micron slc nand Micron向物联网和汽车行业推介业内最佳SLC NAND闪存-资讯-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

micron slc nand Micron向物联网和汽车行业推介业内最佳SLC NAND闪存

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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Micron向物联网和汽车行业推介业内最佳SLC NAND闪存

爱达荷州博伊西2016-07-08(商业电讯)--Micron Technology, Inc.(纳斯达克代码:MU)今日宣布推出其最新的嵌入式SLC NAND闪存，该闪存已尽可能地作了优化，以适应下一代物联网(IoT)和汽车的应用。可使用不同的接口以适应设计，Micron的第二代串行 (SPI)NAND和第五代并行SLC NAND可提供业内最佳的可靠性1、读取和编程性能，其易于设计且具有先进的安全功能。

Gartner预计到2020年之前，物联网端点硬件和服务市场的容量将升至35000亿美元2。当系统设计师为提高家庭、可穿戴设备和车辆互连的特性时，其对技术的要求提高了对安全性和半导体原材料供应商的无缝连接性的门限。Micron最新的SLC NAND满足了这些对高性能存储的技术要求，从而推动了市场向前迈进。

“Micron在这种生态系统内与芯片合作伙伴和客户密切合作，以设计出未来的产品，这些产品能满足由物联网和汽车行业激起的对复杂NAND的要求”，Micron嵌入式业务部NAND闪存生产线总监Aravind Ramamoorthy说。“这项最新的SLC NAND闪存技术成就了一类全新的嵌入式应用，这些应用需要高可靠、高效能、管脚数少和安全性高4的存储器，以存储代码和低密度数据”。

为了简化系统设计和加速推向市场，Micron与领先半导体厂商和系统设计师密切合作，以确保Micron最新的NAND闪存超过在未来前景广阔的产品对数据存储和存储器的要求。

为合作伙伴的创新创建良好的生态系统

“Broadcom致力于向客户提供最佳的性能和最前沿的技术。我们非常高兴地看到Micron推出串行NAND闪存产品，其为我们的客户在考虑高密度非易失性存储器时提供了一项新的、具有成本效益的选项”，Broadcom Corporation公司技术副总监John Liberati博士说。

“使用了Cadence久经考验的Quad SPI控制器和PHY IP解决方案，以及Micron最新的SPI NAND器件，设计团队可以加速投向市场的步伐、减少设计工作、降低对汽车和物联网SoC应用进行设计时的风险”，Cadence设计IP产品营销副总裁Hugh Durdan说。“Cadence和Micron长期合作，为客户提供最新的存储接口标准。SPI NAND器件密度的增大吸引着我们共同的客户，这些客户要求基于Quad SPI标准的NAND闪存接口数据访问速度更快、功耗更少”。

SLC NAND闪存：用于物联网的高性能存储

Micron最新的SLC NAND具有多种有竞争力的技术优势。以下新特性和增强功能对传统应用和新型应用均普遍适用，包括：

具有业内最高可靠性、最佳编程和读取性能，使用业内领先的133Mhz SPI3接口，可提供最佳的数据保留和快速启动

业内首款2x nm NAND，对于无风扇的小尺寸设计，以及要求在恶劣环境(包括汽车)下存储高鲁棒性的重要引导码的设计，其拥有业内最佳的编程和读取性能，以及业内最高的可靠性(在摄氏85度和100K P/E的条件下，可保持10年内未进行操作的数据)

对并行NAND和SPI，片上纠错码(ECC)均受支持

先进的安全4性能包括永久性锁块和一次性可编程数据(OTP)能力，以确保为互连的工业、消费、家庭和汽车应用提供最深层次的保护

管脚少的SPI NAND接口可降低成本，同时可在小尺寸下提供经济高效的数据和代码存储

在SPI和并行NAND产品解决方案中，均提供密度为1、2和4Gb的产品。

其他资源：

请访问以下网站以了解更多情况：Micron嵌入式NAND闪存解决方案

请访问以下网站以了解更多情况：Micron的SLC NAND解决方案

M79A 2Gb 1.8V SPI NAND数据表

M79A 2Gb 3.3V SPI NAND数据表

M78A 1Gb 1.8V SPI NAND数据表

M78A 1Gb 3.3V SPI NAND数据表

M79A DDP 4Gb3.3V SPI NAND数据表

互联家庭和消费者类应用的存储器选择 – 串行NAND闪存

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关于Micron：

Micron Technology, Inc.(美光科技)是全球领先的先进半导体存储器系统供应商之一。Micron广泛的高性能技术产品组合--包括DRAM、NAND和NOR闪存--是固态硬盘、模块、多芯片封装等系统解决方案的基础。以超过35年的技术领导地位为后盾，Micron的存储解决方案组合支持全球大多数创新计算、消费者、企业级存储、网络、移动、嵌入式和汽车应用。Micron的普通股在纳斯达克上市交易，代码是MU。欲知有关Micron Technology, Inc.的更多信息，请访问www.micron.com。

1摄氏85度下保留10年未操作数据

2摘自Gartner Forecast Alert对IOT的预测：Internet of Things — Endpoints and Associated Services, Worldwide, 2015

3仅适用3V的SPI接口

4任何硬件、软件或系统都无法在所有情况下保证绝对的安全。对于因使用任何Micron产品(包括这些整合了上述安全功能的产品)而导致的数据丢失、被盗或损坏，Micron概不负责。

编辑：文文

兆易创新靠长鑫 DRAM 芯片拓展市场，代价呢

2021 年 4 月 25 日，近日兆易创新发布了 2020 年年度报告。报告中可以看出兆易创新的主营业务毛利率在降低、在境外地区的主营业务毛利率也在降低。

而兆易创新则表示毛利率下降主要是受 DRAM 产品业务毛利率低的影响。

兆易创新宣称自有品牌 DRAM 产品预计 2021 年上半年推出，主要面向消费类、工业控制类及车规等利基市场。那么兆易创新能否靠此次推出的 DRAM 产品改变毛利率下降的局面呢？

笔者认为不行：

在存储芯片领域，兆易创新如果依靠 NOR Flash 提升毛利率效果有限，而目前 NAND Flash 难以与大厂抗衡，只能把希望放在 DRAM 产品上。

在 DRAM 产品方面，兆易创新目前是一个“代理商”的角色，出售的是合肥长鑫的 DRAM。在芯片行业当“代理商”毛利率低。

根据公告可以推测，今年兆易创新没打算制造自己设计的 DRAM 芯片。

如果今年不能推出自己设计的 DRAM 芯片，“贴牌”或者“买芯片做模组”毛利率也不是很高，整体毛利率很难提升。

世界第三的 NOR Flash 厂商兆易创新

2020 年第一季度，旺宏、华邦、兆易创新在 NOR Flash 全球市场占有率排名前三，市场份额分别为 26.2%、24.5%、18.8%。

兆易创新的现有业务布局分为存储（Flash、DRAM）、MCU 和传感器，其中存储芯片营收占比最高。而 NOR Flash 就属于一种存储芯片。

▲数据来自网络

NOR Flash 的优势：应用范围非常广，比如汽车电子、IoT、人工智能、路由器、机顶盒、手机、PC、VR、5G 等。

NOR Flash 的劣势：单价低，一个一般也就几块钱。而且一般情况下，一个设备也就用一块 NOR Flash。在使用数量少和单价低的共同影响下，NOR Flash 的市场价值比起 NAND 之类的存储芯片明显小很多，属于存储芯片行业的小众市场。

▲一款兆易创新 8Mb NOR Flash 单价 3.07 元

以业界主流使用的 8MB NOR Flash 为例，售价仅为 3 元左右。对于很多数码设备来说这样的价格占总成本中的比重并不高。也因此 NOR Flash 看似参与到了很多行业中，但在存储器市场中的占比远低于 DRAM 和 NAND Flash。

因此如果想靠 NOR Flash 拉升毛利率，作用十分有限。

难以抗衡大厂的 NAND Flash 业务

兆易创新的 NAND Flash 产品主要为 SLC NAND，在 NAND Flash 产品方面，目前 SLC NAND 主流工艺节点在 19nm-38nm，兆易创新的成熟工艺节点为 38nm，同时 24nm 工艺节点的产品也已经实现量产。目前正在量产的产品容量从 1Gb 至 8Gb 覆盖主流容量范围。

▲美光 SLC NAND

但是，单颗 NAND 如果容量只在 8Gb 的话，对于大容量存储还是不太够的。以美光（Micron）的 SLC NAND 为例，美光提供的 SLC NAND 容量从 1Gb 至 256Gb，这显然是大于兆易创新的 1Gb 至 8Gb。

除了大容量存储，其实还是有一些小容量存储使用 NAND 的场景，在这些场景下兆易创新的 NAND 还是可以发挥优势的。但总体来说 NAND 市场还是属于像美光、海力士、三星这样大厂的天下。

自研 DRAM 2021 年未必会出现

兆易创新目前在 DRAM 业务方面是一个“代理商”。兆易创新目前销售的 DRAM 是合肥长鑫的，兆易创新从 2020 年开始销售合肥长鑫 DRAM 产品。

早在 2020 年 3 月兆易创新就与长鑫存储及其各自子公司签署《框架采购协议》、《代工服务协议》及《产品联合开发平台合作协议》日常交易框架协议。

《框架采购协议》就是指兆易创新向合肥长鑫 DRAM 采购 DRAM 产品。而《代工服务协议》则是指合肥长鑫向兆易创新提供代工服务。

兆易创新是一个无厂模式（Fabless）运营的芯片公司，无厂模式简单来说就是只管芯片设计，不管芯片制造的公司。因此兆易创新想要生产任何芯片都需要找晶圆厂代工。

而此次签署的《代工服务协议》就是为了以后自研 DRAM 设计完成之后找合肥长鑫进行代工生产。而在之后的补充协议中又将这三大协议的有效期延展到了 2030 年，可以据此推测至少近几年内兆易创新如果想制造 DRAM 都会找长鑫代工了。

那么为什么说兆易创新自研的 DRAM 2021 年未必会出现呢？

▲出自兆易创新 2020 年 3 月的公告

公告中显示，在 2020 年预计接受代工服务涉及的金额为 0，也就是说 2020 年兆易创新并不打算让合肥长鑫代工生产芯片。在后续的投资者关系活动中的回答的内容也证明了这点。

在 2020 年 3 月的投资者关系活动记录表中我们可以找到原因。在其中一条回答中称“因为公司的 DRAM 产品还没有研发出来，所以代工业务 2020 年暂时无金额。”

在 2021 年 2 月，兆易创新发布了《关于拟签署框架采购协议及预计 2021 年度日常关联交易额度的公告》。

▲出自兆易创新 2021 年 2 月的公告

这个公告主要就是为了公示与长鑫日常关联交易的预计金额，可能有些人也注意到了，此次公示中原来的“三大协议”少了一个，而且少的就是之前金额为 0 的《代工服务协议》。

为什么会少一个《代工服务协议》的预算呢？如果说 2021 年这个协议的预算也为 0，那么没有这方面的预算确实可以理解。如果有这方面的预算，但是不公示，这种可能性就比较小了。

那么如果《代工服务协议》今年的预算真为 0，那么意味着什么呢？

兆易创新今年没打算让长鑫“代工”生产 DRAM 芯片。

这不免让疑惑，难道今年兆易创新自研的 DRAM 不生产了吗？而且上年实际从长鑫采购的 DRAM 产品金额为 0.54 亿美元，今年就直接预计 3 亿美元。兆易创新给出的理由为“市场需求旺盛，市场开拓空间进一步提升，公司备货水平相应提高”。不过今年如果能如期推出自己的 DRAM 产品，为什么还要去找长鑫加大备货量呢？卖自己的产品，毛利率还能高一点，不香吗？因此兆易创新自研 DRAM 2021 年未必会出现。

不过有些细心的人可能会发现，兆易创新基本没怎么提过“自研”的事。兆易创新无论是在年报上还是在投资者关系活动上，所用的表述都是“自有品牌”。“预计将于 2021 年上半年推出第一颗自有品牌的 DRAM 产品”。

“自有品牌”范围可就大了，除了“自研”以外，还可以买长鑫的芯片自己做模组，或者买长鑫的产品“贴牌”出售。

如果是买长鑫的芯片自己做模组，买芯片的交易额走的是“采购 Dram 产品”（就预算大幅上涨的那个），而且做出来的模组确实可以算“自有品牌的 DRAM 产品”。

能破局吗？

一般来说在芯片行业，代售其它厂家的芯片毛利率始终是不会高的。就像现在兆易创新代售长鑫的 DRAM。而提高毛利率的最简单途径，就是自研。如果说 2021 年上半年推出的 DRAM 产品是自研的，比如兆易创新设计，长鑫制造。那么毛利率肯定会提升。但如果只是贴牌或者做模组的话，那毛利率可能就会表现得比较一般了。

补充资料：存储芯片

作为补充说明，我们来聊聊存储芯片是如何存储数据的。在远古时期，人们可以通过结绳记事的方式记录信息。而在现代，晶体管出现了，人们可以把大量数据存在芯片里了。

我们来假设一下，在结绳记事的时代，如果绳子的一个地方打一个结，就代表早上吃过饭了。如果这个地方没有结，那么就说明早上没吃饭。那么“早上吃没吃过饭”这个信息就通过简单的一个结记录了下来。

而到了现代，数据的基础很多是用“0”和“1”来构成的。那么如何记录下 0 和 1 呢？这时候我们肯定不能在芯片里像结绳记事那样打结，但有类似的方式记录，比如电压。电压高时可以记做 1，电压低时可以记做 0。

而对应芯片的存储单元也会被设计成能够存储高电压或者低电压信息的结构，就像结绳记事里的结。

▲一种存储单元

在如图所示的结构中，如果我们把电荷放在存储单元的存储电容器中，这就可以使晶体管导电，电荷传至位线，使电压上升。这时就是高电压状态，表示数据为“1”。

注：除了电压以外还可以通过：磁、电阻等介质来存储信息。

而根据存储的具体方式不同，存储芯片又能分成很多种类。NOR Flash、NAND Flash 和 DRAM 是三种不同的存储芯片，其中 NOR Flash、NAND Flash 属于非易失性存储芯片，DRAM 属于易失性存储芯片。

简单来说两者的区别在于断电之后能否保存数据。易失性存储断电之后不能保存数据，里面的数据只能临时存放。以电脑上的内存条为例，内存条上的存储颗粒就属于 DRAM。

▲DDR4 内存条截取自金士顿官网

而非易失性存储的特点就是断电之后依旧能保存数据，里面的数据可以长期存储。以电脑上的固态硬盘为例，固态硬盘上的存储颗粒大多为 NAND Flash。

▲UV500 SATA 固态硬盘（mSATA）截取自金士顿官网

NAND Flash 可以再细分成 SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）、TLC（Trinary-Level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）等。就像我们平时说买一块 TLC 的固态，TLC 指的就是固态硬盘所用的 NAND Flash 类型为 TLC。

另一种非易失性存储是 NOR Flash ，NOR Flash 一次读写一个字或字节的数据，因此能够对各地址执行随机存取。而 NAND Flash 芯片的尺寸比 NOR Flash 小，能够实现更高的存储密度，使存储容量更大，且制造成本更低。因此 NAND Flash 已成为大容量存储设备的主流选择，除了前文提到的固态硬盘，还有 U 盘、SD 卡等。而 NOR Flash 则一般用于存储一些小数据，比如配置信息。电脑主板中的 BIOS 信息就会存储在 NOR Flash 中。

Micron向物联网和汽车行业推介业内最佳SLC NAND闪存

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世界第三的 NOR Flash 厂商兆易创新

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