三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

速率高达1Gbps！三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片

想不到吧？其实三星电子在2017年1月份时已经开始向自己的主要IT客户开始正式量产256GB基于64层 V-NAND芯片的固态硬盘了；而这64位的V-NAND芯片基已经被认为是世界上第四代V-NAND芯片，其最高的数据传输速率达到了1Gbps，并且具有业界最短500微秒（㎲）的烧录器烧录单个芯片的时间（tPROG），这个数据要比现在10nm级的NAND闪存速度要快将近4倍左右。

这样的数据也要高于三星此前最快的基于48层三位256GGB V-NAND闪存的速度快了约1.5倍。

此外，与三星电子此前的48层256Gb V-NAND相比，新的64层256Gb 3-bit V-NAND提供了超过30%的生产率增益。而64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压，与使用48层V-NAND的3.3伏相比，在能量效率方面也有约30%左右的提升，而全新的V-NAND电池的可靠性与前代相比也增加了约20%。

三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。虽然秀了半天肌肉，小狮子还是更关心这固体硬盘的价格什么时候才能降到我们喜闻乐见的价格啊。

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