NAND Flash市场这么缺货，主控厂商还怎么玩？

从2016年Q2开始的NAND Flash缺货潮对整个产业上下游带来影响。如果说市场供不应求使得渠道商受益，那么对主控芯片厂商而言呢？

据中国闪存市场的数据显示，闪存市场经历了持续时间最长且涨价幅度最高的缺货潮，从2016年第2季度以来，消费类闪存产品每GB的单价从2016年0.12美元上涨到0.3美元以上，主流的eMMC产品上涨幅度超过60%，SSD产品超过80%。2017年NAND Flash的存储密度即生产量达到了1620GB当量，相比2016年提升40%。现阶段，市场售价依然较高，部分市场供应得不到满足。

最近，深圳市硅格半导体股份有限公司(SiliconGo)接受国际电子商情采访时回应了目前闪存行情以及对主控芯片厂商的影响。

左：硅格SSD产品经理张义锋，右：硅格市场经理罗挺

成立于2007年的硅格半导体（SiliconGo），如今走过了十年历程。硅格专注于固态存储控制芯片的设计，所设计的控制芯片应用领域涉及便携式U盘、存储卡，嵌入式领域eMMC以及固态硬盘SSD等。截止2016年底硅格eMMC存储控制芯片累计出货量达到1亿颗。硅格SSD控器芯片已经量产，SSD固态硬盘客户正在导入中，预计9月底面市。

随着云存储的到来，记者不禁疑惑U盘的市场空间。硅格市场经理罗挺表示，的确U盘市场的比重在整个NAND Flash的应用比例中有一定程度的下滑，不过由于基数大，且NAND Flash每年的产量仍在爬坡，故U盘市场在未来的一段时间内还将维持非常大的市场。“U盘主控市场的份额我们仍然会继续维持，而嵌入式存储和SSD则是我们关注的重点方向。”

的确，闪存缺货抑制了主控芯片出货量，不过罗挺认为这得从两方面看待。一是从去年开始的闪存供应紧张对主控芯片的影响不可避免。它影响当前的出货量。二是，硅格是SSD主控市场的后来者，前期由于闪存产能紧张，市场需求没有得到满足。但这恰巧给硅格留了更多时间打磨产品，一旦闪存产能爬升，市场需求完全释放，硅格的产品已恰时推出，将具有后发优势，有利于抢攻需求极速爆发的市场。

目前各大厂商都在将NAND Flash产线从2D转移到3D。3D NAND 在SSD产品上的应用也日趋增多。罗挺分析，目前主控有两种纠错算法，BCH和LDPC，而使用3D NAND的SSD，必须采用LDPC算法才能够保证产品可靠性。硅格推出的SSD主控芯片SG9081拥有2KB码长LDPC，支持SATA3.2协议，4通道，内置 RAID，DSP等算法，可帮助客户实现高性价比的消费级和工业级的固态硬盘解决方案，推向市场后将有望重写市场主控格局。

值得一提的是，硅格在平板电脑、电视盒子市场eMMC主控芯片出货成绩也颇为优秀，据悉约占深圳平板电脑市场eMMC主控芯片50%以上的份额，针对手机的方案也已经得到MTK、展讯等平台的认可。

硅格的产品线覆盖面广，这正是从一站式服务One Stop Solution的理念出发。一站式服务就是帮助拥有NAND Flash资源的客户，实现从Die Sorting、Assembly、Production到QC的全流程服务。硅格拥有完整的控制芯片产品线，针对不同等级的NAND Flash提供不同的解决方案。简单来说，一张wafer若要物尽其用，通过硅格不同的产品线产品满足不同等级的Die的应用，实现客户产品价值的最大化。

罗挺认为，硅格在市场上的角色并不是“第一个吃螃蟹的人”，但硅格凭借对市场的深刻理解，对产品的精准定位，最优性价比和齐全的服务获得市场空间，给客户更多选择。

目前硅格共有110多名员工，其中研发人员占80%。“主控芯片研发从demo到产品批量，这其中需要时间、技术的积累，需要走不少路、填不少坑。硅格已在固态存储控制芯片的路上耕耘了10年，未来也将在这道路上持续发力。” 硅格SSD产品经理张义锋表示，我们与美光、SK海力士等存储原厂建立合作，第一时间对存储芯片进行分析，同时通过不同等级不同原厂Flash的分析，在主控研发中获得经验积累，在产品迭代中提升与完善。芯片工艺上，硅格主控芯片经历了180nm到55nm再到40nm、28nm,据悉目前量产的eMMC，SATA SSD主控为55nm工艺，试产的UFS主控40nm工艺，未来PCIe SSD控制芯片将采用28nm工艺。

3D NAND的导入与成熟，闪存市场的供应缓解，以及消费类市场对大容量存储和成本控制的要求，都预示着未来存储主控芯片的巨大市场空间。因此，产品线全面且不断扩充升级的硅格非常看好后续的发展。

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NAND Flash市场价格大跌65%，原厂产能“紧急制动”，如何布局？

2018年上半年Flash原厂三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士，以及中国企业在投资、建厂、扩产等方面展开竞赛，下半年原厂又在96层和QLC创新技术上竞争激烈，使得2018全年NAND Flash供应大幅度增加40%，消费类NAND Flash市场价格更是大跌65%。

2018年市场价格大跌出乎预料，已影响到企业财报获利，为了平衡市场供需，原厂产能“紧急制动”，且调整市场策略，2019年原厂3D NAND技术进展如何，产能如何布局，NAND Flash市场行情如何发展？

2018上半年Flash原厂持续扩大64层/72层3D TLC NAND产出，下半年64层QLC（4bit）和96层TLC陆续上市，单颗Die均可达1Tb，使得2018全年NAND Flash供应大幅度增加40%。

然而2018年三星、苹果智能型手机出货不及预期，中国手机品牌厂容量升级迟缓，且部分出现销量下滑的情况，再加上英特尔PC处理器在Q3旺季缺货，北美数据中心在Q4订单大幅缩减等影响，使得NAND Flash市场供过于求，消费类NAND Flash价格大跌65%。

2018年NAND Flash行情反转向下，到年底消费类每GB价格更是跌破0.1美金，原厂不得不改变策略，纷纷减少Wafer产出，缩减2019年投资金额等平衡市场供需。但由于原厂96层3D NAND技术在2018下半年以及2019上半年量产，新3D NAND如期推进，再加上苹果下调iPhone订单，原厂库存压力较大，预计2019年Q1市场价格将持续跌势，进入Q2市场需求会有所上升，而NAND Flash市场也将上演供应和需求的拉锯战。

随着3D技术的快速发展，2018年原厂三星、东芝/西部数据、美光/英特尔3D NAND生产比重已超过80%，美光甚至可以达到90%，但由于原厂在Q4淡季减缓Wafer产出，中国闪存市场ChinaFlashMarket将2018年NAND Flash存储密度下调至2260亿GB当量，但仍较2017年大增40%。2018年SSD与嵌入式产品合计消耗85%以上的NAND Flash产能，2019年仍然是主力需求市场。

2018年三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等推动64层/72层3D NAND技术成为主流，相较于1znm工艺2D技术每片切割出600多颗128Gb的Die，不仅容量翻倍，单颗Die的总数更是增加了60%以上，这不仅使NAND Flash产量增加，NAND Flash成本也进一步下滑。

到2019年，原厂将以96层为主流量产技术，随着技术的不断成熟，量产良率也会逐步增加，尤其是单颗Die从512Gb量产，且向1Tb容量升级，中国闪存市场ChinaFlashMarket预计2019年NAND Flash存储密度将进一步增长至3100亿GB当量。

2018下半年三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等陆续量产新一代96层3D NAND技术，预计将在2019年扩大出货量。根据各原厂规划，96层技术量产的单颗Die容量将从256Gb/512Gb向512Gb/1Tb容量转移，同时64层QLC也可将容量提高到1Tb，预计从2019年Q2开始规模化出货，恐对NAND Flash市场产生巨大影响。

2018年原厂三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等不仅在96层和QLC创新技术上展开激烈竞争，更是在投资、建厂、扩产等方面拉开战局。

原厂产能竞赛如火如荼时，市场需求却在2018年Q4骤降，尤其是苹果iPhone销量不佳，使得淡季更显疲软，再加上全年消费类NAND Flash价格大跌65%，原厂不得不改变策略，西部数据减少Wafer产出量，并减缓下一步96层3D NAND扩产计划，三星则缩减平泽工厂二楼的生产规模，美光将2019年投资预算从之前预估的105亿美元下修至90亿美元。

因为原厂的策略发生变化，中国闪存市场ChianFlashMarket将2019年存储密度从原本预估的3200亿GB当量下调至3100亿GB当量，增长率下滑至35%。

中国大力发展存储产业，瞄准3D NAND、DRAM、NOR Flash、SLC NAND等产品线，长江存储、合肥长鑫、紫光存储、兆易创新、东芯半导体、紫光西部数据等企业分别从技术研发、产品创新、大数据方案等方面寻求突破。

不过，中国在存储产业发展的道路上，也遇到了一些艰难险阻，比如：福建晋华遭受“禁售+诉讼”双重打击后如何破局？合肥长鑫是否也会面临同样的境遇？长江存储如何确保3D NAND品质、良率等，实现在2019年快速出货？这些都是业内人士以及国际大厂关注的焦点，也是中国存储产业发展需要克服的困难。

UFS 3.0单通道理论带宽提升到11.6Gbps，传输速度是UFS 2.1的2倍，双通道最高达23.2Gbps，若在四通道配置下，理论带宽将高达46.4Gbps，超过PCIe SSD的速度。此外，UFS 3.0温度从-25℃至85℃扩展为- 40℃至105℃，并针对高温下电子流失，增加了数据刷新操作，通过重写数据延长高温下数据保存时间，还增加了温度提醒、报警功能，以符合汽车、监控、工业等领域对宽温的要求。

随着UFS 3.0规范的发布，以及引领96层3D NAND技术的发展，西部数据已在2018年基于新一代96层3D NAND推出EU321 UFS2.1；东芝采用最新的96层3D NAND已推出业界首款UFS3.0产品，三星将要推出的新一代UFS 3.0产品，提供128GB、256GB和512GB容量选择，群联也推出了PS8317 UFS 3.0控制芯片布局市场，预计UFS 3.0有望在2019年实现商用，满足5G手机，以及先进驾驶辅助系统（ADAS）的智能汽车市场日益增长的存储需求。

三星智能型手机出货下滑，苹果新iPhone上市不如预期，再加上中国手机市场竞争激烈，2018年全球智能型手机出货下滑2.7%至14.5亿台，中国市场智能型手机出货下滑15.5%至3.9亿台，在全球市占份额也下降至26.9%。根据市场需求变化，原厂已及时对NAND Flash产能进行调整，但还需花费一段时间，所以原厂当务之急是将因苹果需求减少而多出来的产能在市场上消耗掉，全球智能型手机出货下滑已是事实，而高端智能型手机256GB和512GB容量将是2019年消耗NAND Flash产能的强劲动力。

2018年eMMC价格最高跌幅超过50%，eMCP价格跌幅超过30%。到2018年底eMMC 8GB和16GB价格已基本持平，而在2017年两者的差价还在2美金以上。eMMC 8GB和16GB同价代表终端制造商可以用同等的价格采购更大容量的eMMC，有助推动智能电视、OTT盒子、智能穿戴、智能音箱等智能产品搭载更大的容量，提高用户的产品体验度。

继智能型手机之后，平板、智能穿戴、智能电视、OTT盒子、行车记录等曾一度成为热门产品。2018年智能音箱成为炙手可热的爆款，此外还有很多其他智能产品，比如扫地机、儿童机器人、AI故事机、智能飞行器等，虽然这类智能产品不如智能型手机、平板等搭载32GB、64GB、128GB，甚至256GB、512GB、1TB高容量快速且大量消耗NAND Flash产能，但在物联网、云计算、人工智能等技术的不断发展下，差异化的智能产品层出不穷，且功能不断升级，正对高容量需求增加。

随着人们生活水平的提高，汽车市场需求不断增长，2018年全球汽车销量接近1亿台，中国市场大约3000万台，而汽车向无人驾驶发展趋势已吸引英特尔、三星、高通、苹果、英伟达、华为等科技巨头通过合作、并购等方式加快进入汽车市场抢占商机。

目前，汽车对数据存储需求主要表现在后装市场，10年后无人驾驶将颠覆人们对传统汽车的认知，更将带来5000亿美元新市场，其中存储是重要的一环。从传统的汽车到无人驾驶，传感器、雷达、AI、ADAS、导航、路况分析、多媒体娱乐、运算平台等应用将把汽车变成一个移动的数据中心，且离不开高效、可靠、稳定、耐用的存储解决方案。

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