长江存储再次在美国起诉美光

日前，据美国科技网站Tomshardware报道，中国存储芯片厂商长江存储再度在美国加州北区对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND的各个方面。长江存储请求法院下令，要求美光停止在美国销售其闪存，并向其支付专利使用费。

长江存储表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND存储器以及美光的部分DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请，它们涵盖了3D NAND和DRAM功能的基本方面。

2022年底，美国商务部根据所谓的“证据”，以威胁其国家安全为由，将长江存储列入了实体清单，使其不能从美国获得128层及以上的3D NAND的晶圆制造设备和技术。

这次起诉，并非长江存储在美国的第一次“反击”。2023年11月，长江存储在美国加州北区地方法院，对美光及子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控美光侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

2023年11月,长江存储指控美光侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利X@lithos_graphein

另外，今年6月7日，长江存储在美国加州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及副总裁雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

此外，长江存储仍在努力利用国内技术和原有设备继续发展其3D NAND存储器。该公司的Xtacking3.0闪存已投入量产（其中一些设备甚至不违反美国制裁），具有高达2400 MT/s的接口。

今年早些时候，长江存储表示已成功将3D QLC NAND的耐用性大幅提高到3D TLC NAND的水平（达到4000次编程/擦除周期），这显著改善了廉价SSD的特性。

Patriot Memory的Viper PD573 SSDTomshardware

值得一提的是，媒体6月报道，美国的Patriot Memory正在准备一款高端新产品——Viper PD573 SSD ，基于中国联芸科技的控制器和长江存储的3D NAND闪存，其读取速度高达14GB/s，写入速度达到 12GB/s。这一合作进一步证明了长江存储在3D NAND闪存市场上的重要地位。

本文系观察者网独家稿件，未经授权，不得转载。

长江存储在美起诉美光：专利战揭开3D NAND新篇章

最近，长江存储（YMTC）在美国对美光科技（Micron Technology）提起了一起重大的专利侵权诉讼，指控美光侵犯了其八项3D NAND技术专利。此举不仅突显了长江存储在3D NAND领域的技术积累，也展现了其在面对国际市场竞争时的法律智慧。

专利侵权指控

长江存储指控美光未经授权使用其专利技术，以增强其在3D NAND市场的竞争力。这些专利涵盖了多项关键技术，包括：

3D NAND内存芯片的制造方法非易失性存储设备的管理技术通过硅通孔（TSV）技术3D NAND制造技术NAND内存的架构和操作读取3D NAND闪存数据的方法多层3D NAND芯片堆叠技术。

长江存储在声明中表示，这次诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用其专利创新的行为，并维护正常的市场竞争秩序。

技术创新与市场竞争

这起诉讼背后是中美两国在半导体领域激烈的技术竞争。近年来，美国对中国的多家半导体企业实施了严格的技术封锁和制裁，限制其获取关键的芯片制造设备和技术。这也促使中国企业加大自主创新力度，力图在全球市场上占据一席之地。

尽管面临重重挑战，长江存储依然在3D NAND技术上取得了显著进展，并一度接近为苹果iPhone供应芯片。

法律智慧与未来展望

此次诉讼不仅展示了长江存储在技术上的领先地位，也表明中国企业在面对国际市场竞争时日益增强的法律意识和维权能力。北京社会科学院的研究员王鹏指出，这一行动将鼓励企业创新，维护合法权益，确保市场公平竞争。

总的来看，这场专利战不仅是中美半导体企业之间的法律较量，更是技术创新与市场竞争的一次重要对决。长江存储通过法律手段保护自身权益，展现了中国企业在全球半导体市场上的崛起与担当。

长江存储再次在美国起诉美光

长江存储在美起诉美光：专利战揭开3D NAND新篇章

专利侵权指控

技术创新与市场竞争

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