东芝发布UFS 30闪存，96层TLC，速度要追NVMe硬盘

今年的智能手机除了5G、AI这两个大热点之外，在性能上还会再进一步，内存会升级到LPDDR5标准，闪存也会有UFS 3.0新一代标准，该规范去年初就制定完成了，此前爆料称三星的Galaxy S10手机就会用上自家的UFS 3.0闪存。至于其他厂商，那就要依靠东芝等NAND厂商了，日前东芝就首发了UFS 3.0闪存，容量128/256/512GB，使用的是自家96层堆栈的3D TLC闪存，具体性能没公版，只说比前代读写提升70%、80%，但这个性能追上一些NVMe硬盘还是可以的。

去年这个时候，JEDEC组织正式发布UFS 3.0标准（JESD220D），一道被发布的还有更新后的接口标准（UFSHCI）：JESD223D，以及适用于拓展存储卡标准的UFS Card Extension 1.1（JESD220-2A。过去UFS 2.0采用的HS-Gear2（G2）规范是单通道单向理论带宽1.45Gbps，双通道双向理论带宽就是5.8Gabps；随后UFS 2.1采用的HS-Gear3（G3）理论带宽翻倍达到11.6Gbps，而今天刚刚发布的UFS 3.0标准采用的带宽规范是HS-Gear4（G4），再次实现带宽翻倍，也就是单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，大约是2.9GB/s。

东芝的UFS 3.0闪存采用了自家BiCS 4技术的96层堆栈3D TLC闪存，标准11.5x13mm封装，容量128GB、256GB及512GB，不过后两种容量暂时还没出样，现在只有128GB版出样给客户了。

性能方面，东芝没有透露具体的指标，只说比UFS 2.1闪存的读写速度提升了70%、80%，找了下东芝官网，东芝此前发布的了64层堆栈的UFS 2.1闪存的读取速度可达900MB/s，写入为180MB/s，按照这个数据来看UFS 3.0的读取速度约为1.5GB/s，写入速度324MB/s，这个速度跟一些低端NVMe硬盘的性能有得一拼了，毕竟手机UFS闪存在DDR缓存方面会吃亏一些，不然写入速度也可以更好看一些。

至于哪款手机能够首发UFS 3.0闪存，MWC 2019展会上就能见分晓了。

东芝发布UFS 21闪存：15nm MLC，读取速度850MBs

2016年智能手机的内存、闪存容量双双翻倍，内存容量站上了6GB，闪存更夸张，iPhone 7起步就是32GB了，128GB才是主流配置，高配直接256GB，比很多人的SSD容量还高。在这背后，闪存厂商的新一代大容量eMMC/UFS闪存起到了关键作用，东芝日前正式推出了新一代eMMC 5.1、UFS 2.1闪存，容量32GB到128GB，其中UFS 2.1使用的是15nm MLC闪存，读取速度高达850MB/s，写入也有180MB/s。

东芝推出新一代eMMC 5.1/UFS 2.1闪存

eMMC 5.1闪存虽然不是什么新玩意了，速度也比不上UFS，但是大量中低端手机还在用eMMC闪存，其实手机厂商不太乐意公布出来而已。东芝的eMMC 5.1闪存也是15nm工艺，不过官方没确认是MLC还是TLC的，估计后者的可能性更大，毕竟成本更低。

东芝eMMC 5.1闪存容量32-128GB，连续读取速度320MB/s，连续写入速度140MB/s，分别比前代产品提升2%（东芝也真诚实）、20%，不过随机性能提升较大，读取、写入分别提升100%、140%。

UFS闪存上三星比其他公司抢先，不过其他厂商现在也追赶上来了，东芝推出的新品直接基于最新的UFS 2.1规范，使用了15nm MLC闪存，容量也是32GB到128GB，不过性能就更强大了，连续读取速度850MB/s，连续写入180MB/s，比前代提升40%、16%，随机读取、写入更是提升120%、80%。

值得一提的是，东芝这两款新品不仅使用自家的闪存，主控也是自己开发的，而且东芝还在自己开发自己的M-PHY 3.0物理层及UniPro 1.6，看来目标是争取掌握所有核心科技啊！

话说回来，安卓阵营的厂商地位还是不如苹果，iPhone 256GB版使用的是东芝48层堆栈的3D NAND闪存，东芝现在对外提供的容量最多128GB，也没用3D NAND技术。

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