镁光nand和dram 三星电子将提高NAND闪存价格，镁光有意效法

三星电子将提高NAND闪存价格，镁光有意效法

【环球网科技综合报道】7月11日消息，据BusinessKorea报道，三星电子计划将NAND闪存价格提高10%，且镁光科技有意效法。

报道称，NAND闪存的库存已经降至四周，约为DRAM的一半，但需求出现上扬。BusinessKorea称，目前128Gb MLC的单价已经降至3.93美元，是2016年9月以来的历史最低价，加之外部因素影响导致的原材料短缺，NAND和DRAM的价格上涨已经呼之欲出。

BusinessKorea表示，整个行业均受外部因素牵动，东芝已计划将其产能降低20%，依托东芝代工的西部数据也受到影响。不过，其援引业内人士观点称，价格上涨不会持续发生，全球半导体市场到2020年上半年将能恢复状态。

韩媒担忧：镁光已威胁三星和海力士的行业领导地位

IT之家 3 月 16 日消息据 BusinessKorea 报道，韩国存储器半导体公司三星和 SK 海力士正面临着来自竞争对手的严峻挑战，尤其是来自美国的镁光科技。

世界第五大 NAND 闪存制造商镁光 (Micron)于 2020 年 11 月开始向客户提供 176 层 NAND 闪存。三星电子 (Samsung Electronics)和 SK 海力士 (SK Hynix)甚至还不能批量生产这种新产品。此外，镁光在一月份宣布，它已经开始批量生产第四代 10nm DRAM。这也是世界上第一家能够批量生产这种 DRAM 的公司。

尽管截至 2020 年第四季度，三星电子和 SK 海力士共同占据了 DRAM 市场的 71% 市场份额和 NAND 闪存市场的 45% 市场份额，但他们已经连续两次在产品技术上输给镁光，让后者成为新型内存技术的世界第一，这一事实反映出三星和 SK 海力士正逐渐失去其技术领先地位，因为直到一两年前，三星电子在技术上还要领先镁光两年左右。

事实上，当三星在 2018 年 7 月量产 96 层堆叠 V-NAND Flash，而且 SK 海力士在 2019 年 6 月份实现首次量产 128 层堆叠的 4D NAND Flash ，镁光则是到 2020 年的第 2 季才开始量产旗下的 128 层堆叠 NAND Flash。甚至，三星还保持了从第 1 代到第 3 代的 10 nm 级 DRAM 的全球首发纪录。不过，在当前镁光陆续取得两项产品领先之后，相关的韩国市场人士开始担忧，其韩国在内存产业的市场领先优势还能够维持多久。

IT之家了解到，技术领先缩小的原因，在于内存制程技术几乎已经达到了极限，使得领先者要进步会比后来追赶者要困难许多。三星方面至今已经投资了数亿美元的研发经费，并且花费长时间在新技术的开发工作上。但是，追赶者却可以参考三星的技术发展路线，进一步减少了在研发上的成本投资与时间。对此，韩国市场人士指出，虽然现阶段韩国企业在设备和投资方面有着竞争力。但是，这方面的竞争力正被竞争对手逐渐追赶。其中，2019 年镁光的营业利润率为 19.5%，虽低于三星的 21.6%，但却领先 SK 海力士的 10.1%。即使三星与 SK 海力士努力的提高，使得三星 2020 年的营业利益率提升至 25.8%，但 SK 海力士的 15.7% 营业利润率仍与镁光的 15.2% 表现相差无几。

IT之家获悉，除了从营业利润率来衡量各企业的竞争力之外，更令韩国业界担心的是，目前欧美在全力发展半导体制造业的情况下，对重点发展厂商的补助计划。尤其镁光所生产的内存一直被美国视为重要的战略科技产品，因此美国政府将会对镁光进行更加优惠的补助措施。而根据韩国工业联合会（Federation of Korean Industries）在 2020 年 6 月所发布的报告显示，中国中芯国际在 2014 年至 2018 年期间获得了中国政府补助的金额，占其总销售金额的 6.6%。而美国政府对镁光的补助也占其总销售金额的 3.3%。但反观韩国的三星和 SK 海力士方面，从韩国政府获得的补助则分别仅为 0.8% 和 0.5%。这使得竞争对手更加有实力在技术研发方面进行投资，也使得韩国企业面临着更大的竞争压力。