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dram内存nand 闪存三星2024年底量产256GB CXL 20内存模块，基于1y nm DRAM

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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三星2024年底量产256GB CXL 20内存模块，基于1y nm DRAM

IT之家 7 月 18 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子内存部门新业务规划团队负责人 Choi Jang Seok 今日表示，三星将在今年底开始量产符合 CXL 2.0 协议的 256GB CMM-D 2.0 模块。

该内存模组将配备较为成熟的 1y nm（第二代 10+ nm 级）工艺 DRAM 内存颗粒，发挥 CXL 内存模块对 DRAM 颗粒性能要求较低的优势 。未来三星电子还将推出颗粒更为先进的版本。

▲ 三星电子 CMM-D 模组

除 CMM-D 外，三星电子还规划了多个类型的 CXL 存储产品，包含配备多个 CMM-D 模块的 CMM-B 内存盒模组、同时搭载 DRAM 内存和 NAND 闪存颗粒的 CMM-H 混合存储模组。

Choi Jang Seok 提到三星电子正在内部研究另一类名为 CMM-DC 产品，其在 CMM-D 的基础上还具备计算能力 。

展望未来，Choi Jang Seok 称：“当 CXL 3.1 和池化（IT之家注：可在多个主机间共享 CXL 内存资源）技术得到支持后，CXL 市场将在 2028 年左右全面开花 。”

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

TrendForce最新预测显示，第二季度DRAM合约价格预计将上涨13-18%，NAND Flash合约价格则调整为15-20%，只有eMMC/UFS的价格涨幅较小，约为10%。

在花莲地震之前，TrendForce 最初预测 DRAM 合约价格将季节性上涨 3-8%，NAND Flash 将上涨 13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷，尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加，尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外，由于 DRAM 和 NAND 闪存的价格已经连续上涨了两三个季度，买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。

地震后，市场上出现了一些零星的报道，称 PC OEM 供应商出于特殊考虑，接受 DRAM 和 NAND Flash 合同价格的大幅上涨，但这只是个别交易。到 4 月下旬，在新一轮合同价格谈判完成后，涨幅超过了最初的预期。这促使 TrendForce 上调了第二季度 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格涨幅，这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望，也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。

TrendForce 报告称，制造商对 HBM 产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言，三星采用 1Alpha 工艺节点的 HBM3e 产品预计到 2024 年底将使用约 60% 的产能。这一大幅分配预计将限制 DDR5 供应商，尤其是在第三季度 HBM3e 产量大幅增加的情况下。为此，买家在第二季度战略性地增加库存，为第三季度开始的 HBM 短缺做好准备。

随着能效对人工智能推理服务器越来越重要，北美 CSP 正在采用 QLC 企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对 QLC 企业级固态硬盘的需求，导致一些供应商的库存迅速耗尽，并使他们对销售犹豫不决。此外，由于消费产品需求的复苏尚不明朗，供应商对非 HBM 晶圆容量的资本投资普遍持保守态度，尤其是对 NAND 闪存的投资，因为目前 NAND 闪存的价格处于盈亏平衡点。

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第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

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