长江存储，突传大消息！

最近两天，芯片界的大事不断！

据多家媒体报道，中国3D NAND领军企业长江存储已在美国加州北区对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND操作的各个方面。长江存储请求法院下令美光停止在美国销售其内存，并向其支付专利使用费。

这是继今年6月后，长江存储又一次对美光出手。2023年11月，长江存储就曾在美国起诉美光专利侵权，涉8项专利；2024年6月，长江存储在美起诉美光资助的咨询公司，指控其散布虚假信息。

今天，还有消息称，英伟达正在为中国市场开发一款符合美国现行出口管制的新旗舰人工智能芯片。另一方面，三星电机宣布向AMD供应面向超大规模数据中心领域的高性能FCBGA基板。

来看报道！

长江存储突发

据媒体报道，中国3D NAND领军企业长江存储已在加州北区对美光提起诉讼（通过 Blocks&Files），指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND操作的各个方面。长江存储请求法院下令美光停止在美国销售其内存，并向其支付专利使用费。

长江存储表示，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND存储器以及美光的部分DDR5SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请。据@lithos_graphein收集的专利申请列表表明，它们涵盖了3D NAND和DRAM功能的一般方面。

美国商务部于2022年底将长江存储列入黑名单，这大大增加了该公司从美国公司获得先进晶圆厂设备，以制造其市场领先的3D NAND设备的难度。去年，因为美国商务部禁止销售可用于制造具有超过128个活动层的3D NAND的晶圆厂工具和技术，长江存储发展的难度再度加大。

有趣的是，总部位于美国的 Patriot Memory正在准备一款高端PCIeGen5x4SSD，其读取速度高达14GB/s。而该公司的技术正是基于一家中企——Maxiotek的控制器和长江存储的3D NAND内存。

芯片大事不断

最近，芯片界的大事可谓不断。

7月22日消息，三星电机宣布向AMD供应面向超大规模数据中心领域的高性能FCBGA（倒装芯片球栅阵列，FlipChip-Ball Grid Array）基板。

三星电机在新闻稿中宣称，其已向FCBGA基板领域投资了1.9万亿韩元（约99.5亿元人民币）。 三星电机与AMD联手开发了将多个半导体芯片集成到单个基板上的封装技术，这项技术对CPU/GPU应用至关重要，可实现当今超大规模数据中心所需的高密度互联。与通用计算机基板相比，数据中心基板面积是前者10倍、层数是前者3倍，对芯片供电与可靠性的要求更高。

据IT时代消息，三星电机副总裁兼战略营销主管Kim Won-taek表示：“我们已成为HPC（高性能计算）和AI半导体解决方案全球领导者AMD的战略合作伙伴。我们将继续投资于先进的基板解决方案，以满足数据中心和计算密集型应用不断变化的需求，为AMD等客户提供核心价值。”

AMD全球运营制造战略副总裁Scott Aylor表示：“AMD始终走在创新的前沿，以满足客户对性能和效率的需求。我们在芯片技术领域的领先地位让我们能够在CPU和数据中心GPU产品组合中提供卓越的性能、效率和灵活性。我们与三星电子等合作伙伴的持续投资，将确保我们拥有提供未来HPC和AI产品所需的先进基板技术和能力。”

三星和AMD的联手，对于全球算力需求用户来说，是一大福音，但对于GPU的最大生产商英伟达来说，可能并不是一个好消息。

而最近，英伟达也有动作。据路透社22日消息，英伟达正在为中国市场开发一款符合美国现行出口管制的新旗舰人工智能芯片。英伟达今年3月发布了“Blac kwel”芯片系列，并将于今年晚些时候量产。在该系列中，B200在某些任务（如提供聊天机器人的回答）上的速度比前代产品快30倍。消息人士称，英伟达将与其中国经销商伙伴合作推出和分销这款暂定名为“B20”的芯片。

责编：王璐璐

校对：刘星莹

长江存储、三星、SK海力士、美光、铠侠 3D NAND垂直单元效率比较

来源：techinsights

原文链接：

https://library.techinsights.com/search/blog-viewer/a8bf096b-fd79-4ab4-8957-0310ee5bade7?t=2xx-layer-products-from-samsung-sk-hynix-micron-and-ymtc&utm_source=blog&utm_medium=website&utm_campaign=Roadmaps

当谈到3D NAND单元效率时，垂直单元效率（VCE）在NAND单元工艺、设计、集成和器件操作中尤为重要。随着堆叠总门数的增加，单元的VC孔高度也随之增加。为了减少VC高度和长宽比，其中一种方法是通过减少虚拟门、通道门和选择门的数量来提高垂直单元效率。垂直单元效率可以定义为总门数中有效单元的百分比，这意味着它可以通过有效WL数除以集成总门数来计算。

例如，一个NAND串由有效WL、通道WL（虚拟WL）和选择器（源端和漏端）组成。如果它有96个有效WL和115个总门数，那么垂直单元效率为83.5%，可以通过96除以115得到。垂直单元效率越高，对于工艺集成、较低的长宽比和较低的吞吐量越有利。

3D NAND垂直单元效率趋势：三星、SK hynix/Solidigm、美光、铠侠/西数、长江存储

三星在每一代产品中都有最高的VCE。例如，128L的单层结构VCE为94.1%，176L的COP V-NAND为92.1%，236L的第二代COP V-NAND为94.8%。

SK hynix 238L有259个总门数，VCE为91.9%，仍低于三星的236L。

长江存储232L Xtacking3的VCE为91.7%，位居第三。

美光232L为91%。

铠侠162L的VCE稍低，为88%。

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