外媒：三星将在5月初为NAND闪存生产安装晶圆厂设备

据外媒TheElec 4月19日报道，三星计划于5月初在其平泽工厂的新晶圆厂P3上安装晶圆厂设备。

TheElec引述消息人士称，三星将首先在5月第一周为NAND闪存生产安装晶圆厂设备。另外，P3厂区将先建造NAND闪存生产线，然后是DRAM和晶圆代工。

据了解，三星P3厂区是三星平泽厂区的第三座芯片工厂，是一个综合生产基地，同时运营存储器和晶圆代工生产线。P3厂区面积为70万平方米，是P2厂区面积的1.7倍。

报道称，当P3下个月开始量产时，将占用平泽工厂6块工厂用地中的3块。三星预计将在P3之后在平泽建造P4，同时计划在美国建造另一座20万亿韩元的代工工厂。

从2017年开始，三星在韩国平泽一期工厂一楼进行64层NAND的生产。2018年，三星在其二楼增设了DRAM产线。

同年，三星在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂（P2），用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。新工厂P2总投资额约30万亿韩元，就在距离平泽工厂不远处。

封面图片来源：拍信网

三星西安工厂计划升级设备，为生产第8代V-NAND技术闪存产品做好准备

近日，存储器制造商三星和SK海力士已经获得美国无限期豁免，不需要特别的许可批准，即可为其在华工厂安装带有美国技术的制造设备。目前三星在西安拥有NAND闪存工厂，另外在苏州还有封装设施。

据Business Korea报道，三星已经决定对西安工厂进行升级，并开始大规模扩张，首先将过渡到200层的NAND工艺。为了应对过渡计划，目前三星已采购了一批新的设备，预计今年年底就能交付。同时三星计划明年陆续引进新的生产设备，为生产采用第8代V-NAND技术的236层闪存产品做好准备。

三星决定升级西安工厂主要有两个原因。第一是NAND闪存市场没有出现复苏迹象，即便今年4月开始采取减产措施也没有明显改变，为了保持其在该领域的领导地位，选择升级工艺可以确保产品的竞争力和价格，毕竟比起第6代V-NAND技术，第8代新技术的晶圆投入减少了30%左右，更能平衡市场供需。三星西安工厂作为采用第6代V-NAND技术的128层闪存产品的主要生产基地，开工率自然也大幅度下降。

美国的无限期豁免是另外一个原因，促使三星尽快升级生产设备。三星在西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储半导体生产基地，第一工厂投资了108.7亿美元，于2014年5月开始投产，并在2017年开始建造第二工厂，先后投资了150亿美元，于2022年3月全面投产。这是全球产能最高的NAND闪存工厂，占三星NAND闪存总产量的40%以上，占全球NAND闪存总产量的10%以上。

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