NAND闪存实在太火，三星将追加10万亿韩元投资扩产西安工厂

三星是全球最大的DRAM内存、NAND闪存厂商，而这两个产品这一年来涨价是最凶猛的，三星去年Q3季度因为Note 7召回而亏损了数十亿美元，不过它对三星电子的影响随着NAND/DRAM缺货涨价而被抵消，三星今年Q1季度的营收、净利反而创造了记录，贡献最大的就是存储芯片。2017年NAND闪存还是继续缺货，三星今年会大幅增加资本投资以增加产能，市场传闻三星将扩产西安的晶圆厂产能，总投资高达10万亿韩元，约合89亿美元。

三星投资70亿美元在西安建设的晶圆厂是其重要的NAND基地之一

三星2013年宣布在中国西安市投资70亿美元建设存储芯片工厂，2015年底工厂完工，主要生产NAND闪存，包括最新的3D NAND闪存，今年三星还会从32层堆栈转向更高的64层堆栈，西安工厂也会是主要产地之一，该工厂每月产能高达12万片晶圆，比三星目前在韩国本土的Line 16/17产线产能都要高得多。

即便如此，NAND闪存涨价、缺货的大环境下，西安的产能也满足不了市场需求了，韩国投资者报刊文称三星正在跟当地政府谈判扩产西安工厂，投资高达10万亿韩元，约合89.3亿美元。目前双方的谈判已经接近完成，预计会在9月份动工。

西安的新工厂预计在2019年完成，届时总产能将达到20万片晶圆/月。三星前不久宣布韩国平泽市的NAND晶圆厂将在上半年完工，预计会在6月份开始运转，产能也高达20万片晶圆/月，不过之前的消息显示今年内产能可能只有7-8万片晶圆/月，一两年之后才能全速运转。

值得注意的是，三星大举扩建NAND晶圆厂的同时，中国国产的NAND工厂也在快马加鞭，清华紫光旗下的长江存储科技在武汉的总投资高达240亿美元，一期工程就是针对NAND闪存而来的，长江存储早前表示将在2018年量产32层堆栈的3D NAND闪存，想要了解更多国产NAND闪存进展可以加小超哥（id：9501417）微信咨询。

但是三星今年就要过渡到64层堆栈了，到2018或者2019年时3D NADN闪存有可能堆栈到96层甚至更高，依然要领先国产NAND闪存一两代的技术水平。

不论如何，国产NAND闪存都要进行下去，这里面既有国家意志的作用，也有现实的考虑，中国智能手机、电脑等行业需要的NAND闪存几乎全部依赖国外厂商，别人的技术、产能都是领先的，追赶起来不易，但不去追赶就永远没机会了。

这家半导体大厂消息不断：扩产4纳米，236层NAND在路上

近日，三星在半导体制程工艺和NAND Flash闪存领域消息不断。

扩产4纳米，Q4每月新增产能2万片

继今年6月抢先宣布量产3纳米工艺之后，市场又有消息称三星计划在第四季度扩产4纳米制程。

据韩国媒体infostockdaily报道，三星4纳米在良率显著提升下，正着手扩产，预计今年第4季每月新增上看2万片产能。

报道称，三星晶圆代工4纳米制程因为良率提升至约六成，因此随客户需求提升而决议扩产，并规划在4纳米豪掷约5万亿韩元投资，欲争取更多高通、超威、英伟达等大厂代工订单。

业界指出，三星集团晶圆代工产能过往约六成提供自家芯片生产，其余承接委外订单，今年持续积极扩产，并扩大承接晶圆代工订单，将自家芯片产能占比降至五成，借此在存储器市况逆风下，提升半导体事业获利。

对于相关消息，三星表示，无法确认产量和投资增加问题。

236层NAND Flash产品在路上

韩国媒体BusinessKorea报导，三星今年将发布236层堆叠NAND Flash快闪存储器产品，还计划本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND Flash产品研发。

当前存储器制造商不断增加NAND Flash堆叠层数，以求更高效益。例如，西数与铠侠计划2022年底前开始量产162层闪存产品。未来，双方还将发力200+层闪存技术，并计划2032年之前陆续推出300+层以上、400+层与500+层闪存技术。

美光科技已于今年7月宣布开发全球首款232层堆叠NAND Flash，产品现已在美光新加坡工厂量产。未来，美光还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。

今年8月初，SK海力士也宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并计划在2023年上半年正式投入量产。

至于三星，尽管其作为全球最大的NAND Flash厂商，目前市占率高达35%，但研发记录还停留在176层。迫于竞争对手的压力，三星计划凭借生产技术、价格以及性能竞争力，将NAND Flash堆叠层数增加60层。

不过，三星236层堆叠NAND Flash推出的具体时间，还有待后续关注。

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