铠侠提出为SK海力士生产芯片，以恢复与西部数据的合并谈判

IT之家 2 月 18 日消息，据路透社援引日本共同社报道，日本 3D NAND 闪存制造商铠侠（Kioxia）向其投资者、韩国竞争对手 SK 海力士（SK Hynix）提议，允许其在铠侠位于日本的工厂生产非易失性存储器。此举旨在让 SK 海力士改变其对铠侠与西部数据合并计划的反对态度，目前尚不清楚 SK 海力士是否会对此提议感兴趣。

IT之家注意到，铠侠与西部数据的合并谈判去年陷入停滞，原因是韩国公司 SK 海力士反对美日两家公司合并成大型 3D NAND 闪存芯片巨头。SK 海力士之所以阻挠合并，是因为合并后的公司规模将远超其自身。

为了克服这一障碍并获得 SK 海力士的支持，铠侠提议允许其使用由铠侠和西部数据联合运营的日本 3D NAND 晶圆厂来生产芯片。这一战略性提议旨在为合并获得批准铺平道路，最终在全球 3D NAND 闪存芯片市场中创造一个巨头。

借助铠侠提供的额外产能，SK 海力士可以大幅提升其 3D NAND 存储器产量，而无需投资扩建或新建工厂，这看起来似乎是一个颇具吸引力的提议。然而，该交易的具体财务条款尚未披露。

根据 TrendForce 追踪的 2023 年第三季度市场份额，合并后的铠侠和西部数据将控制全球 3D NAND 市场约三分之一 (31.4%) 的份额。这远高于 SK 海力士的 20.2% 的份额，也接近三星的 31.4% 的份额。即使部分铠侠 (或合并后的实体) 的产能提供给 SK 海力士，新公司仍可能比这家韩国存储器巨头更大，这也是 SK 海力士可能仍然将其视为重大威胁的原因。

需要注意的是，铠侠和 SK 海力士均未确认有关产能的谈判，因此该信息应谨慎看待。

消息称SK海力士HBM4内存使用台积电N5版基础裸片

IT之家 7 月 17 日消息，《韩国经济日报》（Hankyung）表示，SK 海力士将采用台积电 N5 工艺版基础裸片（Base Die）构建 HBM4 内存。

新一代 HBM 内存 HBM4 的 JEDEC 标准即将定案。而根据IT之家此前报道，SK 海力士的首批 HBM4 产品（12 层堆叠版）有望于 2025 年下半年推出。

SK 海力士和台积电双方于今年 4 月签署了合作谅解备忘录，宣布将就 HBM 内存的基础裸片加强合作。

而台积电在 2024 年技术研讨会欧洲场上表示，该企业

其中 N5 版基础裸片面积仅有 N12FFC+ 版的 39% ，同功率下逻辑电路频率可达 N12FFC+ 版的 155%，同频率功耗则仅有 35%。

N5 工艺版基础裸片可实现 6~9μm 级别的互联间距，在目前流行的 2.5D 式封装集成外还能支持 HBM4 内存同逻辑处理器的 3D 垂直集成 。这一纵向结构可提供更大的内存带宽，将深远改变 HPC&AI 芯片生态。

HBM 内存基础裸片转由逻辑晶圆厂生产也是半导体制造两大领域走向融合的最好证明。韩媒在报道中提到，SK 海力士和三星电子均正为其 HBM 内存团队补充逻辑设计人才 。

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