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dram和nand用途 电脑手机都用它:一文读懂DRAM,SRAM和Flash原理
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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电脑手机都用它:一文读懂DRAM、SRAM和Flash原理

DRAM、SRAM和Flash都属于存储器,DRAM通常被称为内存,也有些朋友会把手机中的Flash闪存误会成内存。SRAM的存在感相对较弱,但他却是CPU性能发挥的关键。DRAM、SRAM和Flash有何区别,它们是怎样工作的?

DRAM:动态随机存取存储器

DRAM的全称是Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器。"随机存取"意味着CPU可以存取其中的的任意位置,而不像硬盘那样每次存取要以扇区为单位进行。

而"动态"是因为DRAM的工作采用电容原理,为了防止漏电引发数据错误,需要定时重复刷新。当电源中断后DRAM中的数据就会全部丢失,所以它属于"易失型"存储器。

SRAM:静态随机存取存储器

SRAM的存在感比较弱,因为多数时候它并不是像DRAM那样以内存条的形式直接展现在大家面前。CPU中集成的高速缓存就属于SRAM(Static Random-Access Memory,静态随机存取存储器)。在一些无DRAM缓存设计的固态硬盘(如东芝TR200)中,主控内会集成小容量的SRAM缓存。

SRAM存储单元是由6个晶体管制成的简单锁存器,无需刷新和回写就能保留数据,速度比DRAM更快。但由于集成度低,SRAM容量比DRAM小,成本比DRAM高,所以在大多数地方只能以较小的容量作为高速缓存使用。断电后SRAM中的数据也会丢失,同样属于"易失性"存储器。

Flash:闪存存储器

铠侠(原东芝存储)在上世纪80年代发明NAND型闪存。闪存可以在断电后持续保存数据,但是它无法随机存取,最小读写单元是Page页(早期为4KB,当前多为16KB),最小擦除单位是Block块(当前为16MB左右)。

闪存使用特殊的"浮栅层"(Floating Gate)来存储数据,氧化物层(Oxide Layer)的存在可防止浮栅层中电子流失,这是它能够在断电后继续保存数据的原因。

Flash闪存的1个存储单元存储多位数据,这是DRAM和SRAM都做不到的。根据浮栅层中电子的多少,每个存储单元可以表达1比特(SLC)、2比特(MLC)、3比特(TLC)或4比特(QLC)数据。

闪存的写入和擦除基于量子隧道效应,每个单元可以存储的数据越多,对跃迁到浮栅层的电子数量控制越严苛,写入速度也越慢,所以TLC的闪存性能优于QLC。

当前的3D闪存在结构上跟传统闪存又有所不同。3D闪存的单元排列从水平变更为立体的同时,闪存单元的结构也变为类似于圆柱形,Floating Gate浮栅也被Charge Trap电荷捕获结构代替。

新一代固态硬盘上已经用上96层堆叠技术的3D闪存,而下一代100+层堆叠的闪存也已完成研发并将很快进入量产阶段,在容量、性能和成本上取得新的进步。

总结:DRAM是内存(动态刷新,断电丢数据),SRAM是高速缓存(无需刷新,断电丢数据),Flash(无需刷新,断电不丢数据)通常作为硬盘。从容量上看SRAM<DRAM<Flash,从性能上看则正好反过来。DRAM和SRAM断电后数据会丢失,写入Flash闪存的数据则可以在断电后持续保留。

DRAM和NAND今年市场看好,预计两位数增长

来源:内容来自「数码时报」,谢谢。

据韩国《数码时报》报道,不仅是半导体业界,在韩国出口中占最大比重的DRAM和NAND闪存等存储器今年将以两位数的增长率反弹。除了三星电子和SK海力士的业绩回升之外,韩国的半导体业也将再次飞跃。

市场调查企业IC insights最近发表了《McClean Report 2020》报告,将今年增长最快的3大半导体IC(集成电路)分段选定为NAND闪存、汽车专用Logic半导体和DRAM。

报告预测,以销售额为准,NAND闪存和DRAM今年将分别比去年增加19%和12%。据业内人士解释道:“DRAM和NAND闪存是两大IC市场,这点值得关注”,“这将是最大的反转”。

实际上,在世界半导体市场上,存储器所占据的比重达到30%。据世界半导体贸易统计机构(WSTS)称,去年全球存储芯片市场规模为1059亿美元,比前一年减少33%,结果半导体市场规模也减少13%左右,由此可以看出,存储芯片在半导体市场上所占比重非常大。

IC insights预测说,包括存储器在内,在全体33个IC产品中,今年的市场规模将比去年增加26个。作为参考,去年33个产品群中只有6个被预测为增长。

报告书不仅预测了NAND闪存和DRAM,还预测了汽车用Logic (Automotive-Special Purpose Logic, 13%)、显示器驱动芯片(10%)、内置型微处理器(embedded MPU, 10%)等领域的增长率也达到了两位数。

因存储器市场的戏剧性反弹,三星电子和SK海力士等半导体企业的业绩将急剧上升。从三星电子的情况来看,去年第四季度已经超过业界预测值,获得了7.1万亿韩元的营业利润,今年预计也将继续保持上升势头。SK海力士今年也有望全面反弹。

这也反映在了股价上,三星电子的股价从去年12月4日的4.9万韩元到最近的一个多月里暴涨了20%以上,而SK海力士的股价在同期上涨了30%以上。

业界有关负责人表示:“世界经济的不确定性仍然是变数,但从长期来看,随着第4次产业革命带来的数据使用量激增,存储器需求将保持坚挺的增长势头。”

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