闪存结构全解：固态硬盘小白晋升大师之路

正所谓"外行看热闹，内行看门道"，很多朋友搜寻一款固态硬盘的信息主要看性能跑分，而知识更加丰富的玩家则会重点关注这款固态硬盘的硬件架构，闪存规格以及主控、固件的口碑。毕竟除了跑分，还有很多因素影响着固态硬盘到底是否好用。

今天存储极客就将带你深入到固态硬盘以及闪存的基础知识当中，带你看懂行业"黑话"，不再一脸懵逼。

Channel：通道

提到一个固态硬盘的通道数量，多数时候说的是闪存通道，但M.2 NVMe固态硬盘会有PCIE通道的参数。我们这里谈的是前者。

闪存通道数量直接反映了固态硬盘的并发读写能力。可以简单理解为马路上有多少条车道，显然通道数量越多，理论性能越好。当然，还有很多影响因素，通道数量只是一个底子。

CE：片选信号

紧跟闪存通道之后的往往就是CE数量。经常可以在一些固态硬盘评测中看到这样的介绍，某某主控支持X通道，每通道支持Y CE。CE是Chip Enable片选的缩写，下图是一个东芝闪存颗粒的逻辑结构，2 Die封装，拥有两个CE信号。

除了通道可以并行提升吞吐量之外，多CE交错也可以提高固态硬盘性能。主控的闪存通道以及每通道支持的CE数量还会影响它最终能够提供多大的固态硬盘容量。

Package：封装

我们能够看到的一颗闪存就是一个Package封装，它有TSOP或者BGA两种形态，前者的引脚在封装两侧引出，后者则在封装的底部拥有一个球栅阵列。下图是东芝TR200固态硬盘中使用的TSOP封装闪存颗粒。TSOP和BGA本身没有好坏之分，通常在空间足够的情况下使用TSOP，而M.2固态硬盘则大都选择封装密度更高的BGA形态。BGA封装还有一个优势：每个颗粒能支持2个甚至4个闪存通道，而TSOP只能支持1个。

我们在上边看到的黑色颗粒并不是闪存的本来面目，那只是一到多个芯片通过引线键合或者TSV硅通孔工艺完成连接之后，再用树脂材料封装并引出针脚。而芯片则是从闪存晶圆中摘下的一小片合格晶粒。

俗称的原片就是由原厂检测并封装、打上原厂商标的高品质颗粒，原厂固态硬盘，比如上面提到的东芝TR200当中使用的就是这种类型的闪存。而白片则是未经原厂认证的不明体制闪存芯片封装成的闪存颗粒；黑片是在检测中明确被淘汰的下脚料，被利益熏心的人低价回收后赌人品。

Die：这里并不是死的意思

Die也被称作LUN（逻辑单元），也是闪存内可执行命令并回报自身状态的最小独立单元。下图是由4个Plane组成两个Die，两个die组成的芯片。

单Die容量是衡量闪存技术先进性的一个指标。单Die容量越大意味着闪存存储密度越高，做出来的固态硬盘容量也就越大。目前东芝第三代3D TLC闪存已经实现512Gb的单Die容量，如果是QLC类型，则能达到768Gb的水平。

Plane：面

一个闪存Die可以拥有1到多个Plane面。下图是东芝BiCS3闪存的一个512Gb Die，包含了两个256Gb容量的Plane面，总容量512Gb。

Block：块

接下来就到了微观领域，通常是无法直接看到外观的层级。NAND闪存自问世那一刻起就有一个恒定不变的使用要求：写入（Program）数据前必须先进行擦除（Erase），而闪存的最小擦除单位就是Block块。

Page：页

每个Block都是由数百乃是数千个Page页组成的，而Page的意义也非比寻常，它是闪存当中能够读取合写入的最小单位。当前闪存的一个Page通常是16KB，如果你需要读取512字节的数据，那在闪存层面上就必须把包含这512字节数据的整个Page页内容全部读出（实际发生的读取16KB）。

Cell：单元

每个16KB的Page页又是由大量的Cell单元构成。Cell是闪存的最小工作单位，执行数据存储的任务。闪存根据每个单元内可存储的数据量分成SLC（1bit/Cell）、MLC（2bit/Cell）、TLC（3bit/Cell）和QLC（4bit/Cell），成本依次降低，容量依次增大，耐用度也依次降低。目前3D TLC是闪存的主力类型，优质的原厂闪存配合具备LDPC纠错的主控，可以实现3000次左右的擦写寿命，与过去2D平面MLC闪存接近。

篇幅所限，本文中只能简单介绍闪存的知识，更多内容敬请收藏并关注存储极客的头条号。

宏旺半导体解析机顶盒内部存储选择 eMMC和NAND有什么区别

现代家庭生活中，网络机顶盒已经成为信息家电中至关重要的技术设备，最麻烦的就是遇到因为固件问题而不能正常使用，我们在刷网络机顶盒固件时，常看到固件中指明适用于eMMC、NAND，那这两者区别和联系呢？宏旺半导体和大家聊聊这块，并且ICMAX eMMC在网络机顶盒上也有实用案例。根据市场行情，目前机顶盒的机身闪存，普遍采用NAND闪存，少部分新型号采用的是eMMC闪存。

这里先重点讲的是eMMC 和Nand flash 之间的区别，主要区别如下：

(1) 在组成结构上：eMMC存储芯片简化了存储器的设计，将NAND Flash芯片和控制芯片以MCP技术封装在一起，省去零组件耗用电路板的面积，同时也让手机厂商或是计算机厂商在设计新产品时的便利性大大提高。而NAND Flash仅仅只是一块存储设备，若要进行数据传输的话，只能通过主机端的控制器来进行操作。两者的结构图如下：

(2) 在功能上：eMMC则在其内部集成了 Flash Controller，包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。相比于直接将NAND Flash接入到Host 端，eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性，可以减少 Host 端软件的复杂度，让 Host 端专注于上层业务，省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。

从直观上如何判断eMMC和NAND Flash的区别，一般可以认为，无引脚的就是eMMC。

简单记忆，有引脚的就是NAND闪存，个别型号除外。

eMMC与NAND在机顶盒上应用表现区别：

1、eMMC闪存一体化解决方案，不需要处理NAND闪存的兼容性和管理问题

2、eMMC高速读取，能大幅提升机顶盒性能，特别是4K播放性能，相当于电脑的硬盘读取速度更快，APP就能更快地被载入内存。

3、普通网络机顶盒的NAND闪存一般只有15MB/s左右的读取速度，而eMMC的读写速度一般为50MB/s以上。

4、使用eMMC的机顶盒，开机速度更快、APP打开更快，有着更顺畅的操作体验。

整体来说eMMC通过使用Cache、Memory Array 等技术，在读写性能上也比 NAND Flash要好很多。另一方面，eMMC的读写速度也比NAND Flash的读写速度快，eMMC的读写可高达每秒50MB到100MB以上。现在部分新出品的网络机顶盒已经开始使用eMMC，宏旺半导体eMMC就有针对网络机顶盒领域的实际应用案例，读写速度快，使用寿命长，相较于使用NAND Flash的机顶盒，性能更佳。

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