ATP推出N651Si系列E1S接口PCIe 40×4工业宽温固态硬盘

IT之家 7 月 8 日消息，台湾地区工业级存储企业 ATP 今日推出了 N651Si 系列工业宽温固态硬盘。

该固态硬盘专为 1U 边缘服务器设计 ，采用新兴的 EDSFF E1.S 接口，厚度为 9.5mm，支持 -40℃~+85℃ 工作温度范围。

ATP 的 N651Si 系列固态硬盘支持 PCIe 4.0×4 接口和 NVMe 1.4 协议，搭载 512Gb 颗粒容量的 176 层 3D TLC NAND 芯片。

速度方面，N651Si 固态硬盘顺序读写可达 6100/6000 MB/s，随机读写可达 870K / 1200K IOPS。

ATP N651Si 固态硬盘容量为 960GB~7.68TB，拥有 5 年内 1 DWPD（IT之家注：每日全盘写入次数）的耐久，即使擦写周期已达到 100% P / E，也能在 55℃下保存一年数据 。

此外该固态硬盘搭载硬件 + 固件断电保护方案，使用时突发断电不会导致数据丢失或损坏。

慧荣科技推出适用于 AI 智能手机、边缘计算和汽车应用的UFS 40 主控芯片

2024年3月13日--全球NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣科技(NasdaqGS:SIMO)，今日宣布推出UFS（通用闪存存储）4.0主控芯片SM2756。作为业界使用最广泛的UFS主控芯片解决方案系列的旗舰产品，可满足人工智能手机和其他高性能应用（包括汽车和边缘运算）不断增长的需求。同时还新增了第二代SM2753UFS3.1主控芯片，以扩展其产品组合，支持从UFS4.0至UFS2.2标准。慧荣科技UFS产品系列为旗舰、主流和高性价比手机及其他移动计算设备提供高性能、低功耗的嵌入式存储，支持最广泛的NAND闪存，包括下一代高速3DTLC 和QLCNAND。

最新的SM2756UFS 4.0 主控芯片解决方案是全球最先进的主控芯片，基于领先的6纳米EUV技术，采用MIPIM-PHY 低功耗架构，提供高性能和电源效率的最佳平衡，满足现今高端AI移动设备的全天候计算需求。SM2756实现4,300MB/s 以上的循序读取性能和4,000MB/s 以上的循序写入速度，支持最广泛的3DTLC 和QLCNAND 闪存，容量高达2TB。

全新第二代SM2753UFS 3.1 主控芯片解决方案，采用高速串行链路的MIPIM-PHY HS-Gear4x2-Lane标准和SCSI体系结构模型(SAM)，实现前所未有的性能。继SM2754UFS3 主控芯片取得成功后，SM2753以单通道的设计特点，采用新一代3DTLC 和QLCNAND，提供2150MB/s 的循序读取性能和1900MB/s 的循序写入性能，满足当前手机、物联网和汽车应用中不断增长的UFS3.0市场需求。

慧荣科技最新UFS主控芯片解决方案搭载先进的LDPCECC 技术，具备SRAM数据错误检测和校正功能，增强数据可靠性、提高性能并降低功耗。最新UFS主控芯片解决方案支持最广泛的NAND，包括所有领先闪存制造商最新的3DTLC 和QLCNAND 产品。

慧荣科技终端和车用存储业务高级副总段喜亭表示：“采用6纳米EUV制程的SM2756满足最新的高端智能手机对高性能、高容量和低功耗NAND存储的需求，符合下一代AI功能和应用。”他指出：“最新的单通道SM2753能够使我们通过更具成本效益、高性能和低功耗的主控芯片，在扩大且不断增长的UFS3.0市场中保持领先地位。”

UFS4.0SM2756：

符合 JEDEC UFS 4.0 标准并支持 HS-Gear-5 x 2-Lane、MPHY 5.0 和 UniPro 2.0 标准

双通道 NAND 闪存主控芯片，并支持 1.8V/1.2V I/O 操作和 Toggle DDR 5.1 / ONFI 5.1 NAND

LDPC ECC 引擎，支持低功耗解码模式，通过软信息进行高纠错功能

循序读取 / 写入性能：4300MB/s / 4000MB/s

2024 年中批量生产

UFS3.1 SM2753

符合 JEDEC UFS 3.1 标准并支持 HS-Gear-4 双通道、MPHY 4.1 和 UniPro 1.8 标准

单通道 NAND 闪存主控芯片，支持 1.8V/1.2V I/O 操作和 Toggle DDR 5.1 / ONFI 5.1 NAND

LDPC ECC 引擎，支持低功耗解码模式，通过软信息进行高纠错功能。

循序读取 / 写入性能：2150MB/s / 1900MB/s

目前进入批量生产

慧荣科技将于3月20日在深圳举办的CFMS| MemoryS 2024峰会中展示最新的UFS控制芯片，以及最新的消费级和企业级SSD解决方案，同时也受邀于峰会主论坛中进行演讲。

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