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128层nand禁止 全面围堵!美国想禁14nm及以下,128层以上的半导体设备
发布时间 : 2025-01-19
作者 : 小编
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全面围堵!美国想禁14nm及以下、128层以上的半导体设备

近日,有媒体报道称,为了全面围堵中国半导体的发展,美国官员计划对14nm及以下的芯片制造设备,以及128层以上的存储芯片制造设备进行禁止,不允许供应商们对位于中国大陆的厂商出货。

为何要禁止14nm及以下的芯片制造设备?原因在于28nm是成熟工艺与先进工艺的分界线,14nm算是先进工艺了,所以要禁止,只能让我们制造成熟工艺的芯片,停留在成熟工艺上,然后先进工艺的芯片,从美国买,然后美国获得巨额利益。

而为何要禁128层以上的存储设备制造设备?原因在于128层的NAND闪存,在当前其实也算是成熟工艺了,长江存储早已量产了。

像三星、SK海力士等早就进入了192层,甚至200+层,最近美光不就表示已经推出了232层 3D NAND闪存了么?

禁128层以上设备,相当于就阻止中国存储芯片厂商,进入了更先进的技术,只能停留在128层技术上。

据称,这个禁令针对的是所有位于中国大陆的厂商,不管这个厂商是不是中国本土的厂商。意思就是假如台积电、intel、三星等企业,在中国大陆设的厂,也一样要被禁止。

很明显,美国就是全方面的进行围堵我们的半导体产业掌握先进技术,希望我们只能掌握成熟的技术,这样就离不开美国的芯片,一直被美国卡着脖子,那么我们的高科技产业,就一直处于美国掌握之中。

不过,当前这个禁令还只是某些官员提出,并没有真正的成为政策执行,但接下来会不会执行,还是未知数。

但这则消息已经反映出一个现象,那就阻止中国科技产业崛起,可能已经是美国某些政客的共识了,这对于我们而言,确实不是一个好消息。

再考虑到美国之前通过的520亿美元的芯片补贴计划,要锁死中国高端芯片产业10年,逼芯片巨头们二选一,所以我们接下来发展半导体产业,只能靠自己,不能对外有任何幻想,一定要全产业链崛起才行。

美拟对华禁售半导体设备,韩国企业担心“躺枪”

“美国拟对中企禁售NAND闪存设备,韩国半导体产业或‘躺枪’”,韩国《亚洲经济》8月2日的报道称,美国继对华禁售14纳米以下光刻机等半导体设备后,正在考虑限制向中国存储半导体制造商出口美国半导体制造设备,三星电子和SK海力士等韩国半导体大厂或因此蒙受损失。

报道称,美方此次计划禁止对华销售用于制造128层堆叠以上的NAND闪存芯片设备,限制对象包括长江存储等,目前尚处于初步讨论阶段,暂无起草计划。目前生产制造128层堆叠以上的NAND闪存芯片设备包括美国的应用材料公司和泛林集团等企业。若这项限制计划最终获批,将是美方首次通过出口管制来限制中国生产非军事用途的存储芯片。

有专家认为,这项计划最大的受害者有可能是韩国半导体产业,尤其是三星电子和SK海力士。目前三星电子在西安和苏州建有两座NAND闪存芯片工厂,SK海力士则在无锡、重庆和大连建有生产线。SK海力士此前完成收购英特尔在中国的NAND闪存芯片制造业务。若美方此次计划获批,美国芯片设备将被禁止运往这两家韩企位于中国的工厂。资料显示,成立于2016年的长江存储已成功量产128层NAND闪存芯片,并有传闻称最快可能于2022年年底量产232层NAND闪存芯片。美国白宫在去年6月发布的一份报告中指出,长江存储的扩张战略对美光科技、西部数据等美国企业构成“直接威胁”。

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