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nand flash型号大全芯趋势丨二季度后业绩出现环比增长：半导体部分领域进入触底回升轨道？

发布时间 : 2024-11-25

作者 : 小编

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芯趋势丨二季度后业绩出现环比增长：半导体部分领域进入触底回升轨道？

21世纪经济报道记者骆轶琪广州报道

下行周期中，A股不少半导体公司上半年业绩都出现了下滑，持续清理库存某种程度上会牺牲一定价格，由此对净利润也带来压力。

伴随半年报和后续逐月业绩陆续释放，部分公司开始提到，二季度业绩环比有所上升，行业现筑底迹象。只是从筑底到逐渐复苏甚至回暖，仍需要一段时间沉淀，业界普遍看向2024年。

左蓝微电子总经理助理朱立锋对21世纪经济报道记者表示，整体看，今年消费电子市场的销售情况不算理想，但目前根据下游客户的反馈以及公司在手订单来说，趋势已经明朗。

“我们预估，下游消费电子的库存基本在今年四季度到明年初会消耗完毕，在此期间会有新订单产生。所以虽然现在还在相对困难的节点，但今年底到明年初，会有回暖过程。 ”他如此表示。

群智咨询（Sigmaintell）执行副总经理兼首席分析师陈军分析，自2022年下半年以来，半导体产业库存逐步走高，产业处于下行周期，无论IDM还是Pure Foundy公司均承受较大压力，主流厂商的产线稼动率逐步走低。

整体来看，群智咨询认为，目前处于半导体产业复苏的底部时期 ，“筑底”和"AI"是目前产业的关键词。随着AI在应用端逐步落地，2024年下半年会有相对比较清晰的复苏趋势，且将率先带动PC产品的更新换代，推动存储、算法芯片等相关器件的快速回升 。

存储市场博弈

存储器有半导体行业风向标之称，此轮下行周期中，存储也是承压较大的细分行业。

经过接近一年左右的去库存之后，诸多头部上游存储原厂都表示，二季度行业已经筑底。据披露，原厂目前依然在进行减产动作，以此希望进一步缓解库存压力，并推动承压多季度的价格有所抬升。

有从业者对21世纪经济报道记者分析，目前存储行业处在价格博弈阶段。 上游提供存储颗粒的原厂经历了持续减产之后，希望有所提价，但终端侧的存储价格仍没有完全稳定，市场行情有涨有跌，由此产业链之间正在博弈。

“上游存储厂想拉动价格，但是下游担心需求的稳定性，因此当前是相对混沌的阶段。”他续称，市场主要关注库存流动情况，这时当原厂提出涨价一定比例，下游厂商是否接受并提货、亦或提货多少都会进行考量，因为相比上游，下游存储厂会面临更高的成本压力。

据该人士分析，存储器行业率先出现价格上涨的是面向高性能市场的DDR5产品，其他产品将视具体需求而定。从目前行业形势看，预估将对2024年抱以更多期待，由于此前下滑幅度较大，年内尚难有较大扭转。

分析机构闪存市场认为，近期存储行情主要由原厂积极减产、强势涨价带动，市场随之惜售低价库存，这令NAND现货价格有上涨趋势。不过这种相对活络的氛围主要集中在现货市场，部分终端需求有所好转，市场还在持续消耗库存阶段，仍需密切关注供需双方的进一步动向。

不少人士认为的筑底行情下，国内存储产业链或多或少在刚披露的半年报中提到了二季度环比出现改善的倾向，以及手机之外市场的成长性。

兆易创新财报显示，上半年其汽车、消费和网通市场的出货数量实现一定幅度的同比增长。同时第二季度环比第一季度，在移动、消费、计算、工业、汽车等市场均实现出货数量增长，综合价格还在底部等因素，季度营收环比实现小幅增长；Flash产品上半年出货数量实现逐月环比增长。

江波龙财报显示，上半年车规工规级以及企业级存储市场虽相对乐观，但其规模占比较低，无力对冲消费类存储产品下跌带来的负面影响。不过第二季度营业收入环比第一季度上升50.22%。

群联电子近期公布的8月营收数据环比增长18%，公司执行长潘健成表示，8月SSD模块出货量已逐渐出现回温，显示系统客户因为库存回到正常水位或甚至低于正常水位后，开始陆续回补库存 ；甚至部分特定NAND Flash型号可能会在第四季出现供给不足的现象。

集邦咨询分析，NAND Flash价格反弹会早于DRAM，随着上游原厂持续减产、加速去库存，预估第四季NAND Flash均价有望持平或小幅上涨，涨幅预估约0-5%。不过若NAND Flash涨势要延续至2024年，仍仰赖持续性减产，以及需观察Enterprise SSD采购订单是否会大幅回补。

消费电子看向年底

占据半导体应用市场极大比例的消费电子，虽然正面临近十年来的成长性压力，但产业链环节在持续去库存动作中，也将迎来传统行业旺季，叠加新市场需求的挖掘，有望带来改变。

天风证券指出，射频前端周期底部或现。 该机构选取国际和国内头部射频前端上市公司进行库存情况对比发现，2018-2022年，国际头部厂商Skyworks和Qorvo的存货周转天数分别保持在120天、100天左右，较为稳定；国内厂商卓胜微、唯捷创芯的存货周转天数与国际头部厂商在同一水平。2022年，由于消费电子市场面临下行周期，射频前端供应链供应关系发生逆转，国内相关公司库存水位上涨，但根据2023年中报披露的存货周转天数环比一季度已有所下降。

卓胜微财报提到，上半年射频前端芯片产业链仍处于去库存进程，受全球宏观经济低迷等因素影响，消费电子需求不及预期，但随着行业库存持续去化，下游终端及公司自身库存有所改善。由此叠加二季度国内手机市场的消费促销活动提振，促使二季度营收环比提升。

同时国内终端厂商对导入国产供应链厂商的诉求正十分旺盛。朱立锋告诉记者，有机构统计显示，国产滤波器的自给率不到10%，这意味着空间巨大，且目前手机品牌商、ODM代工商等都有很高诉求引入国内供应链公司。

这一方面源于海外供应链与国内整机厂的磨合配合度存在差异，另一方面随着国内供应链公司逐渐成熟，也为国内整机厂提供了更多可选择空间。

“国内的射频前端滤波器领域，目前还在发展相对早期阶段，无论是芯片设计公司还是制造代工厂，整体的工艺水平与国际一流代工厂等供应链还有一定差距，但这并不是不可弥补的。”朱立锋对记者表示，比如国外一些成熟的滤波器产品，国内已经可以做到很好效果。“尤其是近1-2年间，会明显感受到有很多国内厂商的优秀产品进入到国内一线终端手机厂中。 ”

因此从这个角度看，朱立锋分析道，虽然当前消费电子的销售表现还在承压，但市场库存基本消耗完毕，新订单的产生与供应链能力匹配有一定时间过程。随着在此过程中消费电子行业逐渐回暖，供应链厂商也将积极抢占市场，届时对每家公司来说意味着机遇与挑战并存。“我们看到部分器件已经在逐渐补库存，行业环境在走向正向发展。 ”

挖掘新市场

除了对既有市场的深耕，寻求更多成长型市场的机会也是当下要义。

“目前手机端的利润变薄，行业开始转向汽车行业找寻高端市场的利润空间。 ”前述存储业内人士对记者分析，尤其是电动汽车发展浪潮将重构既有的汽车产业链，将为存储产业带来更多机会。

对于新的应用市场，朱立锋告诉记者，左蓝微作为射频滤波器厂商，其应用场景不仅限于手机通信，还可以拓展到物联网、小基站、智能穿戴设备、智能家居、无人机、POS机等众多涉及通信信号处理的场景。

“上半年我们已经在基站、物联网领域取得了一定突破。”他续称，在国产化器件快速发展的环境中，更重要是练好内功。滤波器市场的未来市场需求相对确定：将走向更高性能、更小尺寸、更高功率和频率、更小带内插损等，因此需要朝这些方向提升产品性能和产能。

据介绍，左蓝微电子以SAW滤波器作为主要技术路径，针对SAW、TC-SAW、PESAW等技术路线，在工艺、材料等方面延伸布局。除此之外，近日的深圳国际电子展上，该公司还展示了PESAW系列高性能滤波器产品，比如PESAW B28F双工器有高Q值、低损耗、高耐功率等特性，并通过了主流ODM厂商验证。

比之相对低迷的消费电子，工业和汽车类市场是半导体大厂近几个季度实现成长点的场景。

朱立锋告诉记者，左蓝微也有关注相应市场需求。“车载滤波器和手机滤波器的应用需求和环境有一定差异，我们在积极争取对新能源市场的渗透。”他分析道，此外，随着国内5G大规模基础设施建设基本部署完善，接下来就需要完善对小基站的部署，以此不断优化5G的应用体验。这也成为滤波器厂商的发展机会。

从行业应用趋势来说，朱立锋预估，手机通信、物联网都将占据滤波器的主要应用规模，网通类、智能穿戴类市场次之 ，小基站也是下游应用的重要板块之一，因此需要积极争取，只是从市场规模来看，基站类场景与手机通信模块的市场空间还有较大差距。

“随着5G的通信迭代发展，对于射频滤波器器件的需求也会倍数成长。以手机为例，5G通信需要的频段数量会比4G增加很多，那么5G手机需要用到的滤波器数量也会比4G手机多几十颗。”他分析道。

目前在射频市场，美系和日系类厂商占据主要优势份额，国内产业链公司在积极寻求突破。“射频市场中的滤波器领域，国内还处在群雄逐鹿过程中。厂商间比拼的是性能是否可以与海外产品媲美、供应链体系是否完善、甚至能否产品成本比海外更优秀等方面。通过这些维度，寻求与海外厂商的竞争突破口。”朱立锋指出，同样重要的是需要追求正向设计，公司自己实现从零到一的技术能力铺垫，如此才能根据客户的需求调整尽快做出响应。

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Nand Flash主要厂商及其产品

根据2020年二季度Nand Flash市场排名，三星占据31%，处于领先地位，紧跟其后的是铠侠，占比达17%。排名第三、第四、第五、分别是西数、美光、SK海力士。以下是DRAMeXchange统计数据：

电子发烧友对目前市场主要的Nand Flash厂商及其产品进行梳理，以下是具体内容：

三星

1、三星SSD 980 PRO

三星电子推出首款消费类PCIe 4.0 NVMe SSD：三星SSD 980 PRO， 980 PRO采用三星1XX层 TLC NAND闪存，以及容量分别为512MB和1GB的DRAM缓存，通过内部设计，可充分发挥PCIe Gen4的潜力。数据显示，三星SSD 980 PRO顺序读取速度最高可达7000MB/s，顺序写入速度最高可达5000MB/s。

2、870 QVO SATA SSD

三星推出了其第二代QLC闪存驱动器870 QVO SATA SSD， 870 QVO分别提供同类最佳的顺序读取和写入速度，分别高达560 MB/s和530 MB/s，借助该驱动器的Intelligent TurboWrite技术，它可以使用大型可变SLC缓冲器保持最高性能

3、eUFS 3.1

三星电子宣布已经开始批量生产用于智能手机的512GB eUFS 3.1，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，打破了智能手机存储中1GB/s的阈值。

三星eUFS 3.1连续写入速度超过1,200MB/s，是基于SATA SSD (540MB/s)的两倍以上，是UHS-I microSD卡（90MB/s）的十倍以上。

KIOXIA

1、第六代企业SAS SSD

随着其第六代企业SAS SSD系列的推出，专为现代IT基础设施设计的24G SAS将其上一代的数据吞吐率提高了一倍，同时搭载了新功能和增强功能，以达到新的应用性能水平。

PM6系列采用铠侠的96层BiCS FLASH 3D TLC闪存，可提供业界领先的高达4,300MB/s（4,101MiB/s）的SAS SSD顺序读取性能，比上一代提高了2倍以上。铠侠的新驱动器容量高达30.72TB，使其成为业界容量最高的2.5英寸SAS SSD。

2、BiCS FLASH

铠侠开发具有112层垂直堆叠结构的第五代BiCS FLASH™三维(3D)闪存。新产品具有512 Gb（64千兆字节）容量并采用TLC技术。

铠侠创新的112层堆叠工艺技术与先进的电路和制造工艺技术相结合，与96层堆叠工艺相比，将存储单元阵列密度提高约20%。因此，每片硅晶圆可以制造的存储容量更高，从而也降低了每位的成本（Bit-cost）。此外，它将接口速度提高50%，并提供更高的写性能和更短的读取延迟。

西部数据

1、SN550 NVMe SSD

Western Digital设计的控件和固件搭配最新的 3D NAND，可始终如一地提供优化的性能。

2、iNAND MC EU521

西部数据宣布率先基于UFS 3.1规范协议推出iNAND MC EU521嵌入式闪存产品，新增多项功能，并进一步提高速度、容量、降低功耗，再加上11.5x13x1.0mm小型封装尺寸。西部数据表示，iNAND MC EU521将在3月份上市，采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度。

美光

美光的下一代 M500 固态硬盘采用 Micron 20 nm MLC NAND 闪存、SATA 6 Gb/s 接口，具有行业标准 512 字节分区支持功能、热插拔功能以及功耗极低的器件休眠模式，并满足 ATA-8 ACS2 指令集规范要求。

SK海力士

Intel 突然宣布以 90 亿美元（约 601 亿）的价格将旗下的 NAND 闪存业务出售给了 SK 海力士，后者有可能成长为新的全球第二大闪存公司，SK海力士推出Gold P31系列SSD新品，是全球首个基于128层NAND闪存的消费者SSD。Gold P31采用的是128层TLC，PCIe NVMe Gen3接口，读取速度最高达3500MB/s，写入速度最高达3200MB/s，以满足长时间游戏的游戏玩家以及对性能和稳定性有较高要求的专业创作者和设计师。

英特尔

Intel基于144层3D QLC闪存Arbordale Plus，容量将比Intel目前的96层产品提升50%。

长江存储

128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

长江存储表示，X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速率。

旺宏

Macronix在2020年下半年生产48层3D NAND存储器。公司计划在2021年和2022年分别推出96层3D NAND和192层3D NAND。目前，该公司用于制造NAND的最先进技术是自2019年2月开始使用的19纳米平面技术，这款NAND Flash的第一个客户将是任天堂。

华邦

1、QspiNAND Flash

华邦提供了一系列相容于SPI NOR接口的QspiNAND产品，华邦的QspiNAND系列产品内建了ECC的功能，而且也能提供了连续好”块”的QspiNAND，这些都能让使用者并不需要额外的控制器。

2、OctalNAND Flash

全球首款采用x8 Octal接口的NAND Flash—华邦OctalNAND Flash产品可望提供车用电子与工业制造商高容量的储存内存产品，华邦电子首款采用全新接口的NAND产品，1Gb W35N01JW，连续读取速度最高可达每秒240MB， W35N-JW OctalNAND Flash采用华邦通过验证的46nm SLC NAND制程，提供卓越的数据完整性，且数据保存期更可达10年以上。此产品写入／抹除次数(Program/Erase Cycle)可达10万次以上，可符合关键任务型车用与工业应用所需的高耐用性与高可靠性。

兆易创新

GD5F4GM5系列采用串行SPI接口，引脚少、封装尺寸小，相比于上一代NAND产品，大大提升了读写速度，最高时钟频率达到120MHz，数据吞吐量可达480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供电电压，能够满足客户对不同供电电压的需求；同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择。

北京紫光存储

北京紫光存储Raw NAND颗粒是符合业界标准的闪存产品，适用于各类固态存储解决方案。Raw NAND颗粒需要搭配闪存控制器使用。全系采用业界领先的3D TLC闪存芯片。支持ONFI 4.0，最高读写支持667MT/s。采用业界领先的3D TLC闪存芯片，相比2D闪存芯片单位面积下容量大幅提升。

北京君正

公司Flash产品线包括了目前全球主流的NOR FLASH存储芯片和NAND FLASH存储芯片，其中NAND FLASH存储芯片主攻1G-4G大容量规格。

ISSI 系一家原纳斯达克上市公司，于 2015年末被北京矽成以7.8亿美元私有化收购，之后北京君完成对北京矽成100%股权收购。ISSI Introduces SLC NAND高性能4Gb SLC NAND主要用于嵌入式市场，能够满足工业、医疗，主干通讯和车规等级产品的要求，具备在极端环境下稳定工作、节能降耗等特点。

东芯

东芯串行NAND Flash产品为单颗粒芯片设计的串行通信方案，引脚少和封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，带有内部ECC模块。使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，提升了稳定性，也让其在成本上也极具竞争力，且提升了性价比。产品分为3.3V/1.8V两种电压，不仅能满足常规对功耗不敏感的有源器件，也使其在目前日益普及的移动互联网及物联网设备中，有足够的发挥空间。产品拥有多种封装，可更灵活的满足很多应用场景，比如常规的光猫，路由器，网络摄像监控，物联网及智能音箱等。

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