64层3D NAND推动数据繁荣，西数用它实现500MBS连续写入速度

借助先进的64层3D NAND技术和UFS/e.MMC接口技术，西部数据(Western Digital)日前宣布推出全新的iNAND嵌入式闪存盘(EFD)产品iNAND 8521和iNAND 7550，旨在通过卓越的数据性能和高容量存储，为智能手机和轻薄型计算设备在进行增强现实(AR)、高分辨率视频捕捉、终端侧人工智能(AI)和物联网(IoT)应用时带来更佳的体验。

数据密集型移动设备的未来

“5G与人工智能、移动视频与影像、移动应用的数量和大小决定着数据密集型移动设备的未来。”西部数据公司嵌入式及集成解决方案(EIS)产品市场管理总监包继红女士在接受本刊专访时表示，当前数据量、数据的产生速度、多样化和其带来的价值都持续呈指数级增长和演变。根据Counterpoint Research提供的数据，预计到2018年末，全球每部智能手机的平均存储容量将攀升到超过60GB。

以即将到来的5G为例，由于能够提供比4G LTE网络快100倍的网速，下载一部2小时高清电影的时间将从4G时代的6分钟缩短为3秒，再加上移动内容容量复合年增长率达到了惊人的46%，如果没有先进的3D NAND嵌入式闪存解决方案，消费者很难体会到日益增多的丰富多媒体内容和数据驱动体验。

而人工智能的出现则加剧了这一趋势。目前，人工智能在面部/语音/手写识别与增强、计算机视觉、人工创意、游戏设计理论与游戏人工智能、自然语言处理与转换等多方面实现了应用。未来，机器将作为人类的辅助，实现自动驾驶、股票交易、创作音乐诗歌绘画、进行天气预报等更具挑战性的工作。这就需要终端设备拥有更快的处理器并采用多核引擎来实现节能，拥有更多传感器持续收集信息实现背景资讯感知与实时反馈，以及海量存储以满足终端的数据处理需要。

包继红用以下几张图片为我们勾勒出了未来几年内移动视频与影像的发展趋势。可以看出，移动数据在未来5年将增加7倍，具体到视频，这一数字将达到9倍。2017年，70%的用户愿意用智能手机观看电视和视频，而在2012年，这一比例却只有30%。

与此同时，移动APP应用所需体积也在不断膨胀中。以最为知名的微信和王者荣耀为例，使用1年后，APP自身的大小分别达到了5GB和1.2GB。

**揭秘iNAND 8521/7550 **

除了容量外，包继红还强调了性能的重要。iNAND 8521嵌入式闪存盘专为需要使用大量数据的用户设计，采用UFS 2.1接口和西部数据新型第五代SmartSLC技术。相比于公司面向旗舰智能手机的上一代iNAND移动解决方案iNAND 7232嵌入式闪存盘，这次的iNAND 8521提供了2倍的顺序写入速度和高达10倍的随机写入速度。通过快速并智能响应用户的应用性能需求，它使用户能够快速玩转虚拟现实游戏，并且快速下载高清电影。此外，当服务提供商向5G网络演进时，iNAND 8521嵌入式闪存盘卓越的数据传输速度还将允许移动用户利用更快的Wi-Fi和网络增强功能。

iNAND 7550嵌入式闪存盘帮助移动设备制造商打造存储空间充足且具有高性价比的智能手机和计算设备，以满足消费者不断增长的存储需求，同时提供快速且具吸引力的应用体验。iNAND 7550嵌入式闪存盘基于e.MMC 5.1规范，是目前西部数据基于广为使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解决方案，可提供高达260MB/秒的顺序写入性能以及20K IOPS和15K IOPS的随机读/写性能，更有助于同时加快自身和应用启动的速度。

包继红表示，业界采用UFS接口的高峰并没有在2016-2017年到来，该标准将在2018年迎来真正的爆发黄金期，8521正是为迎接这一趋势所进行的布局之一。e.MMC也不会由于UFS的出现而消失，毕竟UFS当前仍用于旗舰机型中，在非洲、印度等新兴市场中，即便是低端的e.MMC产品还在大量使用，所以两个标准将会并行存在，不存在相互取代的关系。

而对于过去18个月来闹得沸沸扬扬的闪存缺货现象，包继红分析认为一是从HDD变成了SSD，这是闪存的竞争优势；二是从2D转3D的时候，闪存产能也受到了很大影响；三是闪存厂商对闪存产能问题有所迟疑，以往缺货不缺货这件事一直是起起伏伏，但是每次一缺就增加产能，一下就调整过来了，没有发生过长时间的缺货，但这次几个事件同时发生，所以闪存缺货时间也是最长的一次。

速率高达1Gbps！三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片

想不到吧？其实三星电子在2017年1月份时已经开始向自己的主要IT客户开始正式量产256GB基于64层 V-NAND芯片的固态硬盘了；而这64位的V-NAND芯片基已经被认为是世界上第四代V-NAND芯片，其最高的数据传输速率达到了1Gbps，并且具有业界最短500微秒（㎲）的烧录器烧录单个芯片的时间（tPROG），这个数据要比现在10nm级的NAND闪存速度要快将近4倍左右。

这样的数据也要高于三星此前最快的基于48层三位256GGB V-NAND闪存的速度快了约1.5倍。

此外，与三星电子此前的48层256Gb V-NAND相比，新的64层256Gb 3-bit V-NAND提供了超过30%的生产率增益。而64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压，与使用48层V-NAND的3.3伏相比，在能量效率方面也有约30%左右的提升，而全新的V-NAND电池的可靠性与前代相比也增加了约20%。

三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。虽然秀了半天肌肉，小狮子还是更关心这固体硬盘的价格什么时候才能降到我们喜闻乐见的价格啊。

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