宏旺半导体解析机顶盒内部存储选择 eMMC和NAND有什么区别
现代家庭生活中,网络机顶盒已经成为信息家电中至关重要的技术设备,最麻烦的就是遇到因为固件问题而不能正常使用,我们在刷网络机顶盒固件时,常看到固件中指明适用于eMMC、NAND,那这两者区别和联系呢?宏旺半导体和大家聊聊这块,并且ICMAX eMMC在网络机顶盒上也有实用案例。根据市场行情,目前机顶盒的机身闪存,普遍采用NAND闪存,少部分新型号采用的是eMMC闪存。
这里先重点讲的是eMMC 和Nand flash 之间的区别,主要区别如下:
(1) 在组成结构上:eMMC存储芯片简化了存储器的设计,将NAND Flash芯片和控制芯片以MCP技术封装在一起,省去零组件耗用电路板的面积,同时也让手机厂商或是计算机厂商在设计新产品时的便利性大大提高。而NAND Flash仅仅只是一块存储设备,若要进行数据传输的话,只能通过主机端的控制器来进行操作。两者的结构图如下:
(2) 在功能上:eMMC则在其内部集成了 Flash Controller,包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。相比于直接将NAND Flash接入到Host 端,eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性,可以减少 Host 端软件的复杂度,让 Host 端专注于上层业务,省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。
从直观上如何判断eMMC和NAND Flash的区别,一般可以认为,无引脚的就是eMMC。
简单记忆,有引脚的就是NAND闪存,个别型号除外。
eMMC与NAND在机顶盒上应用表现区别:
1、eMMC闪存一体化解决方案,不需要处理NAND闪存的兼容性和管理问题
2、eMMC高速读取,能大幅提升机顶盒性能,特别是4K播放性能,相当于电脑的硬盘读取速度更快,APP就能更快地被载入内存。
3、普通网络机顶盒的NAND闪存一般只有15MB/s左右的读取速度,而eMMC的读写速度一般为50MB/s以上。
4、使用eMMC的机顶盒,开机速度更快、APP打开更快,有着更顺畅的操作体验。
整体来说eMMC通过使用Cache、Memory Array 等技术,在读写性能上也比 NAND Flash要好很多。另一方面,eMMC的读写速度也比NAND Flash的读写速度快,eMMC的读写可高达每秒50MB到100MB以上。现在部分新出品的网络机顶盒已经开始使用eMMC,宏旺半导体eMMC就有针对网络机顶盒领域的实际应用案例,读写速度快,使用寿命长,相较于使用NAND Flash的机顶盒,性能更佳。
一文带你了解闪存产品的核心——NAND闪存芯片的分类
我们都知道,构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存,目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营,今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
NAND闪存,是用于SSD和存储卡的一种非易失性存储体系结构。它的名字来源于逻辑门(NOT-AND),用于确定数字信息如何存储在闪存设备的芯片中。它可以分为SLC、MLC、eMLC和TLC,下面我们具体了解一下。
稳定性对照
耐力对照
SLC
SLC(Single-Level Cell,单层单元)SSD在每个单元中存储一个Bit,这种设计提高了耐久性、准确性和性能。对于企业的关键应用程序和存储服务,SLC是首选的闪存技术。当然,它的价格最高。
MLC
考虑到闪存的消费级特性,MLC(Multi-Level Cell,多层单元)架构可以为每个单元存储2个Bit。尽管在存储单元中存储多个Bit似乎能够很好地利用空间,在相同空间内获得更大容量,但它的代价是使用寿命降低,可靠性降低。相对而言,MLC SSD使得在PC和笔记本电脑上增加闪存成为可能。
eMLC
eMLC(Enterprise Multi-Level Cell,企业多级单元)是MLC NAND 闪存的一个“增强型”的版本,它在一定程度上弥补了SLC和MLC之间的性能和耐久差距。eMLC驱动器比MLC驱动器贵,但比SLC驱动器便宜得多。尽管每个单元仍然存储2个Bit,但eMLC驱动器的控制器管理数据放置、磨损均衡和一些其他存储操作延长了eMLC SSD的使用寿命。
TLC
相较于SLC和MLC的Nand闪存,最便宜的是TLC(Triple-Level Cell,三层单元)NAND闪存,每个单元存储3Bit。通常用于性能和耐久性要求相对较低的电子产品,最适合于包含大量读取操作的应用程序,但是随着闪存体系结构的最新改进,3D TLC NAND Flash对持久增强的数据放置和错误纠正技术,使该技术在读密集型企业存储应用程序和工业存储环境中开始了批量使用。
总而言之,每种类型的NAND闪存都有不同的使用寿命,这意味着它会在SSD降级并最终失效之前提供有限数量的P/E周期。当然,除了制造缺陷,电力激增或其他灾难性的破坏可能导致SSD的失效,这是决定SSD支持的存储工作负载和应用程序类型的主要影响因素。
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