三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求

【三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求】《科创板日报》26日讯，随着HBM高价产品贡献获利的快速成长，带动产能排挤及产业供需改善，各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估，三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM，尽管企业级储存需求强劲，但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧，相较于过去两年，三星电子、SK海力士及美光今年对NAND Flash资本投资不增反减。NAND Flash报价逐季走扬，各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位，但市场估计，第三季NAND Flash或微幅供过于求，而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓。（台湾电子时报）

三星将对DRAM和NAND提价15-20%，关注国内存储企业跟随涨价的可能性

由于人工智能需求激增，三星三季度将把动态随机存储器(DRAM)和NAND的价格上调15-20%。光大证券分析，预计海外存储芯片价格或还将持续上涨，随着上涨时间的延长，终将传导到国内市场。可以关注国内存储企业跟随涨价的可能性，以及半导体材料供应商企业的受益性。

平安证券认为，当前消费电子有所回暖，半导体国产化进程持续推进，此外，AI带来的算力产业链也将持续受益半导体行业当前处于周期筑底阶段，待下游行情复苏，将推动半导体新一轮上升周期，看好行情复苏及AI算力产业链两条主线。推荐北方华创、拓荆科技、龙迅股份、鼎龙股份、安集科技等；关注AI+半导体投资机会，推荐海光信息。

本文源自金融界

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