存储nand验证报告 MK米客方德品牌SD NAND 可靠性验证测试

发布时间 : 2025-01-20

作者 : 小编

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MK米客方德品牌SD NAND 可靠性验证测试

SD NAND 可靠性验证测试的重要性

SD NAND可靠性验证测试至关重要。通过检验数据完整性、设备寿命、性能稳定性，确保产品符合标准，可提高产品的可信度、提高品牌声誉，减少维修成本，确保产品质量和市场竞争力。MK-米客方德是一家做存储的公司，是SD NAND技术的引领者，工业应用的领导品牌。其公司SD NAND产品都有可靠性验证测试报告，

SD NAND 可靠性验证测试报告

以MK-米客方德工业级SD NAND的MKDN064GCL-ZA型号为例，下面是可靠性验证测试的具体项目。

『Test Summary』

Test Item

Description

Result

Card Density Check

90%

Pass

Performance Test

HDBench/CrystalDiskMark/H2test

---

Compliance Test

TestMetrix VTE3100/VTE4100

Pass

Speed Class Test

TestMetrix VTE3100/VTE4100

Pass

Full Size Copy/Compare

H2test

Pass

Burn-in Test

BIT @-25~ 85’C

Pass

NPOR Test

Normal power cycle test when card is stand by

Pass

SPOR Test

Sudden power cycle test when card is busy

Pass

Read Only Test

H2test

Pass

IR-Reflow

260 ’C, check SLC data

Pass

Power consumption

Write & Read current measurement

---

Test Item

Card Density Check

Test Tool & Environment

SD FormatterWin7 OS

Sample Quantity

1ea

Result

7374MB, 90%

Performance Test HDBench / CrystalDiskMark / IOMeter / H2test

Test Tool & Environment

HDBench Ver3.40 / CrystalDiskMark 6.0 / IO meter / H2 testCard Reader : Transcend TS-RDP5K (GL834)Win7 OS

Test Criteria

Depends on customer criteria

Sample Quantity

2ea

Result

Pass (see 2.4 performance data)

IO Meter

Test Tool & Environment

1. IO Meter 2006.07.27

Card Reader : Transcend TS-RDP5K (GL834)Win7 OS

Test Criteria

Depends on customer criteria

Sample Quantity

2ea

Result

Pass (see 2.4 performance data)

TestMetrix

Test Tool & Environment

1. TestMetrix VTE3100/VTE4100

Test Criteria

Depends on customer criteria

Sample Quantity

3ea

Result

Pass (see 2.4 performance data)

Performance Data

Test Item

Test Mode

Result

HDBench (100MB)

Sequential Read (MB/s)

46.2

Sequential Write (MB/s)

24.2

CrystalDiskMark (100MB)

Sequential Read (MB/s)

47.5

Sequential Write (MB/s)

IOMeter (100MB)

Random Write (IOPS)

572.6

Random Read (IOPS)

1119.5

TestMetrix

Sequential Read (MB/s)

24.4

Sequential Write (MB/s)

H2test

Sequential Read (MB/s)

40.6

Sequential Write (MB/s)

Compliance Test

Test Tool & Environment

TestMetrix VTE3100/VTE4100

Test Criteria

Test done without error

Sample Quantity

3ea

Result

Pass

Speed Class Test

Test Tool & Environment

1. TestMetrix VTE3100/VTE4100

Test Criteria

Pass class 6 condition

Sample Quantity

3ea

Result

Pass

Speed Class

Test Mode

Result

Class6

Pw (MB/s)

8.5

Pr (MB/s)

9.6

Full Size Copy/Compare

Test Tool & Environment

H2test v1.4Card Reader : Transcend TS-RDP5K (GL834)Win7 OS

Test Criteria

Test done without no error

Sample Quantity

2ea

Result

Pass

Burn-in Test

BIT v8.0

Test Tool & Environment

BurnInTest v8.0Card Reader : Transcend TS-RDP5K (GL834)Win7 OS

Test Criteria

168hours without error @25/85/-25’C

Sample Quantity

Total 6ea

Result

Pass

NPOR Test

Test Tool & Environment

1. MK NPOR Tool

Test Criteria

Pass 10K cycles

Sample Quantityv

2ea

Result

Pass

SPOR SPOR Test1

Test Tool & Environment

1. MK SPOR Tool – 5%/95% non-file system

Test Criteria

Pass 10K cycles

Sample Quantity

2ea

Result

Pass

SPOR Test2

Test Tool & Environment

1. Specific SPOR Tool – small/large file system based

Test Criteria

Pass 10K cycles

Sample Quantity

2ea

Result

Pass

Read Only Test

Test Tool & Environment

H2testCard Reader : Transcend TS-RDP5K (GL834)Win7 OS

Test Criteria

72hours without error

Sample Quantity

4ea

Result

Pass

IR-reflow

Test Tool & Environment

IR-reflow 260 ‘C

Test Criteria

3 times test and check all data without error

Sample Quantity

10ea

Result

pass

Power consumption

Test Tool & Environment

CrystalDiskMark 6.0Card Reader : Transcend TS-RDP5K (GL834)Win7 OSAgilent U1252B

Item

Standby

current(uA)

Operating

current (mA)

Throughput (MB/s)

210

Read

47.6

Write

26.6

211

Read

Write

26.8

210

Read

Write

致钛之闪存颗粒闲谈

前一段时间因为某虚拟币的大热，带来了一波抢购大容量固态硬盘用来挖矿的大潮，而在这波大潮中，致钛固态硬盘算是小小的崭露了一番头角。除却高容量企业级固态硬盘外，致钛的零售固态以其高TBW的长寿命颗粒也获得了不少“矿老板”的认可（几大自身能够生产颗粒的原厂固态品牌中，某国际品牌的零售固态竟然并没有获得“矿老板”的认可，此处应当有笑声）。一些评测也确实证实了致钛固态硬盘目前使用的64层3D TLC在写入寿命和耐高温上都表现极佳。我一直关注致钛的闪存颗粒，但一直没有专门聊过这个，今天就闲谈一下致钛的闪存颗粒。

众所周知，致钛是长江存储自有品牌，所以它所推出的固态硬盘所使用的闪存颗粒必然是来自长江存储。长江存储以其独特的Xtacking技术架构先后量产了32层3D NAND、64层3DNAND，今年还发布了最新的128层3D NAND（包括3D TLC和3D QLC）。

致钛所使用的闪存颗粒现在最为人熟知的就是它的“Xtacking”标识，什么是Xtacking呢？Xtacking是一种3D堆栈技术架构，咱们就从3D NAND技术聊起。简单来说如果把2D NAND看成平房的话，那把平房叠在一起变成了楼房就是所谓的3D NAND了，3D NAND一般由阵列（垂直堆叠的层）和外围电路两部分组成，阵列是用来存储的，外围电路是用来控制辅助阵列的。就像我们盖大楼一样，楼层越高，那么你楼下的供电供水设施就要越多越大，3D NAND也是如此，堆叠层数越多，外围电路就需要占用更多的面积，如此一来就会占用很多的芯片空间，增加了3D NAND的制造复杂性和制造成本。所以就必须解决这个问题，Xtacking架构就是为解决这一问题而诞生的。Xtacking技术是将外围电路置于存储单元之上（类似于大楼的众多供水供电装置不放在大楼的周围了，而是直接放在了楼顶上，节省了土地面积），从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。当然Xtacking架构的实现是极为复杂的技术和工艺，并不像我说的这样简单，它需要像上图那样，在两个单独的晶圆上分别制作外围电路和存储单元，然后通过自身的技术处理，以数十亿根垂直互联通道将两个晶圆结合到一起。这一架构技术使得长江存储原厂颗粒具备了高存储密度，更快的I/0传输速度，以及更短的制造周期。所以长江存储自家原厂颗粒真的是有独门绝活的，很强的，目前的Xtacking架构已经来到了Xtacking 2.0。

原厂Xtacking闪存颗粒凭借高存储密度、高I/0传输速度以及优秀耐高温表现成为了致钛SSD高稳定、高耐用品质的最重要保障。当然聊起致钛稳定耐用这事儿，我就得多说两句了，致钛除了闪存颗粒极为稳妥外，致钛的固件也是极为稳妥，甚至个人觉得致钛固件写得有点保守，以致钛所使用颗粒的高质量而言，完全可以把固件搞得很激进……但是呢，对于用来存储数据的硬盘来说，或许致钛这种凡事先求稳，再于稳中求性能的风格才是更值得肯定的。致钛当前产品线有SATA接口的SC001和NVMe协议（PCIe3.0*4速率）的PC005，都表现优秀质量稳定，但是还是要在这里呼唤一下，致钛请尽早推出128层Xtacking闪存的PCIe4.0速率旗舰固态好不好？期待致钛更多更新的产品和我们相见！

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