机构：苹果计划最早于 2026 年在 iPhone 中使用 QLC NAND 闪存

来源：环球网

【环球网科技综合报道】7月25日消息，根据集邦咨询发布的最新市场研报，苹果公司正在考虑在其未来的 iPhone 产品中引入 QLC NAND 闪存技术。这一技术的应用最早可能在 2026 年实现，届时 iPhone 的内置存储上限将达到 2TB。

图源东方IC

QLC NAND，全称为 Quad-level cells（四层单元），是一种先进的闪存技术，每个存储单元可以存储 4 位数据。与 TLC NAND（三层单元）相比，QLC NAND 的存储密度提高了 33%。

尽管 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载，但其高存储密度使得它成为大容量存储应用的理想选择。苹果公司计划利用这一技术，提升 iPhone 的存储能力，使其能够满足日益增长的数据存储需求。据集邦咨询的预估，苹果正在加速推进 QLC NAND 技术的应用，目标是将 iPhone 的内置存储上限提高到 2TB。

苹果公司还在探索如何利用 NAND 闪存技术存储大型语言模型（LLMs），以便在本地运行更多的 AI 任务。过渡到 QLC NAND 闪存可能有助于提升 Apple Intelligence 的表现，使其能够更高效地处理复杂的 AI 计算任务。

苹果迎接AI浪潮，酝酿为iPhone改用QLC NAND

IT之家 7 月 25 日消息，集邦咨询于 7 月 22 日发布市场研报，透露苹果公司正酝酿使用 QLC NAND 闪存，最早 2026 年用于 iPhone 产品中，让其存储上限达到 2TB。

QLC 和 TLC

TLC 的全称是 Triple Level Cell（三层单元） ，进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。

TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成为消费电子产品和主流 SSD 的有吸引力选择。

QLC 的全称是 Quad-level cells（四层单元） ，每个单元可储存 4bit 数据，跟 TLC 相比，QLC 的储存密度提高了 33%。

QLC NAND 通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中，QLC NAND 的耐久度最低，通常 P / E Cycle（Program Erase Cycle）在 100 到 1000 之间。

制造商实施先进的错误校正机制、预留配置（OP）和 Wear leveling 以维持可靠性。

虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载，但它为日常使用提供了充足的存储容量，使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。

早有曝料苹果正推进 QLC NAND

最早曝料信息称苹果计划在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND，IT之家今年 1 月报道，苹果可能会在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。

集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进 QLC NAND 换代，从而将内置存储上限提高到 2TB。

不过需要注意的是，虽然 QLC 的密度比 TLC 高，但速度却比后者慢；而且单个单元中存在更多的单元，它们的耐用性较差，这意味着它们能处理的写入周期比 TLC 少。

迎接大语言模型

苹果公司还在探索如何使用 NAND 闪存，而不是内存来存储大型语言模型（LLMs），从而能够在本地运行更多 AI 任务，因此过渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表现。

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