国产 32层 nand 领先全球存储三巨头！中企率先量产应用，外媒：挡不住了

领先全球存储三巨头！中企率先量产应用，外媒：挡不住了

芯片的种类非常多，还有多种分类方式。按用途分的话，可分为计算芯片、存储芯片、通信芯片等。其中，存储芯片是一大类，且是全球芯片市场比重最大的产品之一。

我国每年进口的几千亿美元芯片产品中，存储芯片一般占到三分之一。存储芯片用途非常广泛，但全球存储市场基本被国外垄断。不过中企正在努力，近日又有突破！

大家购买电子产品时，比如智能手机，一般会考虑运行速度的快慢、能否运行更大的应用软件等，而决定设备性能的除核心处理器外，另一个重要因素就是存储芯片。

处理器决定着电子设备的运算速度，而存储芯片决定着设备的读取数据的速度能力。

存储芯片按照断电后数据是否会丢失，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片两大类。易失性存储芯片中，用得多的就是DRAM，一般叫内存，可用于临时存储。

在全球存储芯片产品中，DRAM的市场份额占比为53%，主要被三星、SK海力士和美光三家巨头垄断，两家韩企一家美企，三家在全球DRAM市场份额达到96%左右。

非易失性存储芯片中，用得多的就是NAND FLASH，一般叫闪存，可用于长期存储。

在全球存储芯片产品中，NAND FLASH的市场份额占比为44%，主要被三星、东芝、美光、SK海力士、英特尔五家垄断。总之，韩美日三国垄断了全球存储芯片市场。

尤其是韩企，在全球存储市场的份额最大，三星和SK海力士在DRAM市场上能够占到72%，在NAND FLASH市场上也能占到47%，其他份额基本被美日厂商瓜分。

在2016年以前，我国在全球存储芯片市场的份额基本为零，所以根本没有话语权。国外存储芯片厂商因为有了垄断的优势，掌握了定价权，经常会时不时提高产品价格。

稍微了解情况的都知道，国外存储芯片厂商偶尔会出现着火等事故，然后就涨价了。

为打破国外垄断这个局面，中企开始突围，国产存储芯片已经实现了从0到1的突破。长鑫存储主攻内存DRAM，今年产能将达到月产12万片，市场份额有望提升到8%。

长江存储主攻闪存NAND FLASH，其武汉存储基地一期的产能已经实现稳定量产，二期扩产正在进行，达产后总产能将达到月产30万片，预计市场份额可提升至7%。

长江存储是由紫光携手武汉新芯于2016年成立，自此开始加速发展NAND FLASH。

我们的芯片企业想要突围相当不易，因为还得面对西方的封锁限制。即使如此，长江存储一直在努力攻坚，差不多用了6年时间，实现了闪存技术从落后到全球领先。

成立后，长江存储用了两年时间研发出了首款国产32层3D NAND，实现从0起步。

为缩短与国外厂商差距，长江存储采取了跳跃式发展，在研发出了64层之后，直接跳过96层，推出了128层堆栈的闪存，领先于三星率先推出，达到了国际领先水平。

随着长江存储闪存产能的不断提高，让我们不用再担心存储芯片被“卡脖子”，还在存储芯片市场拥有了议价权，后来NAND Flash开始回落，国外厂商也不再着火了。

重点是，长江存储的3D NAND闪存技术完全自主研发，还推出了“Xtacking”架构。

近日，在2022年闪存峰会上，长江存储正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070，拥有更高存储密度、更快速度。

值得一提的是，长江存储这款产品不仅实现了量产，而且已经被用在海康威视的产品上。要知道，长江存储这次领先于三星、SK海力士、美光这全球存储芯片三巨头。

近期以来，西方已盯上了国产存储，并且开始施加了多次限制，想要阻挠我们存储芯片的快速发展。即使如此，中企还在积极突围。对此有外媒评道，根本挡不住了！

中国芯片龙头长江存储起诉美国公司专利侵权，双方均予以最新回应｜硅基世界

长江存储消费级固态硬盘品牌致态ZHITAI（图片来源：长江存储官网）

近日有消息称，中国存储芯片龙头长江存储（YMTC）已于11月9日在美国法院起诉美光科技有限公司（下称“美光”）及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司，涉及专利起诉。长江存储在起诉书中称，美光侵犯其8项美国专利，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

对此， 11月13日下午，长江存储科技有限责任公司向钛媒体App展示的一份声明中回应称：

“虽然我们无法讨论未决诉讼的细节，但我可以确认，长江存储最近在美国加州北区地方法院提起诉讼，指控美光科技公司侵犯了我们公司与3D NAND技术的设计、制造和运营相关的专利。正如我们致力于追求进步和产品创新一样，我们坚定地致力于保护我们的知识产权。我们相信这件事会很快得到解决。”

美光科技（Micron Technology）方面早前对钛媒体App回应表示：美光不对未决诉讼发表评论。

长江存储起诉美光科技的诉讼书截图（来源：美国加利福尼亚北区法院官网）

随着半导体产业的发展，存储芯片作为关键组件之一，已经成为科技公司间竞争的焦点。

据悉， 长江存储是中国最大的闪存芯片（3D NAND Flash）制造厂商，立于2016年，总部位于湖北武汉。根据其官网，长江存储总投资额2200亿元，专利申请数超8000项，投入逾6000位工程师。据去年9月的一份文件引述高榕资本2021年的投资意向信息显示，长江存储投前估值达1600亿元。

NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质，NAND Flash可制造SSD（固态硬盘）等存储器，用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示，2023年第二季度，全球NAND Flash厂商中，三星、铠侠、SK海力士、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他厂商占比仅3.8%。

但在2021年，长江存储在闪存芯片领域的全球市占率已达到4%，在国内仅次于三星、SK海力士和美光科技等竞争对手。

2022年10月，美国商务部工业和安全局（BIS）发布出口管制新规，限制美国企业对华出口芯片制造设备等，其中包括生产18nm或以下的DRAM（动态随机存取存储器）芯片、128层或以上的NAND闪存芯片，必须申请许可证并将受到严格审查。而且，BIS要求限制中国工厂进口用于生产先进制程芯片所需的技术和设备。去年12月15日，美国商务部又将长江存储、寒武纪等36家科技公司列入了“实体清单”。

美光科技成立于1978年，是全球领先的创新内存及存储解决方案厂商。2007年3月，美光科技首次在中国西安成立工厂，主要生产DRAM和NAND存储芯片。目前美光在中国的西安、上海、北京和深圳拥有运营中心。今年6月，美光宣布计划在未来几年中对其西安封测工厂投资逾43亿元人民币。

长江存储在此次起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。美光公司不支付公平专利费用，而是自由利用长江存储的创新。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash市场来阻止竞争和创新。

长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。

长江存储在以上起诉书中强调，长江存储不再是新秀（upstart），而已成为全球3D NAND市场的重要参与者，并称美光受到了长江存储上升的威胁。

2018年，长江存储量产首代32层3D NAND Flash芯片，2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存，2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。长江存储此前还推动扩产。集邦咨询分析称，2022年第三季度，受长江存储扩大笔电Client SSD出货等影响，价格战日益激烈，原厂不得不拉大议价空间，吸引客户提高订单数量。

集邦咨询方面近期对外表示，展望2024年，市场将需要关注存储芯片减产以及库存下降从而是否能持续转移至买方，且产能增加、市况回温是否可能导致供需失衡，以及终端需求是否符合预期回温，其中 AI 相关订单的持续性将是重心。

美光亚太区业务拓展总监最近表示，到今年年底，存储厂商的库存水平将开始趋向正常化。2024年相信存储市场将实现大幅同比增长。云以及超大规模固态硬盘市场的年度增长将明显超过企业市场，这种趋势将持续到2027年。

（本文首发钛媒体App，作者｜林志佳）