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nand与ddr区别 NAND，DDR，LPDDR，eMMC，UFS，eMCP，uMCP的区别

发布时间 : 2025-03-13

作者 : 小编

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NAND、DDR、LPDDR、eMMC、UFS、eMCP、uMCP的区别

一、NAND

NAND Flash存储器是Flash存储器的一种，属于非易失性存储器，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如闪存盘、固态硬盘、eMMC、UFS等。

根据其不同的工艺技术，NAND已经从最早的SLC一路发展到如今的MLC、TLC、QLC和PLC。

按速度价格对比排序：SLC>MLC>TLC>QLC>PLC

按容量大小对比排序：PLC>QLC>TLC>MLC>SLC

目前主流的应用解决方案为TLC和QLC。SLC和MLC主要针对军工，企业级等应用，有着高速写入，低出错率，长耐久度特性。

除此，NAND Flash根据对应不同的空间结构来看，可分为2D结构和3D结构两大类：

下面是各大NAND Flash芯片生产厂商在3D NAND Flash产品的量产状况：

二、DDR、LPDDR

DDR全称Double Data Rate（双倍速率同步动态随机存储器），严格的来讲，DDR应该叫DDR SDRAM，它是一种易失性存储器。虽然JEDEC于2018年宣布正式发布DDR5标准，但实际上最终的规范到2020年才完成，其目标是将内存带宽在DDR4基础上翻倍，速率3200MT/s起，最高可达6400MT/s，电压则从1.2V降至1.1V，功耗减少30%。

LPDDR是在DDR的基础上多了LP(Low Power)前缀,全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，简称“低功耗内存”，是DDR的一种，以低功耗和小体积著称。目前最新的标准LPDDR5被称为5G时代的标配，但目前市场上的主流依然是LPDDR3/4X。

DDR和LPDDR的区别？

应用领域不同。DDR因其更高的数据速率、更低的能耗和更高的密度广泛应用于平板电脑、机顶盒、汽车电子、数字电视等各种智能产品中，尤其是在疫情期间，由于在家办公、网课和娱乐的增加，平板电脑、智能盒子的需求也逐步攀升，这对DDR3、DDR4的存储性能要求更高、更稳定。

而LPDDR拥有比同代DDR内存更低的功耗和更小的体积，该类型芯片主要应用于移动式电子产品等低功耗设备上。

LPDDR和DDR之间的关系非常密切，简单来说，LPDDR就是在DDR的基础上面演化而来的，LPDDR2是在DDR2的基础上演化而来的，LPDDR3则是在DDR3的基础上面演化而来的，以此类推。但是从第四代开始，两者之间有了差别或者说走上了不同的发展，主要因为DDR内存是通过提高核心频率从而提升性能，而LPDDR则是通过提高Prefetch预读取位数而提高使用体验。同时在商用方面，LPDDR4首次先于DDR4登陆消费者市场。

三、eMMC、UFS

eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用统一的MMC标准接口，把高密度NAND Flash以及MMC Controller封装在一颗BGA芯片中。针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。用户无需担心产品内部flash晶圆制程和工艺的变化。同时eMMC单颗芯片为主板内部节省更多的空间。

简单地说，eMMC=Nand Flash+控制器+标准封装

eMMC具有以下优势：

1.简化类手机产品存储器的设计。

2.更新速度快。

3.加速产品研发效率。

UFS：全称Universal Flash Storage，我们可以将它视为eMMC的进阶版，同样是由多个闪存芯片、主控组成的阵列式存储模块。

UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得到翻番。

四、eMCP、uMCP

eMCP是结合eMMC和LPDDR封装而成的智慧型手机记忆体标准，与传统的MCP相较之下，eMCP因为有内建的NAND Flash控制芯片，可以减少主芯片运算的负担，并且管理更大容量的快闪记忆体。以外形设计来看，不论是eMCP或是eMMC内嵌式记忆体设计概念，都是为了让智慧型手机的外形厚度更薄，更省空间。

uMCP是结合了UFS和LPDDR封装而成的智慧型手机记忆体标准，与eMCP相比,国产的uMCP在性能上更为突出，提供了更高的性能和功率节省。

eMMC是将NAND Flash芯片和控制芯片都封装在一起，eMCP则是eMMC和LPDDR封装在一起。对于手机厂商而言，在存储产业陷入缺货潮的关键时期，既要保证手机出货所需的Mobile DRAM，又要保证eMMC货源，库存把控的难度相当大，所以eMCP自然成为大部分中低端手机首选方案。

uMCP是顺应UFS发展的趋势，满足5G手机的需求。

高端智能型手机基于对性能的高要求，CPU处理器需要与DRAM高频通讯，所以高端旗舰手机客户更青睐采用CPU和LPDDR进行POP封装，这样线路设计简单，可以减轻工程师设计PCB的难度，减少CPU与DRAM通讯信号的干扰，提高终端产品性能，随之生产难度增大，生产成本也会增加。

5G手机的发展将从高端机向低端机不断渗透，从而实现全面普及，同样是对大容量高性能提出更高的要求，uMCP是顺应eMMC向UFS发展的趋势。

uMCP结合LPDDR和UFS，不仅具有高性能和大容量，同时比PoP +分立式eMMC或UFS的解决方案占用的空间减少了40%，减少存储芯片占用并实现了更灵活的系统设计，并实现智能手机设计的高密度、低功耗存储解决方案。

综上所述简单总结一下：

eMMC=Nand Flash+控制器（Controller）+标准封装

UFS=eMMC的进阶版

eMMC：半双工模式 UFS：全双工模式

eMCP=eMMC+LPDDR+标准封装

uMCP=UFS+LPDDR+标准封装

存储芯片价格为何一涨再涨？

近日，消息称三星电子已向包括戴尔科技、慧与（HPE）在内的主要客户通报了涨价计划，准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器 DRAM 和企业级 NAND 闪存报价提高 15%~20%，而三星第二季度已将其企业级 NAND 闪存涨价 20% 以上。

这已经是三星今年以来的第三次调价。这次涨价，又是为何？

根据集邦咨询统计的2024年第一季度全球DRAM企业营收数据，三星、SK海力士和美光分别以全球存储市场44%、31%、22%的份额，位居前三位，三者共占据全球几乎95%的市场份额。DRAM是存储市场中出货量最大的产品类型，从存储器全品类来看，这三家企业与其他企业间的营收差额也十分悬殊。存储市场具有鲜明的寡头垄断特征。在这样的情况下，这三家企业的一举一动将直接带来整个存储市场的震动，甚至可传递至与之相关的整个电子产业链。

2024年第一季度全球DRAM厂自有品牌内存营收排名（单位：百万美元）

数据来源：集邦咨询，《中国电子报》整理

三家存储原厂曾减产抬价

长期以来，通过调控产能的方式调整市场价格是这三家企业的惯用手段。而这一方式，也在最近一次存储产品价格波动中展现得淋漓尽致。

2020年下半年开始的芯片短缺，导致三星、SK海力士、美光三大存储原厂大批量备货，以至于在全球存储需求增长见顶之后，三大存储原厂均面临极高的库存水位。

在此背景下，全球三大存储原厂存储器价格从2021年第四季度开始连续8个季度下跌。根据集邦咨询的数据，DRAM价格从2021年第四季度降价3%~8%开始，持续下探，至2022年第四季度达到最高单季度降幅，为20%~25%。

数据来源：集邦咨询，《中国电子报》整理

受存储价格下滑影响，三星、SK海力士、美光三家营收备受打击。三星自2022年第二季度开始，营收持续5个季度下滑，至2023年第二季度，营收额相当于2022年第一季度的71.74%；营收利润更是锐减，自2022年第一季度的117.24亿美元，一路降至2023年第一季度的5.02亿美元，同比降低95.72%。美光、海力士营收也在一年之内惨遭“腰斩”，甚至出现营业利润亏损。美光营收自2022年第三季度开始连续3个季度下滑，至2023年第二季度已跌至36.93亿美元，营收利润更是从30亿美元一路下滑到-23亿美元。SK海力士营收自2022年第三季度的10.98万亿韩元（约合86.64亿美元），一路下滑至2023第一季度的5.09万亿韩元（约合39.94亿美元），营收利润也从2022年第二季度的4.19万亿韩元（约合34.02亿美元），下滑至2023年第一季度的-3.402万亿韩元（约合-26.69亿美元）。

为尽快消化库存、摆脱亏损境地，三大存储厂商不约而同地开始减产。三星电子表示，2023年第四季度公司资本开支同比减少25.53%，降至14.0万亿韩元（约合107.19亿美元）；SK海力士表示，2023年公司资本开支同比减少50%，降至9.5万亿韩元（约合72.73亿美元）；美光在2022年11月首次宣布减产并逐步扩大减产幅度。《中国电子报》记者跟踪发现，上述企业减产措施延续了整个2023年。

减产带来的效果很直观地反映到了企业库存、存储价格和营收中。美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉 (Sanjay Mehrotra) 在2023年财报说明中表示，客户库存已逐渐恢复至正常水平。

2023年年底，三大存储厂陆续传出将调高2024年第一季度协约价的消息。《中国电子报》记者采访国内某代理商了解到，当时市场需求量并不旺盛，不足以支撑价格增长。当时的价格涨幅多是由三家存储厂主动调价所致。

此次涨价来自HBM需求激增

近日，除三星外，另外两家存储大厂也频频传出涨价消息。SK海力士在5月传出消息称，将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价，涨幅均在15%~20%。按照消息人士的说法，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%~100%不等，下半年涨幅将趋缓。美光在4月已向多数客户提出调升第二季度产品报价，涨幅超过20%，但因中国台湾地震，报价随后暂停。

《中国电子报》记者采访了解到，此次三星等存储大厂调高产品报价的原因，与去年年底存储产品涨价的原因有所不同。去年年末传出的存储产品涨价，一定程度上还是存储芯片原厂主动减产、控价所致，市场需求还没有达到推动存储器全线涨价的程度。而此轮涨价，很大程度上是受市场需求带动。

Gartner副总裁盛陵海在接受《中国电子报》记者采访时表示，近期存储涨价很大程度上是HBM需求激增、供不应求所致。半导体资深人士李国强也向记者表达了类似的观点：“三星去年年底的涨价一定程度上有前期企业主动减产带来的因素，而存储企业调高产品价格是因为AI对硬件的需求正反映在HBM产品上。”

关于AI给存储细分市场带来的需求增长，盛陵海做了进一步的解读。他认为，在NAND Flash方面，大模型对快速读取有较高要求，带动了SSD的需求。此外，HBM正面临供不应求的市场现状，厂商可能就此将DRAM的部分产能转向HBM，但目前HBM产能提升空间主要受限于先进封装的技术瓶颈，因此短期内产能短缺问题可能无法得到有效解决。

除HBM需求增长之外，手机、新能源汽车等大众化存储器的需求拉动也有一定的作用。李国强表示，一方面手机出货量增加，手机对移动DRAM和NAND Flash容量的需求也在增加；另一方面，新能源汽车及自动驾驶功能亦增加了DRAM需求。

记者在采访中了解到，当前在市场回暖的趋势下，存储厂商已经开始逐渐恢复产能。当前存储原厂的产能利用率近90%，相较于去年有超过10%的提升，但尚未达到最大值。

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