U盘双启动及windows维护盘制作方案(收藏)
U盘双启动及windows维护盘制作
如果只是简单的维护,32GB足够了,如果是希望可以通杀能见到的所有windows系统,推荐U盘容量128GB。
要实现U盘双启动,磁盘类型必须是MBR,而MBR只能存在4个主分区,所以需要合理安排这4个分区。以下方案是个人在实际使用中使用的方案,只作参考。
分区一,fat32,4GB,存储启动文件及PE系统
分区二,ntfs,8GB。存储Win10安装映像。
分区三,ntfs,8GB。存储Win11安装映像。
分区四,剩余所有容量。存储各个系统的ISO文件,补丁,必要系统组件的安装包。
U盘分区工具可以使用diskgenius或微软提供的命令行工具diskpart。为表述方便,以下用diskpart来说明。
插上U盘后,运行cmd,输入diskpart后回车。
输入list disk回车,会显示计算机已识别到的磁盘,最前方的序号是身份标识,可以通过磁盘容量来进行区分,记住U盘的序号。
select disk x
其中x表示u盘的序号。输入后回车,进行磁盘操作。
clean回车,清空所有分区信息,数据同步丢失,确保U盘无文件需要保留再执行此操作。
clean执行后,U盘的磁盘类型默认已经是MBR了。
create part pri size=4096
创建分区,分区类型是primary(主要的),分区容量是4096MB。
创建第一个8GB分区
create part pri size=8192
创建第二个8GB分区
create part pri size=8192
创建最后一个分区
create part pri
不指定分区容量,则diskpart程序默认将后面所有连续的空间划分到此分区,对于上述操作过程,即后续所有容量都归最后一个分区。
分区创建后,格式化这4个分区。
select part 1
选中第1个分区
format fs=fat32 label=boot quick
格式化选中的分区,分区类型是fat32,卷标是boot,quick表示执行快速格式化。
assign letter=m
分配盘符为m,按实际情况决定。
select part 2
format fs=ntfs label=win10 quick
assign letter=n
select part 3
format fs=ntfs label=win11 quick
assign letter=o
select part 4
format fs=ntfs label=winsetup quick
assign letter=p
此时,我的电脑里就可以看到4个分区对应的盘符了。
复制启动文件到m盘,双启动需要两组文件,一组是legacy方式需要的文件,一组是uefi需要的文件。启动文件推荐从windows10中获取,一块磁盘已经安装了windows10,将它挂载到其他电脑上,使用diskpart或diskgenius为它的首个fat分区分配一个盘符(系统自带的磁盘管理软件拒绝给带有保护性的分区分配盘符)。然后将整个分区下所有文件和文件夹(包含隐藏文件)复制到m盘即可。后续编辑m盘中两个BCD文件就可以实现目的。
将下载的windows10安装映像(iso文件),解压到n盘,n盘就完事了。是解压到n盘,不是解压到n:\xxxxxxx\。简单点说,iso刻成光盘后是什么样的,打开n盘看到的就是什么。
将下载的windows11安装映像,解压到o盘。
将其他用于维护系统的工具和文件,复制到p盘。
现在,编辑两个BCD文件(一个是legacy使用,一个是UEFI使用),推荐使用bootice这个工具,图形化的界面,易理解和操作。
编辑BCD,使得BCD存在4个(或N个)启动项。BCD的编辑不在此说明(火车上,无法提供截图)。
网上下载的PE系统,最终都可以解压出来wim文件,这个wim文件就是PE的系统。只需要按照网上配置wim启动的方法编辑BCD即可。想在U盘上存放多少个PE系统,就解压出来对应的wim文件,并将其添加到BCD中即可。
对于n盘里存放的win10安装映像和o盘存放的win11安装映像,可以在BCD中添加wim启动项,选择下启动磁盘,启动分区选择一下n盘和o盘对应的分区即可,启动文件是\source\boot.wim,操作系统执行文件跟正常系统是一样的(legacy是\windows\system32\winload.exe,UEFI是\windows\system32\winload.efi)。
此后,更新PE系统,只需要把解压出来的wim替换掉第一个分区下对应的文件即可,不必再全盘写U盘了。
windows10和windows11的安装映像更新了,只管解压到第二个和第三个分区就行了。
U盘最好有写保护。
SK海力士组建子公司SK HNA,“挖英特尔墙角”提升NAND竞争力
IT之家 12 月 29 日消息,据外媒 ChosunBiz 报道,SK 海力士日前在美国组建了一家名为 SK HNA(SK hynix NAND Development America)的子公司,并通过“挖英特尔墙角”招募了多位“具有数十年经验”的专家,以期提高自家 NAND 竞争力。
据悉,SK HNA 公司位于美国加州圣何塞,由约 30 名研究人员组成,唯一目标是“专注于开发高性能 NAND 技术”。
外媒提到,SK 海力士本月从英特尔招募了资深主任工程师 Richard Pasto,这名工程师拥有 28 年经验,此前曾在 AMD、Spansion 和 Cypress Semiconductor 工作过,在半导体领域拥有包含 3D NAND 技术在内的数十项专利。
除了 Richard Pasto 外,SK 海力士还在今年 6 月招募了一位拥有 30 年经验的存储设计专家 Rezaul Haque,在今年 11 月招募了一位曾在英特尔 NAND 领域工作 13 年的工程师 Erika Shiple,目前上述三位人才已经成为 SK HNA 公司的“关键部门负责人”。
外媒同时声称,SK 海力士计划利用 SK HNA 子公司吸引更多 NAND 方面的人才,并能够与 SK 海力士旗下另一家从英特尔收购的子公司 Solidigm 产生协同效应,从而缩小与三星电子等对手之间的差距。
另据IT之家早前报道,SK 海力士计划在 2024 年启动 HBM4 研发,并推动 CXL 内存商业化量产工作,计划在 2024 年上半年完成 96GB 和 128GB 产品的客户认证,并在下半年实现商业化。
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