性能全面升级 三星V-NAND 870 EVO固态硬盘评测

三星存储近期发布了全新的870 EVO固态硬盘，这款硬盘是上代860 EVO的迭代产品，在性能方面进行了全面升级，同时采用了最新的MKX主控和第六代V-NAND技术，不论是品质还是可靠性都非常出色，而对于消费者来讲，一款大容量兼顾高性能的固态硬盘对于我们日常工作效率有着质的提升。

设计外观：竖版结构 经典延续

外观方面，三星 870 EVO依旧延续了经典的设计风格，包装简洁大气，上面是整个产品的渲染图，同时关键性的信息也一目了然。

除了型号之外，这款SSD的性能可以达到惊人的560MB/S和530MB/S，这是目前SATA3接口理论带宽的最高值，性能领先目前市面上绝大部分的SATA3接口固态硬盘。

三星870 EVO正面是三星的品牌标识，并且还有经典的方块图案，同时黑色的外观也延续了EVO系列的一贯风格，代表着更高的性能和更加优秀的品质表现，辨识度极高，让用户一眼就能认出产品。

接口方面，三星870 EVO采用了标准的SATA接口设计，兼容多种设备，不论是老机升级还是为自己的笔记本电脑扩容，均非常的简单；在安装方面，标准的2.5英寸身材不论是台式机还是笔记本电脑，均能够轻松兼容，同时7mm的厚度，非常地轻薄。

MKX控制器+第六代1XX层 V-NAND+智能缓存

在控制器和NAND颗粒方面，全新的870 EVO采用了最新的MKX控制器，相对于上代控制器全面升级，搭配大容量的独立缓存，能够提供极佳的性能表现，长时间的高负荷运载过程中，三星870 EVO依旧能够表现出色。TurboWrite通过使用SSD中预先分配的SLC写入缓冲区，显著加快了写入速度，可在数据传输过程中长期保持高性能，在NAND方面，870 EVO使用了三星最新的第六代V-NAND技术，并且经过三星专业的电路设计，相对于第五代V-NAND颗粒，读写性能均有提升，达到560MB/S和530MB/S的连续读取性能表现，同时在持续的随机写入性能提升提升高达30%，综合性能全面升级，并且大幅领先市面上的其他竞品。

另外在可靠性方面，三星870 EVO从内到外，均为三星自主研发设计，为了确保每个元器件的正常运行，搭配1XX层V-NAND颗粒，总写入字节数最高可达2400TB，同时搭配5年有效质保，用户基本不用担心整块硬盘的寿命问题，可以安心使用。

现代待机模式+魔术师软件，优化用户体验便于应用

在Windows 10系统中，三星870 EVO固态硬盘采用了Modern Standby模式，大幅提升我们的使用体验。在电脑待机的时候，整块硬盘的功耗低于5mW，有效节省能源，并且在我们操作电脑的时候，硬盘能够从休眠的状态下，直接进入工作状态，拥有极速的响应，让我们的系统瞬间从休眠状态转换到活跃状态，这项功能非常适合笔记本电脑在电池供电的时候使用，易用性大幅领先同类产品，大幅优化用户的使用体验。

在易用性方面，三星还提供了专业的“三星固态硬盘魔术师”软件，可以实现一键数据迁移，在迁移完成之后，我们所有的文件都将自动备份，并且我们开机之后的桌面图标和文件都将完美复制，让我们零压力更换系统盘，这也是目前市面上唯一一家官方的数据迁移软件，并且这款软件完全免费，非常地贴心，也能够充分彰显三星对于客户痛点问题地精准把握和解决，体现了三星深厚的技术实力和对用户完全负责的态度。

性能测试：读写超560MB/S和530MB/S 性能表现傲视行业

接下来我们对这款硬盘进行性能测试，让大家更好的了解这款硬盘在实际应用时的表现，为大家的选购提供一个客观的数据支持。

本次我们拿到的三星870 EVO容量版本为2TB，通过CrystalDiskInfo软件中我们可以看到，这款硬盘的基本参数，三星870 EVO的实际容量为1.81TB，待机温度为31℃。

CrystalDiskMark是一款测试硬盘综合性能的常用软件，在这个项目的测试中，我们可以看到，三星870 EVO的顺序读取性能为561.7MB/S，顺序写入性能为531.7MB/S，性能表现超过官方宣称的560MB/S和530MB/S，性能表现出色，这样的成绩表现领先目前市面绝大部分的SATA3接口的固态硬盘，基本已经达到SATA 6GB/S带宽的极限，是目前市面上性能表现最出色的SATA接口固态硬盘之一。

在AS SSD Benchmark项目中，我们可以看到，这款硬盘的4K随机写入成绩为84698iops，顺序读取成绩为96567iops，这样的性能表现非常出色，对于我们日常应用来讲，能够获得更快的开机速度及应用打开速度，实际体验更加优秀。

ATTO Disk Benchmark项目中，三星870 EVO的顺序读取性能为562MB/S，顺序写入性能为533MB/S，成绩同样表现出色，也超过了官方宣称的性能，综合表现优秀。

在TxBENCH项目中我们同样可以看到，三星870 EVO的顺序读取性能为563MB/S，顺序写入性能为532MB/S，表现同样是非常出色，意味着其能够满足绝大部分用户的日常使用需求，同时硬盘在测试过程中，完全没有掉盘、掉速和卡顿的情况发生。

最后，我们使用PCMARK 8进行存储测试，这款软件可以模拟硬盘在运行魔兽争霸、战地、Adobe等软件时候的性能表现，最终给出一个综合的分数表现。最后，三星870 EVO的最终得分为5012，运行期间硬盘的平均速度为323.93MB/S，性能表现能够轻松应对目前市面上绝大部分的游戏和软件，成绩优异。

写在最后：三星870 EVO固态硬盘使用了全新的三星自研的MKX控制器和第六代V-NAND颗粒，性能表现相对于上代产品，顺序读写性能分别超560/530 MB/S， 在SATA3接口固态硬盘中处于绝地领先地位；同时这款硬盘提供5年有效质保，让用户完全不必担心售后的问题。综合来看，三星870 EVO是目前市面上可以买到的品质出众、性能领先、容量最大的SATA3接口固态硬盘，不论是笔记本扩容还是老PC升级存储，三星870 EVO都是不二的选择。

目前三星870 EVO固态硬盘已经在苏宁等电商平台开启售卖，2TB版本促销价2099元，并可选全保修3年及整机保4年的增值服务，优惠力度相当惊人，心动的你可千万不要错过哦。

写入不掉速！比SLC还要快的X-NAND QLC闪存究竟怎么做到的？

从SLC、MLC一路发展到TLC和QLC，NAND闪存的写入性能正以肉眼可见的速度快速降低。如果不是有SLC缓存遮羞，固态硬盘的写入速度恐怕要比几年前4倍甚至更多。

固态硬盘在变得便宜的同时，读写速度也在不断恶化，对于追求高性能的玩家来说很难接受。硅谷企业NEO Semiconductor研发的X-NAND技术或将成为NAND闪存的大救星：它理论上可以让QLC闪存比现有的SLC更快，同时还能保持低价。唯一的差别是，X-NAND无法提升闪存写入寿命。

增加Plane提高并发：

QLC自身的写入速度大约只有SLC闪存的1/8左右，提高数据读写的并发度是改善闪存性能的主要方向。目前3D NAND闪存已开始从2 Plane设计向4 Plane设计转变。

铠侠的XL-Flash超低延迟闪存为了提高性能更是采用了16 Plane等设计。不过要将16 Plane设计普遍应用到3D闪存中却并不经济：Page Buffer的数量会同步提升，并导致闪存芯片面积急剧增大，进而让闪存的制造成本上升。这也是XL-Flash只能专注于高性能存储而难以惠及消费级SSD的原因。

NEO Semiconductor更改了NAND闪存的设计，将Page Buffers容量降低到1KB来避免16 Plane设计在成本的增加。

X-NAND理论上可将闪存读写速度提高16倍，同时由于位线长度和电容的降低，随机读取速度以及写入验证速度也将大大提高。

按照NEO Semiconductor公开的数据，X-NAND技术可令QLC闪存的随机读写性能提高3倍、顺序读取速度提高27倍、顺序写入速度提高14倍。

提升之后的X-NAND QLC将比当前SLC闪存的顺序读写速度更快一些，但随机读写性能依然落后于真正的SLC闪存。不过，X-NAND技术同样可以用于SLC闪存，让SLC变得比现在更快。

加速鸡血永不停的奥秘：

回到大家最关心的“写入不掉速”问题上来。NEO Semiconductor承诺让QLC闪存可以始终以SLC缓存的速度进行写入，而不会出现缓存用完、速度暴跌。相信很多朋友和小编一样，怀疑这是不是真的。

NEO Semiconductor在最新的白皮书中解释了其中的原理。X-NAND充分发挥了Plane数量增加的红利，让不同分组的闪存交替以SLC写入、QLC释放和闪存擦除三种模式循环工作。

根据NEO Semiconductor的数据，32 Page的数据连续写入到8个Plane耗时6400μs，而将这些数据读取后并发写入到QLC Page所需的时间大约也是6400μs，这么一来一去，就可以保障数据可以始终保持全速写入而不发生掉速。

小容量设备的福音：

X-NAND的一个重要优势是它可以普惠众生，而不仅仅是面向昂贵的高端企业级SSD。

Plane数量的增加使得闪存并发存取性能提升，小容量的闪存也能提供可观的读写速度（特别是写入速度）。在外部接口（SATA/PCIe）总带宽固定的情况下，闪存性能的提升还可以降低对主控闪存通道数量的需求，进而降低SSD主控的成本。

灵活多变，满足每个人的需求：

每个人对存储性能的需求是不同的。硬件发烧友和电竞玩家追求极致性能，普通家用倾向于均衡的性能和成本，办公和教育市场可能更喜欢够用就好的高性价比SSD。X-NAND的Plane数量并非固定在16个，减少Plane数量意味着闪存芯片成本的降低，可以制造出速度相对不那么快、但价格更低的闪存。

NEO Semiconductor在去年的FMS闪存峰会上首次公开X-NAND，目前它们已经获得了相关技术专利，但它们不会自己利用这些技术进行闪存生产。所以我们什么时候能够实际体验到上述新技术优势，在一定程度上取决于世界主要闪存制造商会不会向NEO Semiconductor购买专利授权，或者它们自己是否已经有了类似的专利储备，并最终将其量产。总的来说，NAND闪存的发展前景是光明的，我们无需担心写入速度一步步向着HDD水平滑落而没有选择。

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