苹果正在考虑在iPhone中使用QLC NAND闪存来增加存储容量

根据7月22日的市场研究报告，苹果公司正在考虑使用QLC NAND闪存来提高iPhone产品的存储容量，最早可能在2026年应用于其中。QLC NAND是一种四层单元的闪存技术，每个单元可以存储4bit数据，与TLC相比，其储存密度提高了33%。虽然QLC NAND适用于大容量应用和消费电子产品，但它的耐久度较低，并且通常需要100到1000次写入循环才能达到P/E Cycle（Program Erase Cycle）。

苹果公司已经在探索如何将NAND闪存用于语言模型存储而不是内存，这样就可以在本地运行更多的AI任务。因此，过渡到QLC NAND可能会改善Apple Intelligence的表现。

总结起来，在未来几年中，我们可能会看到更多iPhone和其他苹果产品使用高密度、低成本的QLC NAND闪存来提升其存储容量和性能。

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7年容量增长10倍，NAND闪存需求被长期看好

NAND闪存在2017年价格冲顶之后，近几个季度以来销售价格均呈现跌跌不休的态势，且2018年便已跌破本轮价格上涨时的初始价位。但是，从长期来看，数字经济发展的大趋势不会改变，人们对存储器的需求持续增加，NAND闪存产业前景仍然长期看好。决策者不应当受限于短暂的市场低潮，影响长期布局。

二季度NAND闪存价格跌势难止

进入第二季度，NAND闪存的价格并未如同年初时的乐观估计，摆脱下跌通道。根据集邦咨询半导体研究中心第一季度末发布的数据，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季度各类NAND 闪存的合约价季度跌幅近20%，成为2018年年初以来跌幅最剧烈的一次。不过集邦咨询对第二季度的展望相对乐观，集邦咨询分析师叶茂盛表示，历经了第一季度的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑和服务器等需求将得到改善。同时，NAND闪存厂商也在减产和控制资本支出。因此，第二季度的跌幅将有所收敛。

然而，第二季度的实际市况仍然不容乐观。日前，零组件厂光宝总执行长陈广中在公司法说会上表示，就目前来看，NAND闪存的库存还没有清干净，价格跌幅确实小了，但跌价的影响还在，应该要到第三季度才会比较缓和。

需求长期向好，7年容量增长10倍

短期内NAND闪存需求的不如人意，并不影响市场的长期向好态势。随着社会进入数字经济时代，海量数据的产生、存储与价值挖掘成为必然。而全球数据量爆发式增长，将对NAND容量提出更高要求。根据Garner数据显示，2015年全球NAND闪存需求量为87EB，2022年将增长到861EB，2022年社会对NAND闪存的需求量将达到2015年的10倍。其中，计算用固态硬盘（SSD）和移动存储器是最具成长性的两大细分市场。预计2022年数据中心SSD市场规模约为237亿美元，2018年到2022年数据中心存储数据量的复合增长率达到57%，而2022年个人电脑用SSD市场规模将达到187亿美元。在移动存储方面，2018年到2022年手机存储容量预计每年增长29%，2022年智能手机闪存市场规模将达230亿美元。

中国是全球最大的消费电子产品生产国，出口国和消费国，2018年中国生产手机18亿部，生产计算机3亿台，生产彩电2亿台，已占到全球超过80%的生产总量。因此，中国市场对全球存储器产业极为重要，中国已经成为全球最大的存储器市场。据国内市调公司统计，2018年全球半导体市场规模达到1500亿美元，其中NAND 闪存超过570亿美元。在移动通信和计算用SSD领域，中国对NAND的需求占比全球将从2017年的30%和25%，提升到2021年的50%和30%。

行业低潮期，国际大厂依然在投资

虽然中国在全球存储器市场中举足轻重，但是中国企业在全球NAND闪存中的占比却不超过1%，来自韩日美的企业占据了几乎全部市场份额。随着市场进入下行周期，社会上对于中国如此大举投资发展存储产业又传出了不同的声音。

事实上，考察国际上几家大型存储巨头，虽然当前市场行情转冷，但是几家主要厂商对NAND闪存的投资仍然十分积极。根据Garner的数据，在全球对于存储器产业的投资中，对NAND的投资是最高的。2018年最高峰达到约340亿美元，2019年虽然有所缩减亦将超过250亿美元。其中，三星电子已宣布量产96层3D NAND Flash，并将陆续投资70亿美元在西安设立第二座NAND闪存制造工厂。项目建成后，可以生产NAND闪存芯片6.5万片/月。预计2019年年底厂房建设完工，设备搬入并开始量产。

3月28日，SK海力士宣布，将投资大约1.22万亿韩元用于加强与合作伙伴公司和半导体生态系统的双赢关系。此前，SK海力士已宣布将龙仁、利川和清州半导体作为半导体3轴。龙仁将作为DRAM/下一代存储器生产基地和半导体双赢生态系统基地，利川将作为总部、研发中心主厂区和DRAM生产基地，清洲则将作为NAND Flash生产基地，以追求公司的中长期增长。

当然，技术创新也是决定企业成败的重要因素之一。有消息称，SK海力士已决定停止生产36层、48层3D NAND，并提高72层的生产比重。今年下半年计划利用96层4D NAND产品刺激SSD、移动市场。英特尔开始利用其新开发的傲腾技术，推出采用固态储存的Intel Optane存储器H10，该产品将Intel Optane技术和Intel Quad Level Cell(QLC)3D NAND技术的储存容量整合在单一的M.2模块当中。这是第一款同时基于DRAM和NAND Flash优势的产品，适合在服务器内使用。通过技术上的创新，占据行业竞争的优势地位，是存储业重要的手段之一。

对此，有专家分析指出，之所以几家国际大厂如此重视NAND闪存，是因为相较于DRAM产业在经历了汰弱留强后，如今全球仅剩下三星、美光与SK海力士等三大巨擘，而三星更占据全球DRAM近5成市占，NAND产业正处于战国群雄各自割据的局面。这一轮价格下跌在为NAND产业带来严峻考验的同时，也带来了契机。因为NAND是一个周期性很强的行业，正如DRAM过去十年的发展，现在三星在存储市场能有这么强的实力，最重要的原因就是当存储市场下跌非常大的时候，厂商一般会砍掉部分产线，三星正好恰恰相反，进行投资扩产，业界称之为逆周期投资。中国已经成为全球最主要NAND闪存市场之一，在多数厂商如此重视NAND的投资发展之际，中国也不应有所退缩。现在整个存储芯片市场开始下跌，国内厂商加大投资，未必是一件坏事。真正存储芯片市场决胜的时间也将在下一个周期展开。

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