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nand技术中文 美光推出紧凑封装型UFS,助力下一代智能手机设计搭载更大容量电池
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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美光推出紧凑封装型UFS,助力下一代智能手机设计搭载更大容量电池

北京时间2月28日消息,美光科技宣布开始送样增强版通用闪存(UFS)4.0移动解决方案,该方案具有突破性专有固件功能并采用紧凑型UFS 封装(9 x 13mm)。基于先进的232层3D NAND技术,美光UFS 4.0解决方案可实现1 TB容量,其高性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。

美光通过专有固件功能提升数据密集型应用体验,进一步巩固在UFS 4.0移动存储领域的领导地位

美光UFS 4.0的顺序读取速度和顺序写入速度分别4300 MBps和4000 MBps,较前代产品相比性能[[1]]提升一倍,为数据密集型应用提供了更出色的使用体验。凭借高速性能,用户能更快地启动常用的生产力、创意和新兴AI应用。生成式AI应用中的大语言模型加载速度可提高 40%[[2]],为用户与AI 数字助手的对话提供更流畅的使用体验。

美光移动事业部总经理兼企业副总裁Mark Montierth表示:“美光最新推出的UFS 4.0解决方案采用业界领先的紧凑型UFS封装,在降低功耗的同时可提供一流的存储性能。该解决方案凭借突破性的固件升级,使智能手机始终保持出厂时的流畅运行状态,同时通过更强的性能、灵活性和可扩展性,进一步提升了移动存储性能标准,助力智能手机加速普及生成式AI功能。”

紧凑的封装设计为超薄节能型智能手机奠定基础

自去年6月推出11mm x 13mm封装规格的UFS 4.0解决方案后,美光进一步缩小UFS 4.0的外形规格以实现更紧凑的9mm x 13mm托管型 NAND封装。尺寸更小巧的UFS 4.0为下一代折叠及超薄智能手机设计带来了更多可能性,制造商可利用节省出来的空间放置更大容量的电池。此外,新版UFS 4.0解决方案可将能效提升25%[[3]],使用户在运行AI、AR、游戏和多媒体等耗电量高的应用时获得更长的续航时间。

美光专有固件创新,进一步提升移动闪存标准

此次增强版UFS 4.0基于美光去年量产的UFS 4.0产品,可提供多项专有固件更新功能,包括:

· 高性能模式(HPM):该专有功能通过优先处理关键任务而非后台任务,以提升智能手机在密集使用期间的性能。开启HPM后,存储访问速度可提升一倍,助力手机在启动多应用时速度提升超过25% [[4]]。

· 一键刷新(OBR):OBR功能通过自动清理和优化数据,帮助用户获得更持久的卓越性能,使智能手机始终保持宛如全新状态的流畅运行体验。更快的读/写性能可提升10% 的应用启动速度[[5]],实现更快的相册访问速度和流畅的多任务处理,为用户提供更好的体验。

· 分区UFS(ZUFS):美光UFS 4.0现支持主机指定不同的数据存储区域,以提升设备的长期使用体验。ZUFS 能够有效应对写入放大现象,在不降低设备性能的前提下,尽可能利用有限的编程和擦除周期,从而延长智能手机使用寿命,并长期保持流畅的使用体验。

美光工程师团队在其全球实验室中通过预测新兴使用场景、模拟现实应用环境以及与客户密切协作收集反馈,成功打造出这些创新的固件功能。在位于美国、中国和韩国的客户联合实验室中,美光与智能手机厂商密切合作,通过了解厂商面临的痛点问题,开发具有针对性的解决方案来解决技术瓶颈。

供货情况

美光增强版UFS 4.0现已出样,并提供256 GB、512GB和1TB的容量选项。扩展的容量可支持旗舰智能手机容纳设备端AI助手分析和生成的所有数据,以及用户不断增加的图片素材,释放AI的优势并获得比云存储更高的安全性。通过本地数据存储,用户能够在离线或网络信号不稳定的情况下随时访问个人数据,从强大的AI功能中受益。

[[1]] 与上一代UFS 3.1 176层NAND相比

[2] 与上一代UFS 3.1 176层NAND相比

[3] 与上一代UFS 3.1 176层NAND相比

[4] 与未启用HPM的UFS 4.0设备相比

[5] 与未启用OBR的UFS 4.0设备相比

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美光低功耗内存解决方案助力高通第二代骁龙XR2平台 提升MR与VR体验

近日,Micron Technology 宣布,其低功耗 LPDDR5X DRAM 和通用闪存 UFS 3.1 嵌入式解决方案现已通过高通最新的扩展现实 (XR) 平台——第二代骁龙 XR2 验证。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 外形尺寸紧凑,提供更高速率、更优性能和更低功耗,可灵活支持混合现实 (MR) 和虚拟现实 (VR) 设备。LPDDR5X 是目前美光最先进的低功耗内存,通过创新的 1α 制程节点技术和 JEDEC 能效优化实现更低功耗。

美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 解决方案为元宇宙应用带来高速率和低功耗特性

全球增强现实(AR)和虚拟现实(VR)市场规模从 2021 年[[1]]起,以 24% 的复合年均增长率增长,预计在 2030 年前 有望达到 2,000 亿美元。美光嵌入式产品可为扩展现实应用提供强大的即用解决方案,加速消费者普及,并不断拓展市场潜力。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 能够在多个应用和传感器间实现并行处理,通过无缝集成元宇宙中不断变化的形态、位置和感知,为 VR 用户打造真实的沉浸式体验。

美光 LPDDR5X 可实现高达 8.533 Gbps 的峰值速率,同时向后兼容 6.4 Gbps 速率的 LPDDR5,在降低功耗的同时,为设备制造商提供了平台集成的灵活性。

美光副总裁暨嵌入式市场总经理 Chris Jacobs 表示:“元宇宙蕴藏着巨大潜力,将彻底改变我们的工作和娱乐方式。要将这种创新变为现实,我们需要高性能、低功耗的硬件,以满足混合现实体验对超快速度的要求。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 解决方案是下一代 XR 设备的理想之选,为开启丰富的虚拟世界体验提供所需的性能和功耗。”

今年9 月 27 日最新发布的第二代骁龙 XR2 处理器通过与 Meta 密切合作开发,已在 Meta 最新推出的头显 Meta Quest 3 上首次投入商用。第二代骁龙 XR2 平台提供单芯片架构,可在更轻薄、更舒适且无需外置电池组的头显中实现全新的沉浸式 MR 和 VR 体验。Meta Quest 3 空间计算平台能提供无延迟的体验,带来令人惊叹的视觉效果和身临其境的音效,使用户感受到虚拟内容与现实世界的融合,并实现 MR 和 VR 体验之间的无缝转换。

与上一代产品相比,LPDDR5X 的功耗降低了 24%[[2]],通过延长电池续航时间,实现了更出色的用户体验,是 MR 和 VR 头显设备的理想之选。美光 LPDDR5X 可实现 8.533 Gbps 的峰值数据传输速率,使元宇宙应用的数据访问速度提高了 33%[[3]],从而缩短了响应时间。美光基于 1α 制程节点的 LPDDR5X 内存,可为扩展现实设备提供更出色的容量密度、性能和能效。

美光 UFS 3.1 客户端存储是全球首款采用美光 176 层 NAND 技术的 UFS,拥有紧凑的外形尺寸和高存储密度,为 MR 和 VR 头显等小型设备提供更高的设计灵活性。

美光 128GB UFS 3.1 和 8GB LPDDR5X 现已通过高通骁龙平台验证,并由美光销售渠道、经销商及合作伙伴向 MR 生态系统供货。

[[1]] 根据Prescient & StrategicIntelligence公司的AR和VR市场报告:按类型(AR,VR),产品(硬件,软件),设备类型(AR 设备,VR 设备),应用领域(消费端,商业端,企业端)- 2030年前行业分析和增长预测

[[2]]在模拟测试中,与上一代 LPDDR5 (6.4 Gbps) 相比,峰值数据传输速率 (8.533 Gbps) 状态下的 LPDDR5X 功耗更低

[[3]]根据已公布的 JEDEC 规范 (8.533/6.4 = 1.33),将 LPDDR5X (8.533 Gbps) 和上一代 LPDDR5 (6.4 Gbps) DRAM 的峰值数据传输速率进行对比

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