一文看懂暴涨的全球内存市场！比芯片卖得多，三星垄断，国产空白
智东西（zhidxcom） 文|十四
存储器是半导体行业的重要分支，在经历了2015和2016年的持续走低后，2017年，全球存储器市场迎来了爆发，增长率达到60%，销售额超过1200亿美元，占全球半导体市场总值的30.1%。
其中，由于供货不足，2017年DRAM的价格（每Gb）增长了47%，市场规模到达722亿美元，较2016年增长了74%，继续（领先于NAND Flash等）保持半导体存储器领域市占率第一的地位。
本期的智能内参，我们推荐来自东北证券的DRAM行业研报，从市场需求和竞争格局出发，盘点产业链发展趋势，以及国产产能释放可能带来的供给格局变化。如果想收藏本文的报告全文（东北证券：期待国产产能释放改变全球供给格局），可以在智东西头条号回复关键词“ nc252 ”下载。
以下为智能内参整理呈现的干货：
千亿美元存储市场
▲半导体产品分支销售占比
存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取，是具有“记忆”功能的设备。
世界半导体贸易统计协会报告显示，2017年，存储器销售额为历年来新高，超过1200亿美元，占全球半导体市场总值的30.1%。其主要原因，是DRAM（最为常见的系统内存）和NAND Flash从2016年下半年起缺货并引发涨价 。
▲存储器的分类
▲半导体存储器市场分类
2017年，DRAM平均售价同比上涨77%，销售总值达720亿美元，同比增长74%；NAND Flash平均售价同比上涨38%，销售总额达498亿美元，同比增长44%；NOR Flash为43亿美元。
▲DRAM价格变动趋势
三大存储器的价格大幅上涨导致全球存储器总体市场增长58%，存储器也首次超越历年占比最大的逻辑电路，成为全球半导体市场销售额占比最高的分支 ，在产业中占据极为重要的地位。
▲半导体产品全球地区分布
从全球市场地区分布来看，2017年亚太及其他地区占比为60.6%，同比增长18.9%；北美地区占比为21.2%，同比增长31.9%；欧洲地区半导体产品市场占比为9.3%，同比增长16.3%；日本半导体产品市场占比为8.9%，同比增长12.6%。
东北证券指出，亚太地区成为全球最大的半导体消费市场主要有两方面原因：一是中国产品规模在亚太地区的占比逐年提升，2016年占比更是创下92.4%的历史新高；二是中国的产品规模逐年增加，且增长率连续几年都高于亚太及其他地区整体水平，有效拉动了整个亚太地区的增长。
▲中国与亚太及其他地区对比
DRAM的技术演进
从市场规模来看，当下最主流的存储器是 DRAM，NAND Flash，NOR Flash，尤其是前两者，占据了所有半导体存储器规模的 95%左右。
▲主流存储器性能对比
在某些领域，新型存储器已经涌现，从目前的结果看，阻变存储器（RRAM）容量大、速度快（读写时间<10ns）、能耗低，相比于其他新型存储技术，与CMOS工艺兼容，被认为是代替 RAM的一个可能的选择。
但是考虑到新型存储器严重的器件级变化性，且DRAM的性价比高，技术成熟且具有规模优势，预计未来5-10年内很难被替代。
▲SDRAM性能对比
在结构升级方面，SDRAM（同步动态随机存储器）作为DRAM的一种升级，已经逐渐成为PC机的标准内存配置。
SDRAM是通过在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。目前，SDRAM从发展到现在已经经历了五代，实现了双信道四次同步动态随机存取内存。
▲全球最小的DRAM芯片
从制程工艺角度来看，DRAM存储器已经步入10nm阶段。
目前，三星已大规模采用20nm工艺，并率先量产18nm工艺；SK海力士则以25nm工艺为主，已导入21nm工艺；美光目前以30nm工艺为主，20nm工艺进入良率提升阶段。
2017年底，三星已开发出全球最小的动态随机存取记忆体（DRAM）芯片，采用10nm级工艺，继续扩大对竞争对手的技术领先优势，同时将在2018年把多数现有DRAM生产转为10nm级芯片。
▲3D DRAM与2D DRAM对比
封装方面，3D DRAM技术正在崛起。
由于DRAM的平面微缩正在一步步接近极限并向垂直方向扩展，18/16nm之后，由于薄膜厚度无法继续缩减，以及不适合采用高介电常数材料和电极等原因，继续在二维方向缩减尺寸已不再具备成本和性能方面的优势。
3D DRAM技术，或者说3D封装，采用TSV将多片芯片堆叠在一起，能够在宽松尺寸下实现高密度容量，并减少寄生阻容和延时串扰问题。随着电子产品对DRAM容量要求和性能的提升，未来3D DRAM比重将呈上升趋势。
三巨头的垄断术
▲DRAM各厂家市场份额
DRAM价格飙涨带动2017年全球半导体产值冲破4000亿美元。从当前DRAM的全球市场份额来看，三星、SK海力士和美光为市场三巨头，这仨最近还在美国被控涉操纵DRAM价格。
IHS Markit发布数据显示，2017年三季度，韩国半导体行业两大巨头三星（44.5%）和SK海力士（27.9%），在全球DRAM市场份额合计达到72.4%，美光科技（22.9%）、南亚科技（2.2%）、华邦电子（0.8%）分列其后。
▲三星DRAM产能变化
从现阶段的技术发展而言，韩国的三星电子依然领先于SK海力士、美光等竞争对手。三星除了积极扩大存储器产量，发展先进制程（第二代10nm级8Gb DDR4），加速其下一代DRAM芯片和系统开发计划，确保市场上的领先地位之外，也积极发展晶圆代工事业，将其视为半导体领域的新成长动力。
▲SK海力士营收占比
SK海力士受惠于全球服务器市场的强劲需求，以及移动产品价格上涨，2017年Q4市场表现良好。未来，SK海力士将通过在服务器和SSD产品导入新的技术与工艺来满足日益增长的市场需求，将扩大1xnm DRAM产能，并应用于PC、移动设备和服务器产品。
▲SK海力士和美光DRAM收入占比
美光科技方面，考虑到存储器市况优于预期，将2018年Q2营收目标自原先的68亿至72亿美元，调高到72亿至73.5亿美元。此外，美光计划利用先进的技术优势降低成本，加强在市场上的竞争力，预计在2018年底将提供1xnm DRAM产品。
市场趋势：产能有限 量价齐增
▲2017-2018年芯片量预测
从供给端来看，DRAM的产能增长有限，摩尔定律放缓将会持续。
目前，三星、SK 海力士两大韩系厂商在扩产脚步上是猛踩油门，包括三星在韩国平泽的P1厂房和Line 15生产线，以及SK 海力士的M14生产线；同时，美光在广岛的Fab 15和Fab 16也有DRAM扩产计划，但产能的增加仍主要依靠两大韩系厂商。
根据三家公司目前最新的建厂规模，2017年全球每季度芯片产能为1100K左右。DRAMeXchange预测，到2018年，三星和SK海力士将会有接近20%左右的产能提升，美光的产能增量为10%，预计全球每季度芯片产能为1200K左右。
▲DRAM厂商工艺进度
DRAM产能增速的放缓，主要原因在于，随着工艺尺寸越来越小，DRAM良率无法得到有效控制。与此同时，EUV光刻设备年产能极其有限，这些问题使得DRAM工艺节点突破困难重重，各厂商工艺进度计划也被迫一再推迟。再加上卖方主导DRAM市场和新型非易失性存储器技术的出现，进一步造成了全球范围内DRAM龙头企业技术升级和扩产意愿下降。
而需求端来看，DRAM的三大主要市场移动终端、服务器和PC结构性增长仍然存在。与此同时，5G商用的节点越来越近，将带动需求加速提升。
▲全球国内外手机厂商市场份额
移动终端方面，DRAM在手机中的平均存储容量保持在每年10%-20%的增长速度，结合手机市场的增长（每年15亿台的稳定换机周期），预计2018年移动终端的DRAM需求将增长18.7%，并继续向国产机品牌集中。
2020年5G商用在即，未来云计算、IDC的发展都需要海量数据存储，因此服务器未来无论从系统出货量，还是单系统DRAM容量提升都具有长期的成长驱动力。预计2018年服务器对DRAM需求增长率为26.1%（出货量增长率2.9%，单系统容量预计增至184GB），将成为增速最大的产品类型。
PC市场仍然保持稳定，对DRAM的需求也将保持相对稳定的小幅增长态势，预计2018年PC领域的市场增长率为6.6%。
▲DRAM价格变动趋势
总的来说，DRAM扩产受困于技术瓶颈和国际大厂的垄断 ，2018-2020年全球bit growth将继续徘徊在 20%左右的历史低位水平。但是下游终端应用的市场需求将持续温和上升，特别是终端品牌继续向国产品牌集中，造成国产手机对于DRAM产品的需求出现区域性的增加 ，同时 5G、云计算、IDC 等将拉动服务器应用大幅增长。
东北证券判断：2018-2020年阶段DRAM产品将处于持续性的涨价周期 。需要指出的是，大陆DRAM产能大部分将会在 2019 年以后开始量产，如果进程顺利将有可能缓解DRAM供需缺口。
进击的国产
▲IDM模式
不同于垂直分工模式，存储器产业基本采用的是IDM模式，即拥有自己的晶圆制造厂与封测厂，实现资源的内部整合优势，具有较高的利润率。存储器产业竞争的核心要素在于制造工艺和规模化效应。
受限于晶圆规模，国内厂商在DRAM领域一直处于空白，但有望于2018年实现突破。
设备方面，由于高端技术壁垒太强，国内厂商选择从中低端开始切入，目前已具备部分核心设备的制造能力，如光刻机、离子注入机、CMP、ECD等设备。
▲国内厂商DRAM在建产能
目前，国产DRAM厂商已形成福建晋华和合肥长鑫两大阵营。其中，福建晋华的是32nm的DRAM利基型产品，主攻消费型电子市场；合肥长鑫的是19nm DRAM，主攻行动式内存产品，并且将在2018年底前实现试产，开通生产线。此外，长江存储和兆易创新也对DRAM进行了布局。
▲2010-2018 DRAM产品份额及预测：预计到2018年，移动终端和服务器消费份额将继续增长，PC 消费将继续下降，到达历史最低点
东北证券指出，国内厂商由于仍处于起步阶段，存储器的研发能否成功，未来几年将是关键期；研发成功后，良率能否提升到较高水平，成本控制是否能够达到预期，知识产权能否做到有效保护等，仍然有一定的不确定性；从研发成功至量产并形成销售，仍然需要长达几年时间。
因此，预计国内在建产能是个逐步释放的过程，但随着国内在建产能陆续释放，国家存储器产业的不断成熟，有望逐步改变当前的产业格局，对全球DRAM产业发展起到积极推动的作用。
智东西认为 ，时值大陆半导体发展的关键时期，DRAM作为性价比高，技术成熟且具有规模优势的重要产业分支，在国产终端的强劲需求下将进入发展机遇期，更是有分析称明年将是中国内存发展元年。届时，面临三巨头的垄断压力，以及研发、生产等挑战，本土厂商能否突围，不仅依赖于自身的努力，与政策、资本、产业和市场环境亦紧密相关。
启富投顾：国产替代、退无可退！
启富早评（2023年4月3日星期一）
国产替代、退无可退！
市场策略
1、指数连续回档下轨展开反弹，3220有很强的支撑，震荡上行格局不变。
2、美国PCE（个人消费价格指数）超预期，风险偏好有望上行，国内PMI数据继续强劲，新一轮行情有望开启。
3、新一轮科创周期，国产替代退无可退。
4、以科创为核心，以价值消费为防守全年策略不变。
半导体新周期（六）
事件一：美光调查
为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，网络安全审查办公室对美光在华销售的产品实施网络安全审查。
美光是全球存储芯片领域最头部的厂商，存储器是用来存储程序和数据的部件，在以数据要素为核心的数字经济新时代，对这类核心芯片展开安全审查是必需的。
存储芯片核心是DRAM和NAND，简单点来说，DRAM可以理解为内存，NAND就是对应硬盘、光盘、U盘，作用都是储存。
两者规模相近，现在全球都有4000亿人民币的市场规模。
从美光的数据来看，美光在全球DRAM/NAND Flash市场分别占据25%/12%的份额，DRAM第三，NAND第五；全球汽车DRAM龙头，份额45%。
根据美光最新财报，其DRAM/NAND营收占比74%/24%。
2022年大陆贡献美光营收33亿美金、营收占比11%，大陆是其第三大市场。
所以美光一旦受到明显限制，将导致国内存储格局巨变，加快存储芯片的国产替代，影响最大的为DRAM存储，其次为NAND存储，该领域韩国三星、海力士占据优势，此外对于一些Nor Flash、利基型DRAM、SLC NAND也有小幅驱动作用。
事件二：日本制裁
日本宣布表示将限制23种半导体制造设备的出口。
虽没有明确这是针对中国的措施，但相关设备制造商出口均需要申请。
日本表示将对用于芯片制造的六类设备实施出口管制，包括清洗、沉积、光刻和蚀刻。
这些限制从7月起生效，可能会影响至少十几家日本公司生产的设备，如尼康、东京电子、迪恩士和迪斯科。
今年2月，美国、荷兰、日本三国政府达成协议，将对中国芯片制造施加新的设备出口管制和限制，尤其是限制向中国出口可用于制造14纳米以下芯片的设备，比如日立高新向中国出口的半导体产品包含沉积、刻蚀、检测设备等，迪斯科出口晶圆切割设备，迪恩士出口刻蚀、涂胶显影和清洗等设备。
整个半导体设备环节中最难的是光刻机，而日本尼康等企业的限制出口，将进一步导致光刻机进口受限。
日本的尼康和佳能主要做中低端的光刻机，包括KrF机型和i Line机型，比如尼康的DUV机型经过多重曝光最多能做到14nm的精度。
目前我国非美化28nm产线主要分为两条路线：一是上海微电子自研的28nm国产光刻机产线，二是通过尼康DUV搭建的非美产线。
后续日本限制加码，通过尼康DUV搭建的非美产线困难度将加大，自研28nm光刻机或将是实现自主可控唯一路线。除此之外，其他低国产化的设备如沉积、刻蚀、检测、涂胶显影等，也将加速国产替代。
相关公司： 兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份、聚辰股份等。
其它： 中微公司、北方华创、三安光电、南大光大、芯源微、晶瑞新材等。
AI+安全
3月31日，意大利政府数据保护局（Garante）要求禁止ChatGPT在意大利的使用，并对其应用程序涉嫌违反隐私规则展开调查。
事件催化： 意大利是首个禁止ChatGPT使用的西方国家。
Garante认为ChatGPT收集和存储大量个人数据来训练聊天机器人缺乏法律依据，表示OpenAI可以在20天的时间内沟通其隐私保护措施，否则将被处以最高2000万欧元或全球年营业额4%的罚款，人工智能安全问题已引起国际社会重视。
合规催化： AI大模型技术的发展，需要海量大数据支撑，其中潜在的数据泄露风险引起多国立法者关注，将有新的制度来管理生成式 AI 技术本身。
技术之外，AI大模型在行业侧的落地应用同样需要法规指引，在鼓励AI技术提升效率的同时，注重全面风险评估，规范AI业务开展。
技术催化： 数据安全产业将迎来新一轮发展，发展自主可控安全技术迫在眉睫。
推动国产安全技术发展不仅是大模型发展所必须，更是国别安全竞争力的体现。
据安全板块重点公司： 三六零、天融信、中新赛克、美亚柏科、启明星辰、深信服、奇安信、安恒信息、三未信安、电科网安等。
其它主题
汽车芯片： 国资委副主任赵世堂表示，持续深化国资国企改革，尽早形成重点汽车芯片自主保障能力。
（芯原股份、四维图新、国芯科技、雅创电子、中颖电子等）
充换电 ：国资委副主任表示，持续完善以“十纵十横两环”为骨干的全国高速公路快充网络。
（盛弘股份、科士达、炬华科技、绿能慧充、通合科技等）
数字中国 ：国新办将就第六届数字中国建设峰会有关情况举行发布会。
（美亚柏科、榕基软件、达华智能、博思软件、锐捷网络等）
投资顾问：鲁鹏
执业证书编号：A1130620080001
风险提示本公众号内容仅供参考，在任何情况下，文章中的信息和意见均不构成对任何人的投资建议。读者应结合自己的投资目标和财务状况自行判断是否采用文章所载内容和信息并自行承担风险，本公司及雇员对读者使用文章及其内容而产生的一切后果不承担任何法律及经济之责任。“股市有风险，投资需谨慎”！
相关问答
74 hc138各个数字和字母的含义_作业帮[最佳回答]74代表民用LS代表TTL电路的一个系列,TTL电路以双极型晶体管为开关元件所以以称双极型集成电路。HC代表CMOS电路,以绝缘栅场效应晶体管为开关元件...
与非门多余的输入端如何处理?可以把多余的输入端悬空此时输入端相当于外接高电平。3、通过大电阻到地,这也相当于输入端外接高电平4、当TTL门电路的工作速度不高,信号源驱动能力较强多...
sn 74 hc00n是什么门?描述:SN74HC00NSN54HC00和SN74HC00器件包含四个独立的2输入NAND门。他们执行布尔函数Y=A×B或Y=A+B为正逻辑。1特点:SN74HC00N1•2V至6V...
iPhone X的硬件成本是多少?每卖出一台手机能赚多少钱? - 红网...据了解,在iPhone7中,其显示屏成本为37美元;电池成本为4美元;摄像头成本为26美元;主板成本为74美元;扬声器成本为11.5美元;外壳成本为22美元;其它成...
国产内存出马，内存价格会下来吗?短时间内无法降下来,是因为目前国内的内存还无法大规模的工业化生产,前期研究费用投入巨大,需要收回成本等因素,所以短期内无法出现大幅度降价的可能。加上今...
pbb格式可以转换为word- 汇财吧专业问答[回答].pbb格式是鹏保宝加密软件生成的加密文件,Word无法直接打开,如果里面包含Word文件的话,可以先解密再用Word文档打开。打开方法:1、(前提需要安装鹏...
天博APP官网下载地址(官方)APP下载安装IOS/Android通用版/手...[回答]东芝原名东京芝浦电气株式会社,1939年株式会社芝浦制作所和东京电气株式会社合并而成;从1875年开创至今,已经走过了140年的漫长历程。在民用方面:东...
刚下的演唱会视频和音频不同步怎么办? - 183****8186 的回答 ...下影音不同步的原因:视频文件声音与图象不同步的影响因素就是视频流、音频流和字幕流的复合码率。一般都是声音在图象前。(这主要是因为源...一...
电脑小白在京东组装电脑，大佬们指点一下，感觉太贵了，该怎么组装?此款电源电压适用范围广,更能避免用电高峰、雷雨等恶劣天气下电压不稳带来的风险。最后,上全整套推荐配置图:算算能省不少吧?另外自己买个系统盘才30-40,又省20...
金士顿UV500 2.5英寸 240G怎么样? - 172****3718 的回答 - 懂得金士顿UV5002.5英寸240G的参数:接口类型为SATAIII。连续写入最大速度为500MB/Sec。保修为5年质保。闪存类型为3DNANDTLC。4K随机写入为18000-50000I...
扫一扫微信交流