将在2020年底可望投产。据悉,目前Flash原厂主要是集中提高96层3D NAND,SK 海力士推出的128层4D NAND是目前业界最高的垂直堆叠高度,具有超过3600亿个NAND单元,每个NAND单元存储3位元(TLC)。

三星:8月6日,三星宣布推出了首个100+层且单栈(Single-stack)设计的第六代V-NAND,并已开始批量生产基于该技术的250GB SATA SSD,还计划从2020年在韩国平泽工厂扩大第六代V-NAND生产,以确保其在业界的领先地位。三星第六代V-NAND是继其推出90层以上V-NAND后仅13个月所推出的新一代V-NAND。据悉,三星是利用独特的“通道孔蚀刻”技术,新的V-NAND在之前的9x层堆叠结构上增加了大约40%。这是通过建立一个由136层组成的导电模具堆,然后从上到下垂直穿透圆柱形孔,创建统一的三维电荷阱闪光(CTF)单元来实现的。

镁光:镁光去年开始就扩建他们在新加坡的Fab 10工厂,扩展旨在进行新的3D NAND工艺节点转换,并且保持和现在一样的晶圆产量。据悉,新建的无尘工作时能够生产更多堆叠层数,存储密度更大的闪存。据IT之家消息显示,目前新扩展出来的工厂正在进行设备安装,预计今年下半年将投产96层的3D NAND产品。据闪存市场消息显示,镁光第三代96层3D NAND已进入量产,下一代将向128层3D NAND推进,是64+64层的结构,从Floating Gate浮栅向栅极技术(Replacement Gate)过渡,并继续使用阵列下的CMOS架构,未来也将发展至200层堆叠。

东芝&西部数据:3月7日消息,东芝和合作伙伴西部数据日前宣布,已经完成了128层3D NAND Flash芯片的开发,预计商用名会是BiCS-5。据悉,BiCS-5理论容量密度提升约33%,晶片容量为512Gb(64GB),计划2020年到2021年期间商用。性能方面,BiCS-5芯片采用单Die四矩阵技术,写速相较于两矩阵翻番,达到132MB/s。这个速度怎么理解?就是SLC缓存饱和之后的SSD的真实写速。

英特尔:据Anandtech报道,由于闪存市场供过于求,价格不断下跌,英特尔决定今年降低NAND产量。此外在英特尔投资公告上,CEO鲍勃斯万确认了英特尔在未来一段时间不会增大产能。同时因为跟镁光的解约,英特尔将把3D XPoint/傲腾闪存的生产线转移至中国。报导指出,目前英特尔于中国大连的工厂是2010年开始投产,现在专门为英特尔生产3DNAND Flash闪存,之前也曾扩展产能。不过,现在英特尔并不打算继续投入更多钱扩建。相反地,英特尔将专注64层、96层,甚至更高数量的堆栈技术来压低单位生产成本,这也显示英特尔即将研发下一代超过100层堆栈的3DNANDFlash闪存。

*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。

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