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nand下半年美光宣布96层3D NAND下半年量产

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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美光宣布96层3D NAND下半年量产

IT之家6月24日消息美光最新公布了2018财年第三季度的结果，同时也公布未来的发展方向，预告在2018年下半年96层3D NAND技术将会开始批量出货，全新96层是第三代3D NAND技术，可进一步增加每个芯片的储存容量，从而能够打造出更小，更节能的设备。

目前的大多数SSD通常采用32层或64层NAND闪存，全新的96层3D NAND技术已是第三代，Micron并已计划打造超过120层的第四代3D NAND.Micron表示，与目前采用的64层NAND相比，96层的价格也会更便宜，将有望能够降低SSD的价格。

同时，Micron已报告准备为客户提供适用于汽车行业的类型GDDR6显存，采用1x-nm技术制造，低功耗的首款GDDR6显存，能为车载系统如“自动驾驶”提供更佳的解决方案。

在技术层面方面，全新的GDDR6遵循GDDR5和GDDR5x显存的发展道路，但底层架构将会有所变化。美光的资料提到，在性能测量可确定GDDR6显存可能会超出16.5 GB / s的范围。

IT之家 5 月 24 日消息，据台媒《MoneyDJ 理财网》报道，台积电高管在 2024 年技术论坛新竹场上称，其采用 Nanosheet 纳米片（GAA 晶体管）的 2nm 节点进展顺利。

台积电联席副 COO 张晓强表示，台积电的 2nm 制程进展“非常顺利”：目前纳米片的“转换表现”已达到目标 90%，按良率计算也超过了 80%。

台积电认为其 N2 制程在 2025 年推出时，将继续成为代工业界最领先的技术。

▲ 论坛上的张晓强。图源台积电官方社交媒体动态

另据外媒 Anandtech 整理，台积电将在 2025 下半年实现 N2 制程量产，同期还将带来 3nm 家族中面向 HPC 应用的 N3X 制程。

N3X 制程拥有更高的 1.2V 最大电压，相较 N3P 制程在相同频率下功耗降低 7%，在相同面积下性能提升 5%，在相同频率下密度提升 10%。另据IT之家此前报道，该节点有望从今年开始接获投片。

而在 2026 下半年，台积电将量产两个 2nm 家族变体制程：N2P 和 A16。

N2P 制程将相较 N2 制程在相同频率和密度下功耗降低 5~10%，在相同密度和功耗下性能提升 5~10%。

在 A16 节点，台积电将正式引入背面供电技术。该制程可在相同工作电压下，频率提升 8~10%；在相同频率下功耗降低 15~20%，密度至高提升 10%。