三星计划上调DRAM和NAND价格15%至20%,手机、PC将迎来涨价潮
据国外媒体报道称,三星计划于第三季度将动态随机存储器(DRAM)和NAND闪存的价格上调15%至20%。三星已通知其下游合作伙伴,提醒他们即将到来的价格变动。这一消息在行业内引起了广泛关注,并且与戴尔此前的预告相呼应:SSD和内存等产品的价格在未来将继续上涨。
需求增长推动价格上调
戴尔公司首席运营官杰夫·克拉克(Jeff Clarke)在近期的财报电话会议中表示,市场对功能强大的人工智能(AI)服务器的需求正在迅速增长。这些服务器需要高带宽内存和高速内部及外部存储,因此推动了DRAM和NAND等存储器的需求。随着这些AI服务器的普及,相关的硬件需求也随之水涨船高,进一步加剧了供应紧张的局面。
克拉克指出,大部分市场需求将围绕这些高性能服务器展开,而这些服务器对高带宽内存和高速存储的需求将继续增加。预计今年下半年,固态硬盘(SSD)和DRAM的成本将增加15%至20%,这对供应链上下游的厂商都将带来巨大的成本压力。
厂商应对供应紧张的策略
为了应对库存过剩问题,几家芯片制造商在今年上半年缩减了生产规模。然而,根据戴尔的最新警告,他们似乎缩减得过多,现在面临的问题正好相反:需求过高而供应不足。这一供需失衡的现象迫使厂商不得不将成本压力转嫁给买家,导致价格上涨。
DRAM和NAND芯片行业的动荡已经持续了一段时间。2023年,由于库存过剩,芯片制造商面临着价格屡创新低的局面。虽然这对消费者来说是件好事,但对企业来说则意味着利润压力的增加。为了纠正库存问题,几家制造商采取了缩减生产规模的策略,但这也使得当前的供应链面临新的挑战。
未来展望
在未来几个月,市场可能会进一步波动,特别是随着AI技术的快速发展,对高性能存储器的需求将继续增加。厂商需要在满足市场需求和控制成本之间找到平衡,以应对价格上涨带来的挑战。
总体而言,三星计划上调DRAM和NAND价格的举措反映了当前市场需求的激增和供应链的紧张状态。对于消费者而言,这可能意味着购买SSD和内存等产品的成本将进一步增加。而对于企业来说,如何应对不断变化的市场需求和供应链挑战,将成为未来一段时间内的重要课题。
随着行业动态的不断变化,相关厂商需要及时调整策略,以应对市场需求的变化和供应链的挑战。这不仅需要技术和生产能力的提升,还需要在供应链管理和市场预测方面的持续改进。
在这一背景下,市场参与者需要密切关注行业动态,及时调整策略,以应对不断变化的市场环境。同时,加强与供应链上下游的合作,共同应对市场波动,将成为未来确保稳定供应和控制成本的关键。
NAND产品涨超10%!存储巨头再度调涨存储芯片报价 最快本月生效
据韩媒报道,日前多位消息人士透露,三星内部认为目前NAND Flash供应价格过低,公司计划今年四季度起,调涨NAND Flash产品的合约价格,涨幅在10%以上;预计最快本月新合约便将采用新价格 。
今年以来,三星一直奉行减产战略,1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域,之后下半年三星开始着手大幅削减NAND Flash业务产量,眼下正试图推动NAND价格正常化。
如今DRAM已出现价格反弹,而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模,降低供应量,再提高产品价格来寻求反转,其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点 。
SK证券研究员Han Dong-hee认为,三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。
值得一提的是,三星9月已与客户(包括小米、OPPO及谷歌)签署了内存芯片供应协议,DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20% 。三星电子预计,从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。
另外,原厂近期已通知下游厂商,Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同,但涨幅几乎都在双位数水平,其中NAND Flash Q4合约价有望涨一至两成,DRAM则约涨一成。
10月初,威刚董事长陈立白表示,存储芯片产业苦熬两年,黑暗将过,2024年下半年更可能出现短缺 。他认为,由于三大存储芯片巨头积极减产,效益开始显现,NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。
目前业内买卖双方正在洽谈合约价,陈立白估计,DRAM及NAND Flash第四季度合约价将上涨10%-15%,三星甚至计划调涨20%,仍待观察成交价 。
从行业供给端来看,中信证券预计,2023年行业供给增速将低于需求增速,供需将逐步达到平衡,有助于库存修复,看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言,目前终端厂商已处于去库存的后期,全年出货有望呈现前低后高,看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。
总体上,分析师预计下半年随着库存去化,需求逐步回归,行业细分龙头有望迎来业绩修复机会,看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇,建议关注:1)存储模组;2)存储芯片设计;3)存储配套芯片。
本文源自科创板日报
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