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3更换nand服务三星中国西安工厂工艺改造：2025年更换为236层NAND

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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三星中国西安工厂工艺改造：2025年更换为236层NAND

三星中国西安工厂工艺改造... 2025年更换为236层NAND

【根据电子时报】报道

三星电子正计划改造其位于中国西安的 NAND 闪存工厂。目前正在生产的128层（V6）NAND闪存生产线将升级至236层（V8）。这项投资是在美国政府取消进口半导体设备的规定后进行的。从平泽到西安，全球最大的 NAND 闪存公司三星电子向先进工艺的转型正在加速。

据业内人士2日透露，三星电子决定将其中国西安工厂从128层工艺转为236层工艺。我们决定明年初开始更换设备，并通知了相关行业。目标是到 2025 年过渡到流程。

三星电子此前已开始转换平泽第一工厂 (P1) 的 NAND 工艺。P1也生产128层NAND，但决定改为236层NAND。由于经济不景气，128层NAND库存堆积，因此决定减少旧产品的产量，供应未来需求旺盛的236层NAND。

NAND闪存单元的数量就是堆叠的cell数量，数量越多，容量越大。截至目前，236层NAND是三星电子最先进的NAND。三星电子计划明年初量产约300层的下一代NAND（V9），但236层是最新的商业化产品。

中国西安工艺转产之所以受到关注，是因为美国半导体设备法规。西安工厂是三星的关键工厂，约占三星NAND产量的40%。然而，由于市场状况恶化，128层NAND生产得越多，库存就越多。对于三星电子来说，改用西安工艺迫在眉睫，但美国的设备法规是一个障碍。由于法规禁止向中国出口能够生产200层以上NAND的设备，我们的处境很困难。

然后，十月，道路开通了。这是因为美国政府最终决定向三星电子和SK海力士的中国工厂供应美国半导体设备，无需任何单独的许可程序或截止日期。在被指定为“经过验证的最终用户（VEU）”并能够不受限制地引进设备后，三星决定改用西安前端流程。

业内人士表示，由于内部 NAND 需求没有增加，三星电子对新投资感到担忧，但有报道称，三星电子决定转向 236 层是必要的，以维持适当的 NAND 库存。

一位半导体行业官员表示，“即使我们改用236层NAND，我们也有通过升级部分部件而不是更换整个设备来最大限度地减少更换的优势。”他补充道，“NAND比DRAM更萧条，但对尖端 NAND 的需求强劲。”“这是考虑到需求持续增长的事实，”他说。

西安工厂的转产预计将对NAND库存的减少产生重大影响。这是因为它是三星最大的NAND闪存生产工厂，目前128层产品的库存最高。在工艺转换过程中，必须安装或更换一些设备，导致无法正常运行，导致产量下降。

三星电子西安工厂将生产多少236层的具体产能（CAPA）尚未确定。看来生产堆叠数约为 300 层的 V9 的可能性也在考虑之中。

三星电子一位官员表示，“NAND需求的变化很重要”，并且“尚未确认是否完全转换为236层”。

传三星大砍平泽三厂达产规模，四季度NAND价格将上调10%

据中国台湾电子时报报道称，三星电子将下调韩国平泽三厂(P3)的投资规模，并大砍DRAM、NAND Flash达产规模，其中NAND Flash产能增设规模或降至原定三分之一水准，加上随着三星持续转换先进制程，设备更换期间带来的自然减产效果预计也将扩大。

自去年以来，受俄乌冲突、全球通货膨胀、经济趋势下滑等诸多因素影响，智能手机、PC等电子产品的需求持续下滑，使得对于存储芯片的需求也出现了持续下跌，存储芯片价格持续大跌，存储芯片厂商的业绩纷纷变脸。对此，从去年下半年以来，就有存储芯片厂商开始陆续减产，希望能够通过减少供应来改善市场的供需结构，推动存储芯片价格的止跌回升。

作为全球最大的存储芯片供应商，在今年一季度惨淡的业绩公布之后，三星也一改之前坚决不减产的态度，宣布对存储芯片进行减产。三星电子在一份声明中称，“在评估公司已经获得了足够的产量以应对未来存储芯片需求变化的情况下，公司正在调整，以确保额外供应的产品为核心，将存储芯片产量降低到有意义的水平，并优化已经在进行的生产线运营。但是三星并未公布具体的减产规模。

随后在二季度的财报会议上表示，为了加速存储芯片市场的回暖，三星宣布延长减产计划，并调整包括NAND Flash在内的特定产品产出。

与此同时，另一家存储芯片大厂SK海力士也在二季度财报会议上表示，在 NAND Flash 的库存去化速度相比DRAM更慢，因此决定扩大对于NAND Flash的减产幅度。美光也在二季度财报会议上表示，美光正专注于库存管理和控制供应，近期DRAM和NAND晶圆将进一步减少近30%，预计减产将持续到2024年。

针对存储芯片市场目前表现，包括市场调查研究机构及外资的研究报告都表示，当前供应商的减产状况将持续，使得价格有逐渐恢复的趋势。不过，整体市场供需与价格要回复到健康的水准，预计整体还需要一段时间的努力。

另据韩国媒体BusinessKorea报道，三星电子为了提振NAND Flash芯片市场行情，打算在第四季将NAND Flash芯片价格调涨10%以上，且最快自10月开始涨价。业界人士认为，第四季DRAM及NAND合约价可望看涨10%～15%。

据市场调查及研究机构TrendForce最新的预测显示，预计2024年存储芯片原厂对于 DRAM 与 NAND Flash 的减产策略仍将延续。尤其，以亏损严重的 NAND Flash 更为明确。预估在 2024 年上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗，加上通用型服务器的资本支出仍受到 AI 服务器排挤而显得相对需求疲弱下，鉴于 2023 年基期已低，加上部分存储产品价格已来到相对低点，预估 DRAM 及 NAND Flash 需求位元年成长率分别有 13% 及 16%。

编辑：芯智讯-浪客剑

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